Intermediates leading to solid GaN, GaP, AIN and AIP. New synthetic methods for molecular oligomers under mild conditions. Spectroscopy and quantum chemical investigations.

产生固体 GaN、GaP、AIN 和 AIP 的中间体。

• 批准号: 5165325
• 负责人: Professor Dr. Hansgeorg Schnöckel
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Anorganische Chemie (aoc)
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Priority Programmes
• 财政年份: 1999
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1998-12-31 至 2004-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5165325?language=en
• 关键词: Intermediates; leading; solid; GaN; GaP

Um zu molekularen III/V-Clustern als Vorstufen zu kristallinen Halbleitern zu gelangen, dürfen nicht die klassischen Hochtemperaturreaktionen eingesetzt werden, die thermodynamisch kontrolliert bis zu den Festkörpern ablaufen. Deshalb haben wir durch Vorversuche für das beantragte Projekt ein Syntheseverfahren entwickelt, das von metastabilen GaX- und AlX-Lösungen ausgeht, die bisher nur in unserer Arbeitsgruppe hergestellt wurden. Auf diese Weise sollen mit N- bzw. P-übertragenden Reagenzien neue GaN- bzw. GaP-Oligomere erschlossen werden, die weder am Ga- noch am N- oder P-Atom Substituenten tragen, wie es z. B. bei den gut untersuchten RAlNR-Käfigverbindungen der Fall ist. Die von uns vorgeschlagene Methode ist auf milde Reaktionsbedingungen angewiesen, da bei Temperaturen oberhalb Raumtemperatur die GaX-Lösungen meist in Ga-Metall und das Trihalogenid disproportionieren. Die erforderlichen niedrigen Reaktionstemperaturen bieten bei dieser Reaktion nun den Vorteil, daß unter Umständen auch metastabile GaN/GaP-Oligomere abgefangen werden können, deren Größe sich je nach Reaktionsbedingungen bis in den Nanometerbereich erstrecken kann und schließlich zu den kristallinen Halbleitern führen sollte. Eine derartige maßgeschneiderte Synthese von III/V-Clustern ist als Traumziel des beantragten Projektes anzusehen. Orientierende ab initio-Untersuchungen, die das gesamte Projekt begleiten sollten, zeigen aber bereits heute, daß derartige donorstabilisierte Clusterverbindungen Minima auf der Potentialhyperfläche darstellen.

分子团 III/V-Clustern 是由水晶制成的，它是一种典型的高温反应，是一种热力学控制。在 Syntheseverfahren entwickelt 中，我们已经完成了之前的项目，在 GaX- 和 AlX-Lösungen 中实现 Metastabilen GaX- 和 AlX-Lösungen，这将在 Unserer Arbeitsgruppe hergestellt wurden 中进行。 Auf diese Weise sollen mit N- bzw。 P-übertragenden Reagenzien neue GaN- bzw。 GaP-Oligomere erschlossen werden，die weder am Ganoch am N- oder P-Atom Substituenten tragen，wie es z。 B. bei den gut untersuchten RAlNR-Käfigverbindungen der Fall ist。该方法是一种温和的反应，其温度高于 Ga-金属和三卤代不成比例中的 GaX-Lösungen 温度。反应温度是在 Vorteil 中的反应温度，是亚稳态 GaN/GaP-Oligomere abgefangen 的最佳反应温度，是纳米反应中的反应温度 schließlich zu den kristallinen Halbleitern führen sollte。 III/V-Clustern 的综合技术主要是针对项目的创伤。从头开始的方向，是整个项目的全部，一旦开始，就可以使捐赠者稳定集群状态，并在潜在的超薄层中实现最小化。