単一均熱ゾーンにおける化合物半導体の化学輸送反応とエピタキシャル成長
単一均熱ゾーンにおける化合物半導体の化学輸送反応とエピタキシャル成長
批准号:
X00090----255298
负责人:
関 寿
金额:
$1.22万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份:
1977
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1977 至 --
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会议论文
GaAsのホトエピタキシ-とそのメカニズム
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批准号:02253206
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.54万
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财政年份:1990
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负责人:関 寿
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依托单位:
原子層エピタキシ-の成長メカニズム
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批准号:02650006
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1990
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负责人:関 寿
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依托单位:
ハロゲン系による混晶半導体の気相成長
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批准号:60222018
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$2.3万
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财政年份:1985
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负责人:関 寿
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依托单位:
化学輸送反応による化合物半導体のエピタキシャル成長
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批准号:X00090----555305
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.41万
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财政年份:1980
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负责人:関 寿
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依托单位:
単一均熱ゾーンにおける化合物半導体の化学輸送反応とエピタキシャル成長
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批准号:X00090----355336
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.15万
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财政年份:1978
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负责人:関 寿
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依托单位: