化学輸送反応による化合物半導体のエピタキシャル成長
化学輸送反応による化合物半導体のエピタキシャル成長
利用化学输运反应进行化合物半导体的外延生长
批准号：
X00090----555305
负责人：
関 寿
金额：
$1.41万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份：
1980
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1980 至 --
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会议论文
GaAsのホトエピタキシ-とそのメカニズム
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批准号：02253206
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额：$1.54万
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财政年份：1990
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负责人：関 寿
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依托单位：
原子層エピタキシ-の成長メカニズム
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批准号：02650006
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项目类别：Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额：$1.28万
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财政年份：1990
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负责人：関 寿
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依托单位：
ハロゲン系による混晶半導体の気相成長
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批准号：60222018
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项目类别：Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额：$2.3万
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财政年份：1985
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负责人：関 寿
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依托单位：
単一均熱ゾーンにおける化合物半導体の化学輸送反応とエピタキシャル成長
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批准号：X00090----355336
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项目类别：Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额：$1.15万
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财政年份：1978
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负责人：関 寿
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依托单位：
単一均熱ゾーンにおける化合物半導体の化学輸送反応とエピタキシャル成長
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批准号：X00090----255298
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项目类别：Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额：$1.22万
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财政年份：1977
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负责人：関 寿
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依托单位：