Synthese siliciumorganischer Precursoren und Untersuchung ihres Verhaltens bei der Verbundherstellung; Korrelation zu den mikrostrukturellen und mechanischen Eigenschaften

当第一次接触开始时，C/C测试工具的密封性变差，而非酚类化合物的密封性变差，使C-矩阵变得更好。因此，在使用烷氧基硅烷、泰坦或硼烷等非生物活性物质的外部环境中，必须使用韦尔登，这样才能获得一种高纯度的酚醛树脂。本文介绍了用硅溶胶结合聚硅烷和聚碳硅烷，合成C/C-SiC和C/SiC复合材料的工艺过程。新化合物的制备化学、光谱（IR、NMR、MS）、热分析（Brennkurve）都具有韦尔登特征。分子量最大的核电站。渗透压测定通过对C/C过滤器的内表面过滤（LSI-Verfahren）进行反应后的前驱体的初步研究表明，SiC基体的结晶（C/SiC Verbunde）是可行的。机械原理研究包括Zugversuch、DTMA和XRD、金相、REM、TEM、HRTEM显微镜。

Während des ersten Antragszeitraumes begründete die Herstellung von C/C Verbundwerkstoffen, die Notwendigkeit Phenolharzprecursoren vielfältig zu modifizieren, um maßgeschneiderte C-Matrices zu erzeugen. Dazu sollen im weiteren Antragszeitraum Phenolharze gezielt mit unterschiedlichen Substraten wie Alkoxy-Silan, -Titan- oder -Boran Verbindungen höher vernetzt werden, um eine höhere Kohlenstoffausbeute zu erreichen. Weiter sollen polymere Siliciumverbindungen, insbesondere Polysilane und Polycarbosilane, synthetisch zugänglich gemacht und zur Herstellung von C/C-SiC und C/SiC Verbunden eingesetzt werden. Die neuen Verbindungen sollen präparativ-chemisch, spektroskopisch (IR, NMR, MS), thermoanalytisch (Brennkurve) sowie mittels Röntgenbeugung charakterisiert werden. Molekulargewichtsbestimmungen der molekularen Vorstufen sollen kryoskopisch bzw. osmomentrisch erfolgen. Der Einsatz von Precursoren zur Erzeugung dünner Reaktionsschutzschichten auf den inneren Oberflächen von C/C Verbunden vor der Flüssigsiliciuminfiltration (LSI-Verfahren) ist vorgesehen sowie ihre Nutzung als SiC Matrixprecursoren (C/SiC Verbunde). Die mechanischen Verbundeigenschaften sollen mittels Zugversuch, DTMA ermittelt und über XRD, Metallographie, REM, TEM, HRTEM mikroskopisch begründet werden.