量子半導体エレクトロニクス
量子半導体エレクトロニクス
批准号:
05352016
负责人:
生駒 俊明
金额:
$2.24万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Co-operative Research (B)
财政年份:
1993
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1993 至 --
中文摘要
固体中キャリアの量子力学的波動性に関する物理的研究および応用を探索する研究は、いわゆるメソスコピック物理として世界の研究機関、国内大学および企業の研究機関で基礎的な研究が活発に推進されている。ところが、これらの研究は最近、衝突無しのバリスティックなキャリア走行、あるいは無散乱のコヒーレントな波動伝搬、従って量子干渉の可能性について研究に展開しつつある。また、光エレクトロニクス分野では量子井戸細線、量子井戸箱などの量子サイズ効果の研究から半導体レーザの共振器を極めて小さくしたマイクロ共振器レーザにおける少数の電子と少数の光子の相互作用の研究が活発化している。このように明らかに従来の量子サイズ効果やメソスコピック物理の範囲を超えた研究が展開され第二フェーズに入りつつあると考えることができる。この第二フェーズの研究展開を量子半導体エレクトロニクスと呼ぶことにする。このような量子半導体エレクトロニクスを学問として発展させ確立させることは非常に重要な課題である。従ってこの分野を重点領域の研究領域として発展させる必要がある。幸い量子半導体エレクトロニクスにつながる研究は、現在全国の大学、企業の基礎研究所で活発になされており、共同で企画調査を行うことができれば非常に有効な成果が期待できる。本研究は量子半導体エレクトロニクスの研究分野について企画調査を共同で行い重点領域の研究領域として発展させることを目的として推進された。具体的には全体会議を9月と3月に2回行うとともに個別の研究者相互の研究交流を活発に行った。更に、本総合研究においては6年度から発足する重点領域研究「量子位相エレクトロニクス」の準備も進めた。その結果重点領域推進のための基盤が確立された。
英文摘要
固体中キャリアの量子力学的波動性に関する物理的研究および応用を探索する研究は、いわゆるメソスコピック物理として世界の研究機関、国内大学および企業の研究機関で基礎的な研究が活発に推進されている。ところが、これらの研究は最近、衝突無しのバリスティックなキャリア走行、あるいは無散乱のコヒーレントな波動伝搬、従って量子干渉の可能性について研究に展開しつつある。また、光エレクトロニクス分野では量子井戸細線、量子井戸箱などの量子サイズ効果の研究から半導体レーザの共振器を極めて小さくしたマイクロ共振器レーザにおける少数の電子と少数の光子の相互作用の研究が活発化している。このように明らかに従来の量子サイズ効果やメソスコピック物理の範囲を超えた研究が展開され第二フェーズに入りつつあると考えることができる。この第二フェーズの研究展開を量子半導体エレクトロニクスと呼ぶことにする。このような量子半導体エレクトロニクスを学問として発展させ確立させることは非常に重要な課題である。従ってこの分野を重点領域の研究領域として発展させる必要がある。幸い量子半導体エレクトロニクスにつながる研究は、現在全国の大学、企業の基礎研究所で活発になされており、共同で企画調査を行うことができれば非常に有効な成果が期待できる。本研究は量子半導体エレクトロニクスの研究分野について企画調査を共同で行い重点領域の研究領域として発展させることを目的として推進された。具体的には全体会議を9月と3月に2回行うとともに個別の研究者相互の研究交流を活発に行った。更に、本総合研究においては6年度から発足する重点領域研究「量子位相エレクトロニクス」の準備も進めた。その結果重点領域推進のための基盤が確立された。
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K.Agawa: "Electrical Properties of Heavily Si-deped Go As Grown on (311) A Go As Surfaces by Moleculay Beam Epitaxy." Procecdings of 20th Int'l Symp.Ga As and Related Compounds(to be published). (1994)
K.Akawa:“通过分子束外延在 (311) A Go 表面生长的重硅沉积 Go 的电特性。”
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
T.Arakawa,S.Tsukamoto,Y.Nagamune,M.Nishioka,J.H.LEE and Y.Arakawa: "Fabrication of In GaAs Strained Quantum Wire Structures Using Selective-Area Metal-Organic Chemical Vapor Deposition Growth" Jpn.J.Appl.Phys.32. L1377-L1379 (1993)
T.Arakawa、S.Tsukamoto、Y.Nagamune、M.Nishioka、J.H.LEE 和 Y.Arakawa:“利用选择性区域金属有机化学气相沉积生长制造 In GaAs 应变量子线结构”Jpn.J.Appl。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
橋本佳男: "半導体ヘテロ界面のバンド不連続量の測定とその制御" 応用物理. 63. 116-123 (1994)
Yoshio Hashimoto:“半导体异质界面能带不连续性的测量和控制”应用物理 63. 116-123 (1994)。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
神谷武志・荒川泰彦: "超高速光スイッチング技術" 株式会社培風館 山本格, 243 (1993)
Takeshi Kamiya 和 Yasuhiko Arakawa:“超高速光交换技术” Baifukan Co., Ltd. Yamamoto,243 (1993)
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Y.Hashimoto: "Roles of Si-Insertion Layer at Ga As/Al As Heterointerface determined by X-ray Photomission Spectroscopy." J.Vac.Sci.Tech(to be published). (1994)
Y.Hashimoto:“通过 X 射线光电发射光谱确定 Ga As/Al As 异质界面中 Si 插入层的作用。”
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
共 7 条
混晶の薄膜および界面における量子効果とその応用に関する研究
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批准号:62104001
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$16.51万
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财政年份:1986
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负责人:生駒 俊明
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依托单位:
混晶の薄膜および界面における量子効果とその応用に関する研究
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批准号:61114003
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$11.58万
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财政年份:1986
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负责人:生駒 俊明
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依托单位:
集束イオン打込みによる面内量子効果の出現とその応用
