混晶の薄膜および界面における量子効果とその応用に関する研究

〔生駒〕(1)半絶縁性GaAs基板に集束Si,Beイオンを交互にライン注入して、面内nipi構造を作製した。現在特性評価を進めている。(2)Inpに集束Gaイオンを注入し、部分的にGaInp混晶が形成されていることを、光学的手法により確認した。〔本間ほか〕(1)MOVPEにおける原料混合の不均一性の影響を明らかにし新たな混合部の付加により、高移動度高純度GaInAsの成長に成功した。(2)AlGaAs:SiのMBE成長におけるSiの偏析係数を定めた。(3)GaInAsMIS構造の計算機シミュレーションに基き、新しい界面準位評価法を確立した。〔荒井ほか〕量子井戸構造全反射型光スイッチ実現のための基礎実験としてLPE法によって井戸層厚15nm,障壁層厚20nm,25周期からなるGaInAsP/InP多重量子井戸構造を作製し、1.3λm波長量子井戸構造における電界印加時の吸収係数特性を、初めて明らかにした。〔青柳ほか〕パルス化レーザーMOVPE法により、自動堆積停止機構をもつ単原子層制御結晶成長がGaAsで可能であることがわかった。又この方法により一原子レベルで制御されたGaAs/AlAs量子井戸を製作することができた。又磁場中での量子井戸内エキシトンの発光ダイナミクスを明らかにした。〔舛本〕AlGaAs-AlAs超格子中の励起子の吸収飽和の研究を進め、混晶である為不均一吸収線巾が広く、井戸厚100【A!°】程度でもブルーシフトが起ることを明らかにした。GaAs-AlGaAs超格子のトンネルスペフトル中にいくつかの構造を発見し同定を行い、光励起担体のトンネル過程につき理解を進めた。〔梅野ほか〕Si基板にGaPとGaAsP混晶の歪超格子を中間層としてMOCVDによりGaAsとGaAsPを成長した。成長層をフォトミネセンス,エレクトロリフレクタンス,X線回折,DLTS,曲率半径によって評価した。Si上にAlGaAs/GaAsDHレーザを作製した。

〔生駒〕(1)半絶縁性GaAs基板に集束Si,Beイオンを交互にライン注入して、面内nipi構造を作製した。現在特性評価を進めている。(2)Inpに集束Gaイオンを注入し、部分的にGaInp混晶が形成されていることを、光学的手法により確認した。〔本間ほか〕(1)MOVPEにおける原料混合の不均一性の影響を明らかにし新たな混合部の付加により、高移動度高純度GaInAsの成長に成功した。(2)AlGaAs:SiのMBE成長におけるSiの偏析係数を定めた。(3)GaInAsMIS構造の計算機シミュレーションに基き、新しい界面準位評価法を確立した。〔荒井ほか〕量子井戸構造全反射型光スイッチ実現のための基礎実験としてLPE法によって井戸層厚15nm,障壁層厚20nm,25周期からなるGaInAsP/InP多重量子井戸構造を作製し、1.3λm波長量子井戸構造における電界印加時の吸収係数特性を、初めて明らかにした。〔青柳ほか〕パルス化レーザーMOVPE法により、自動堆積停止機構をもつ単原子層制御結晶成長がGaAsで可能であることがわかった。又この方法により一原子レベルで制御されたGaAs/AlAs量子井戸を製作することができた。又磁場中での量子井戸内エキシトンの発光ダイナミクスを明らかにした。〔舛本〕AlGaAs-AlAs超格子中の励起子の吸収飽和の研究を進め、混晶である為不均一吸収線巾が広く、井戸厚100【A!°】程度でもブルーシフトが起ることを明らかにした。GaAs-AlGaAs超格子のトンネルスペフトル中にいくつかの構造を発見し同定を行い、光励起担体のトンネル過程につき理解を進めた。〔梅野ほか〕Si基板にGaPとGaAsP混晶の歪超格子を中間層としてMOCVDによりGaAsとGaAsPを成長した。成長層をフォトミネセンス,エレクトロリフレクタンス,X線回折,DLTS,曲率半径によって評価した。Si上にAlGaAs/GaAsDHレーザを作製した。