局在電子の制御に関する研究
局域电子控制研究
基本信息
- 批准号:03204018
- 负责人:
- 金额:$ 9.6万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
- 财政年份:1991
- 资助国家:日本
- 起止时间:1991 至 无数据
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
局在電子状態の制御に関して,理論,実験両面から研究を進め,理論面での成果としては,半導体中の不純物原子の格子間位置での安定性を決める方法を明らかにした。対称性の高い原子配位では局在電子状態は縮退していることが多く,従ってJーT効果が生じ,原子が変位して自発的に系の対称性が下がる。従ってJーT効果を引き起こすモ-ドを調べ,不純物原子の変位座標を含むと,その格子間位置は不安定であると結論できる。次に,実験面での成果として,まずGaInP混晶半導体における長距離秩序構造を偏光ルミネッセンス法によって調べ,この長距離秩序構造の原因となっている局所的な原子配列の様子を明らかにした。また,GaAs基板上に成長したZnCdS混晶半導体へテロ接合について,界面変調分光スペクトルおよび電子ビ-ム励起ルミネッセンス・スペクトルの測定を行ない,ヘテロ界面における欠陥やひずみの評価ならびにZnCdSエピタキシャル膜中の欠陥の電子状態を明らかにした。さらに,IIーVI族半導体中の欠陥の電子状態に関して,GaAs上のCdTeエピタキシャル膜およびZnCdS/ZnSひずみ超格子に対する励起子の発光,反射,励起スペクトルを詳細に調べ,CdTe価電子帯の内部ひずみの効果を明らかにするとともにZnCdS/ZnSひずみ超格子における励起子効果を明らかにした。即ち,この超格子構造において励起子効果は室温における発光と吸収スペクトルに支配的に現われていることを明らかにした。次に,溶液成長させたZnSおよびZnSSeバルク結晶中の不純物および欠陥の電子状態を発光スペクトルおよびラマン散乱スペクトルの測定より調べ,Al,Ga,Te不純物エネルギ-準位および蛍光寿命の測定を行ない,青色発光素子への応用に関する知見を得た。また,znSSeのラマン散乱測定より,共鳴準位が励起子準位であることを確認した。
In the control of electronic states, the theory, the research progress, the theoretical results, the method of determining the stability of the lattice position of impurity atoms in semiconductors The symmetry of the high atom coordination is reversed in the electronic state, and the symmetry of the atomic system is reduced. The position coordinates of impurity atoms are not stable, and the position between cells is unstable. Second, the results of this research show that GaInP mixed crystal semiconductor has long distance order structure, polarization method and modulation, and the reason of long distance order structure and atomic arrangement of GaInP mixed crystal semiconductor is clear. In addition, ZnCdS mixed crystal semiconductor grown on GaAs substrate is characterized by high temperature, high temperature and high temperature. In addition, the electronic state of CdTe in II-VI semiconductors is related to the excitation of CdTe film and ZnCdS/ZnS superlattice on GaAs. The excitation of CdTe electron in ZnCdS/ZnS superlattice is controlled in detail. That is to say, the superlattice structure of the excitation effect is room temperature, light emission and absorption, and the control effect is light emission. In addition, the solution growth of ZnS and ZnSSe in the crystal impurities and incomplete electronic state of the luminescence and scattering of the determination of the tuning,Al,Ga,Te impurities in the production level of the determination of the luminescence life, cyan luminescence related to the use of knowledge. The resonance level is confirmed by the scattering measurement of znSSe.
项目成果
期刊论文数量(12)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
T.Kanata,M.Nishimoto,H.Nakayama and T.Nishino: ""Valence-band splitting in ordered Ga_<0.5> In_<0.5> P studied by temperature-dependent photaluminescence polarization"" Phys.Rev.B45. (1992)
T.Kanata、M.Nishimoto、H.Nakayama 和 T.Nishino:“通过温度依赖性光致发光偏振研究有序 Ga_<0.5> In_<0.5> P 中的价带分裂””Phys.Rev.B45。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
T.Taguchi and Y.Endoh: ""Properties of the exciton emossion at room temperature in CdZnS/ZnS strained-layer superlattices"" Jpn.J.Appl.Phys.30. L992-L995 (1991)
T.Taguchi 和 Y.Endoh:“CdZnS/ZnS 应变层超晶格中室温激子发射的特性”Jpn.J.Appl.Phys.30。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
T.Nishino: ""Interface stress at thin film semiconductor heterostructures"" Proc.International Conference on Thin Film Physics and Applications,Shanghai,1991,April.SPIE1519. 382-390 (1991)
T.Nishino:“薄膜半导体异质结构的界面应力”Proc.国际薄膜物理与应用会议,上海,1991年4月.SPIE1519。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
T.Taguchi,Y,Endoh and Y.Nozue: ""Relaxation due to multiple longitudinal optical phonon emission and dissociation of excitonsin CdZnS/ZnS strained-layer superlattices"" Appl.Phys.Lett.55. 3434-3436 (1991)
