Synthese siliciumorganischer Precursoren und Untersuchung ihres Verhaltens bei der Verbundherstellung; Korrelation zu den mikrostrukturellen und mechanischen Eigenschaften

有机硅前体的合成及其在复合材料生产过程中的行为研究；

• 批准号: 5285018
• 负责人: Professor Dr.-Ing. Bernhard Wielage
• 金额: --
• 依托单位: Professur für Verbundwerkstoffe und Werkstoffverbunde
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Priority Programmes
• 财政年份: 2000
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1999-12-31 至 2002-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5285018?language=en
• 关键词: Synthese; siliciumorganischer; Precursoren; und; Untersuchung

Wohldefinierte, funktionalisierte polymere Siliciumverbindungen werden hergestellt und zur Fertigung von C/C-SiC und C/SiC Verbunden eingesetzt. Die Polymere dienen als molekulare Ausgangsstoffe zur Darstellung höher vernetzter Systeme sowie zur Synthese hauptgruppenelement- und übergangsmetallhaltiger siliciumorganischer Polymerverbindungen.Ziel dieser Funktionalisierung ist eine entscheidende Verbesserung der keramischen Ausbeute und der Qualität der keramischen Produkte, sodaß Anwendungen in der Herstellung von z.B. C-Faserverbundwerkstoffen möglich werden. Die neuen Verbindungen sollen präparativ-chemisch, spektroskopische (IR, NMR, MS), thermoanalytisch (Brennkurve) sowie mittels Röntgenbeugung charakterisiert werden. Molekulargewichtsbestimmungen der molekularen Vorstufen sollen kryoskopisch vzw. osmometrisch erfolgen. Ein Einsatz der Precursoren zur Erzeugung dünner Reaktionsschutzschichten auf den inneren Oberflächen von C/C Verbunden vor der Flüssigsiliciuminfiltration (LSI-Verfahren) ist vorgesehen, wie auch ihre Nutzung als SiC Matrixprecursoren (C-SiC Verbunde). Die mechanischen Verbundeigenschaften sollen mittels Zugversuch, TMA und DMA makroskopisch ermittelt und über XRD, Metallographie, REM, TEM HRTEM im mikroskopischen Bereich begründet werden.

C/C-碳化硅和碳化硅/碳化硅复合材料。他说：“这是一件非常重要的事情，因为这是一件非常重要的事情。”化学，光谱(IR，核磁共振，MS)，热分析(Brennkurve)，Sowie Mittels Röntgenbeugung charakterisiert。您的位置：我也知道>教育/科学>教育/科学>科学与技术。[医]渗透剂。在此之前，我们将从C/C流转(LSI-Verfahren)和C-SIC流转(C-SIC流转)两个方面入手。从机械结构、TMA和DMA、金相、REM、TRTEM和Mikroskopischen Bereich BegrünDet等方面进行了分析。