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変調分光法による In 狭 -xGaxAs^1-yPy 混晶半導体の電子帯構造に関する研究

変調分光法による In 狭 -xGaxAs^1-yPy 混晶半導体の電子帯構造に関する研究
利用调制光谱研究In窄-xGaxAs^1-yPy混晶半导体的电子能带结构
批准号：
X00090----354081
负责人：
西野 種夫
金额：
$1.34万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份：
1978
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1978 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-X00090----354081/
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ダイヤモンド薄膜結晶の電子帯構造と負性電子親和力
局在電子状態の制御に関する研究
  • 批准号：
    04204015
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $9.6万
  • 财政年份：
    1992
  • 负责人：
    西野 種夫
  • 依托单位：
    Kobe University
局在電子の制御に関する研究
  • 批准号：
    03204018
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $9.6万
  • 财政年份：
    1991
  • 负责人：
    西野 種夫
  • 依托单位：
    Kobe University
局在電子状態の制御に関する研究
  • 批准号：
    02204016
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $15.42万
  • 财政年份：
    1990
  • 负责人：
    西野 種夫
  • 依托单位：
    Kobe University