T.Taguchi、Y、Endoh 和 Y.Nozue:“由于多重纵向光学声子发射和激子 CdZnS/ZnS 应变层超晶格解离引起的弛豫”Appl.Phys.Lett.55。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
Y.Shinozuka: ""Stability of the Positions of an Interstital Imprity Atom and the Electronic States in Semiconductors"" Proc.16th International Conference or Defects in Semiconductors,Bethlehem,1991 July.(1991)
Y.Shinozuka:“半导体中间隙杂质原子和电子态的稳定性”Proc.16th International Conference or Defects in Semiconductors,伯利恒,1991 年 7 月。(1991)
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
西野 種夫其他文献
Modulation Spectroscopy アリゾナ会議(パーラー)
- DOI:
- 发表时间:
1973-03 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
西野 種夫 - 通讯作者:
西野 種夫
西野 種夫的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('西野 種夫', 18)}}的其他基金
ダイヤモンド薄膜結晶の電子帯構造と負性電子親和力
金刚石薄膜晶体的电子能带结构和负电子亲和势
- 批准号:
11875007 - 财政年份:1999
- 资助金额:
$ 9.6万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Exploratory Research
局在電子状態の制御に関する研究
局域电子态控制研究
- 批准号:
04204015 - 财政年份:1992
- 资助金额:
$ 9.6万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
局在電子状態の制御に関する研究
局域电子态控制研究
- 批准号:
02204016 - 财政年份:1990
- 资助金额:
$ 9.6万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
II-VI/III-V族化合物半導体ヘテロ接合界面歪および欠陥の評価
II-VI/III-V化合物半导体异质结界面应变和缺陷评估
- 批准号:
62604584 - 财政年份:1987
- 资助金额:
$ 9.6万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
混晶半導体における欠陥の分光学的評価
混合晶体半导体缺陷的光谱评估
- 批准号:
60222029 - 财政年份:1985
- 资助金额:
$ 9.6万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Special Project Research
透明導電膜の高性能化と新型ヘテロ接合太陽電池の開発
提高透明导电薄膜性能,开发新型异质结太阳能电池
- 批准号:
58045099 - 财政年份:1983
- 资助金额:
$ 9.6万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Energy Research
InGaAsP四元混晶における顕微分光特性と素子劣化特性との相関
InGaAsP四元混晶微观光谱特性与器件劣化特性的相关性
- 批准号:
56460053 - 财政年份:1981
- 资助金额:
$ 9.6万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
Si:Liにあける束縛多励起子の電子状態に関する研究
Si:Li中束缚多激子电子态的研究
- 批准号:
X00090----454074 - 财政年份:1979
- 资助金额:
$ 9.6万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
変調分光法による In 狭 -xGaxAs^1-yPy 混晶半導体の電子帯構造に関する研究
利用调制光谱研究In窄-xGaxAs^1-yPy混晶半导体的电子能带结构
- 批准号:
X00090----354081 - 财政年份:1978
- 资助金额:
$ 9.6万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
不純物を添加したシリコン単結晶の二電子遷移を伴う励起子の研究
掺杂硅单晶中双电子跃迁激子的研究
- 批准号:
X00090----154068 - 财政年份:1976
- 资助金额:
$ 9.6万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
相似海外基金
14族混晶半導体におけるフォノンドラッグエンジニアリング
14族混晶半导体中的声子药物工程
- 批准号:
24H00314 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 9.6万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
IV族混晶半導体の物性制御による薄膜太陽電池用ボトムセルの開発
通过控制IV族混晶半导体的物理特性开发薄膜太阳能电池的底部电池
- 批准号:
24KJ0509 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 9.6万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
次世代光源開発に資する窒化物系混晶半導体サブギャップ領域の光・熱物性制御指針解明
阐明控制氮化物基混晶半导体子带隙区域的光学和热性能的指南,有助于下一代光源的开发
- 批准号:
22K04956 - 财政年份:2022
- 资助金额:
$ 9.6万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
高精度歪み制御による直接遷移型IV族混晶半導体の創出と発光特性評価
通过高精度应变控制创建直接跃迁IV族混晶半导体并评估发光特性
- 批准号:
18H05912 - 财政年份:2018
- 资助金额:
$ 9.6万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
トンネルFETに向けた低抵抗な金属/ゲルマニウム系混晶半導体接合の形成
用于隧道 FET 的低电阻金属/锗基混合晶体半导体结的形成
- 批准号:
16J10891 - 财政年份:2016
- 资助金额:
$ 9.6万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
酸化ガリウム混晶半導体薄膜を用いたヘテロ接合デバイスの開発
使用氧化镓混晶半导体薄膜的异质结器件的开发
- 批准号:
16J09832 - 财政年份:2016
- 资助金额:
$ 9.6万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
分子動力学法を用いた歪IV-IV族混晶半導体のPDP導出に関する研究
基于分子动力学方法的应变IV-IV混晶半导体PDP推导研究
- 批准号:
15J07583 - 财政年份:2015
- 资助金额:
$ 9.6万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
大気圧水素プラズマと固体原料を用いたIV族混晶半導体薄膜の高能率形成法の開発
开发利用大气压氢等离子体和固体原料形成IV族混晶半导体薄膜的高效方法
- 批准号:
18760235 - 财政年份:2006
- 资助金额:
$ 9.6万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
巨大ボーイングを利用した広帯域対応擬似混晶半導体の作製
利用巨弓制造宽带兼容赝混晶半导体
- 批准号:
15760004 - 财政年份:2003
- 资助金额:
$ 9.6万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
シリコン基板上への窒化ガリウム系四元混晶半導体の結晶成長及びその素子の応用
硅衬底上氮化镓基四元混晶半导体晶体生长及其器件应用
- 批准号:
02F00329 - 财政年份:2002
- 资助金额:
$ 9.6万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows