Cluster-Multilayers

本文提出了一种基于簇-多簇-系统的配体稳定型金属簇化和基于夜序半簇的材料簇化。论集群与发展的关系。beden Cluster ist in erster Linie and Au55 - der ähnlich große Cluster gedacht, and denen Quantum-Size-Effekte bereits mehrfach nachgewiesen werden konten。altrennende barriereschichen sollen vorwiegene Oxide wie SiO2 oder TiO2 verwendet werden, die mittels eines plasmaverdampfungsproesses auf den Clusterschichten Als d<e:1> nne, glatte Filme niedergeschlagen werden sollen。deses relaties aufwendige Verfahren ist erforderlich, um die nötige Qualität der Barriereschichten zu gewährleisten and um bereine möglichst groe ße Variabilität bez<s:1> glich der verwendeten Materialien zu verf<e:1>。insbesonere sind Oberflächen erforderlich, deren Rauhigkeit kleiner als die Clustergröße ist。B. durch Verwendung von Polymerschichten， haben也untauglich erwiesen。Die Cluster sollen auf den zuvor functionalisierten Oberflächen chemisch fixert werden。Diese Verfahren sind bereits erprobt。Die Plasmaverdampfungsanlage soll <s:1> berwigend auskommerziell erhältlichen Bauteilen nach einem in Essen vorhandenen， funktionierenden原型augebautwerden。Zweck der Herstellung der Cluster-Mehrfachschicht-Systeme ist deren Untersuchung bezglich ihres横向和纵向Leitfähigkeitsverhaltens。Die Barriereschichten zwischen den Clusterlagen sollen sowohl bezgelich des Materials; schichhtdicke den bedrnissen angepaßt werden。

Es ist beabsichtigt, Cluster-Multischicht-Systeme aus ligandstabilisierten Metallclustern und nicht- oder halbleitenden Materialien aufzubauen. Hierzu sollen abwechselnd Cluster- und Trennschichten erzeugt werden. Bei den Clustern ist in erster Linie an Au55 - oder ähnlich große Cluster gedacht, an denen Quantum-Size-Effekte bereits mehrfach nachgewiesen werden konnten. Als trennende Barriereschichten sollen vorwiegend Oxide wie SiO2 oder TiO2 verwendet werden, die mittels eines Plasmaverdampfungsprozesses auf den Clusterschichten als dünne, glatte Filme niedergeschlagen werden sollen. Dieses relativ aufwendige Verfahren ist erforderlich, um die nötige Qualität der Barriereschichten zu gewährleisten und um über eine möglichst große Variabilität bezüglich der verwendeten Materialien zu verfügen. Insbesondere sind Oberflächen erforderlich, deren Rauhigkeit kleiner als die Clustergröße ist. Einfachere Verfahren, z. B. durch Verwendung von Polymerschichten, haben sich als untauglich erwiesen. Die Cluster sollen auf den zuvor funktionalisierten Oberflächen chemisch fixiert werden. Diese Verfahren sind bereits erprobt. Die Plasmaverdampfungsanlage soll überwiegend aus kommerziell erhältlichen Bauteilen nach einem in Essen vorhandenen, funktionierenden Prototyp aufgebaut werden. Zweck der Herstellung der Cluster-Mehrfachschicht-Systeme ist deren Untersuchung bezüglich ihres lateralen und vertikalen Leitfähigkeitsverhaltens. Die Barriereschichten zwischen den Clusterlagen sollen sowohl bezüglich des Materials als auch der Schichtdicke den Bedürfnissen angepaßt werden.