Synthesis and characterization of organized (magnetic) semi-conductor nanowires

有序（磁性）半导体纳米线的合成和表征

• 批准号: 5166420
• 负责人: Professor Dr. Michael Fröba
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Anorganische und Angewandte Chemie
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Priority Programmes
• 财政年份: 1999
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1998-12-31 至 2004-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5166420?language=en
• 关键词: Synthesis; characterization; organized; magnetic; semi

Im Projekt sollen organisierte Halbleiternanodrähte - speziell auch magnetische Halbleitermaterialien - innerhalb von mesoporösen Silicaten des M41S-Typs hergestellt werden. Die hohe Ordnung ihrer Porensysteme sowie Porengrößen, die zwischen 2-10 nm liegen, prädestinieren diese Phasen dafür, als Wirtstrukturen für den Aufbau geordneter Nanostrukturen zu fungieren. Durch Verwendung geeigneter Precursoren und den Einsatz unterschiedlicher Insertionsmethoden soll versucht werden, nanostrukturierte IV-VI- und II-VI-Halbleiter in den Porensystemen aufzubauen. Das Projekt ist in zwei Teilprojekte unterteilt, wobei die präparativen Arbeiten und eine Reihe an strukturellen Charakterisierungen an der Universität Hamburg durchgeführt werden. Synthesebegleitend sollen dazu umfangreiche spektroskopische Untersuchungen an der Universität Marburg durchgeführt werden. Sie sollen einerseits dazu dienen, die Synthese und damit die Qualität der Proben weiter zu optimieren, andererseits aber auch fundamentale Fragen zu den elektronischen, vibronischen und magnetischen Eigenschaften der neuen Verbindungen zu untersuchen.

Im Projekt sollen organisierte Halbleiternanodrähte - speziell auch magnetische Halbleitermaterialien - innerhalb von mesoporösen Silicaten des M41S-Typs hergestellt韦尔登. Die hohe Ordnung ihrer Porensysteme sowie Porengrößen，die zwischen 2-10 nm liegen，preädestinieren diese Phasen dafür，als Wirtstrukturen für den Aufbau geordneter Nanostrukturen zu fungieren.在多孔体系中，可通过韦尔登结构的IV-VI-和II-VI-半导体来制备纳米前驱体和纳米非晶插入方法。该项目在汉堡大学韦尔登的两个项目中，都是一个具有结构特点的项目。在马尔堡大学进行的光谱学研究中，这是一个很好的解决方案，它可以优化合成和降低测试质量，也可以从根本上提高新测试的电子、振动和磁特性。