GaAsのホトエピタキシ-とそのメカニズム

GaAs光外延及其机理

• 批准号: 02253206
• 负责人: 関 寿
• 金额: $ 1.54万
• 依托单位: Tokyo University of Agriculture and Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 1990
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1990 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-02253206/
• 关键词: GaAs; エピタキシ-; MOークロライド系

近年、IIIーV族化合物半導体の薄膜成長に有機金属気相エピタキシャル成長法(MOVPE)が盛んに用いられている。しかし、この方法ではAsH_3やPH_3のような猛毒を使用するので、このことがMOVPE法の量産化の大きな障害となっている。またRockwell社の特許も有り、このような猛毒を用いないプロセスの開発が急務となっている。このような現状から、本研究ではAsH_3のような猛毒を用いず低温で良質なGaAsを成膜可能な新しい光CVDプロセスを開発することを目的として研究を進めた。実験は横型および縦型の二つの装置で行った。横型の装置では成長を開始してから間もなく反応管の光照射部に析出が起こり、析出物の光吸収のため光照射が出来なくなった。しかし、有機金属とAsCl_3の反応を調べるため、条件を変えて実験を続けた。その結果、何回かManasevitらの報告に有るように基板のエッチングのみが観察されたが、条件がよければ、これまで成長が起こらないと考えられていた有機金属とAsCl_3の反応によりGaAsの成長が起こるという新しい事実を得た。縦型装置で光照射した場合、成長速度は高温域では光照射を行わない場合に比べて低いが、低温域では増加した。このように有機金属とAsCl_3の反応に対して光照射の効果は認められたが、良質の成長膜を得るためには、更に多くの実験を続ける必要がある。以上、本年度の研究では、猛毒なAsH_3を用いないGaAsの成膜プロセスの可能性を見いだした。

In recent years, III ー V compound semiconductor の film growth に organic metal 気 エ ピ タ キ シ ャ ル growth method (MOVPE) が sheng ん に with い ら れ て い る. し か し, こ の way で は AsH_3 や PH_3 の よ う な fierce poison を use す る の で, こ の こ と が MOVPE method の production change の big き な handicap of と な っ て い る. The またRockwell Corporation has a special license to <s:1> use また, <s:1> ような venom を to issue が emergency services となって る る る る る る. こ の よ う な status quo か ら, this study で は AsH_3 の よ う な fierce poison を with い ず で good quality at low temperature な GaAs を film may な new し い light CVD プ ロ セ ス を open 発 す る こ と を purpose と し を て research into め た. Experimental <s:1> horizontal type および縦 type <s:1> two および縦 devices で line った. Horizontal type の device で は growth を start し て か ら between も な く anti 応 tube の light department に precipitation が up こ の り, separation material suction light 収 の た め light が out な く な っ た. <s:1> を を続けた, organometrics とAsCl_3 in reverse 応を modulation べるため, conditions を variation えて experiment を続けた. そ の results, back to か Manasevit ら の report に る よ う に substrate の エ ッ チ ン グ の み が 観 examine さ れ た が, conditions が よ け れ ば, こ れ ま で growth since が こ ら な い と exam え ら れ て い た organometallic と AsCl_3 の anti 応 に よ り GaAs の growth since が こ る と い う new し い things be を た. 縦 device で light し た occasions, the growth speed は high temperature domain で は light line を わ な に い occasion than べ て low い が, low temperature domain で は raised plus し た. こ の よ う に organometallic と AsCl_3 の anti 応 に し seaborne て light の unseen fruit は recognize め ら れ た が, grow good quality の membrane を る た め に は, more に く の be 験 を 続 け る necessary が あ る. The above, this year 's <s:1> research で た, and the possibility of <s:1> film formation プロセス of venom なAsH_3を using <s:1> な <s:1> GaAs を can be found in を だ た た た た.

项目成果

H.IKEDA,M.KAMISAWA,A.KOUKITU,H.SEKI: "Growth of GaAs by ColdーWall MetalorganicーChloride Vapor phase Epitaxy" Japanese Journal of Applied Physics. 29. 2149-2151 (1990)

H.IKEDA、M.KAMISAWA、A.KOUKITU、H.SEKI：“通过冷壁金属有机氯化物气相外延生长 GaAs”，《日本应用物理学杂志》29. 2149-2151 (1990)。