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批准号:60222015
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$5.12万
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财政年份:1985
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负责人:生駒 俊明
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依托单位:
極微構造結晶の欠陥に関する研究
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批准号:58209014
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$4.16万
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财政年份:1983
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负责人:生駒 俊明
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依托单位:
ディジタル化電子線超音波顕微鏡の材料評価技術への応用
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批准号:58850004
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项目类别:Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
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资助金额:$5.31万
-
财政年份:1983
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负责人:生駒 俊明
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依托单位:
極微構造結晶の欠陥に関する研究
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批准号:57217014
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$2.24万
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财政年份:1982
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负责人:生駒 俊明
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依托单位:
電子線超音波顕微鏡の高性能化とその応用に関する研究
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批准号:57850115
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项目类别:Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
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资助金额:$3.71万
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财政年份:1982
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负责人:生駒 俊明
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依托单位:
混晶系発光デバイス中の欠陥の挙動と劣化機構の解明
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批准号:56420023
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (A)
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资助金额:$15.23万
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财政年份:1981
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负责人:生駒 俊明
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依托单位:
走査型DLTS装置の試作
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批准号:X00120----585040
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项目类别:Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
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资助金额:$2.82万
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财政年份:1980
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负责人:生駒 俊明
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依托单位:
化合物半導体中の点欠陥と線欠陥の相互作用に関する研究
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批准号:X00080----346051
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
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资助金额:$6.02万
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财政年份:1978
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负责人:生駒 俊明
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依托单位:
アコースティックエミッション(AE)による化合物半導体デバイスの劣化機構とその改善に関する研究
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批准号:X00090----055060
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.7万
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财政年份:1975
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负责人:生駒 俊明
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依托单位:
新しいマイクロ波能動素子-BARITT-のマイクロ波および雑音特性の向上に関する研究
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批准号:X00090----855090
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$0.99万
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财政年份:1973
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负责人:生駒 俊明
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依托单位:
海外基金