混晶の薄膜および界面における量子効果とその応用に関する研究

量子效应及其在薄膜和混晶界面中的应用研究

• 批准号: 61114003
• 负责人: 生駒 俊明
• 金额: $ 11.58万
• 依托单位: The University of Tokyo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Special Project Research
• 财政年份: 1986
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1986 至 1987
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-61114003/
• 关键词: 【III】-【V】混晶; 混晶選択成長; 混晶量子井戸; 歪超格子; MOVPE; MBE; ALE; FIB

〔生駒〕(1)半絶縁性GaAs基板に集束Si,Beイオンを交互にライン注入して、面内nipi構造を作製した。現在特性評価を進めている。(2)Inpに集束Gaイオンを注入し、部分的にGaInp混晶が形成されていることを、光学的手法により確認した。〔本間ほか〕(1)MOVPEにおける原料混合の不均一性の影響を明らかにし新たな混合部の付加により、高移動度高純度GaInAsの成長に成功した。(2)AlGaAs:SiのMBE成長におけるSiの偏析係数を定めた。(3)GaInAsMIS構造の計算機シミュレーションに基き、新しい界面準位評価法を確立した。〔荒井ほか〕量子井戸構造全反射型光スイッチ実現のための基礎実験としてLPE法によって井戸層厚15nm,障壁層厚20nm,25周期からなるGaInAsP/InP多重量子井戸構造を作製し、1.3λm波長量子井戸構造における電界印加時の吸収係数特性を、初めて明らかにした。〔青柳ほか〕パルス化レーザーMOVPE法により、自動堆積停止機構をもつ単原子層制御結晶成長がGaAsで可能であることがわかった。又この方法により一原子レベルで制御されたGaAs/AlAs量子井戸を製作することができた。又磁場中での量子井戸内エキシトンの発光ダイナミクスを明らかにした。〔舛本〕AlGaAs-AlAs超格子中の励起子の吸収飽和の研究を進め、混晶である為不均一吸収線巾が広く、井戸厚100【A!°】程度でもブルーシフトが起ることを明らかにした。GaAs-AlGaAs超格子のトンネルスペフトル中にいくつかの構造を発見し同定を行い、光励起担体のトンネル過程につき理解を進めた。〔梅野ほか〕Si基板にGaPとGaAsP混晶の歪超格子を中間層としてMOCVDによりGaAsとGaAsPを成長した。成長層をフォトミネセンス,エレクトロリフレクタンス,X線回折,DLTS,曲率半径によって評価した。Si上にAlGaAs/GaAsDHレーザを作製した。

[Ikoma](1) Semi-insulating GaAs substrate for cluster Si,Be, interaction, implantation, in-plane nipi structure Now feature reviews are advancing. (2)Inp cluster Ga ions are implanted, and part of the GaInp mixed crystal is formed. (1)MOVPE is a new way to improve the growth of GaInAs with high mobility and high purity. (2)AlGaAs:Si MBE growth and Si segregation coefficient are fixed. (3) The computer system of GaInAsMIS structure is established based on the new interface level evaluation method. [Arai] quantum well structure total reflection type optical fiber structure realization of the basic practice of the LPE method for the well layer thickness of 15nm, barrier layer thickness of 20nm,25 periods of GaInAsP/InP multiple quantum well structure fabrication, 1.3λm wavelength quantum well structure for the first time in the electric field absorption coefficient characteristics. [Aoyanagi] MOVPE method, automatic stacking stop mechanism, single layer crystal growth, etc. The method also includes the fabrication of GaAs/AlAs quantum wells. In addition, the quantum well in the magnetic field has a light emitting device. AlGaAs-AlAs superlattice excitation saturation research progress, mixed crystal for heterogeneous absorption line, well thickness 100 [A! The first day of the month, the second day of the month, the third day of the month, the fourth day of the month. GaAs-AlGaAs superlattice structure discovery and determination, photoexcitation support structure development and understanding Si substrate GaP GaAsP mixed crystal lattice intermediate layer MOCVD Growth layer: growth layer, X-ray reflection,DLTS, radius of curvature AlGaAs/GaAsDH on Si

项目成果

Y.Masumoto;S.Tarucha;H.Okamoto: Surface Science. 174. 283-287 (1986)

Y.Masumoto；S.Tarucha；H.Okamoto：表面科学。

舛本泰章,松浦満: 固体物理. 21. 493-500 (1986)

Yasuaki Masumoto，Mitsuru Matsuura：固体物理学。21. 493-500 (1986)

下村和彦,大木芳正,K.G.ラビクマール,菊川知之,荒井滋久,末松安晴: 昭和61年度電子通信学会 光・電波部門全国大会. 2-34 (1986)

Kazuhiko Shimomura、Yoshimasa Oki、K.G. Ravikumar、Tomoyuki Kikukawa、Shigehisa Arai、Yasuharu Suematsu：1985 年电子与通信工程师学会光学和无线电分会全国会议 (1986)。

M.Takeyasu;S.Sakai;T.Soga;M.Umeno: Jpn.J.Appl.Phys.25. 1388-1392 (1986)

M.Takeyasu；S.Sakai；T.Soga；M.Umeno：Jpn.J.Appl.Phys.25。

H.Ohno;R.Katsumi;H.Hasegawa: Surface Science. 174. 598-599 (1986)

H.Ohno；R.Katsumi；H.Hasekawa：表面科学。