局在電子状態の制御に関する研究

局域电子态控制研究

• 批准号: 02204016
• 负责人: 西野 種夫
• 金额: $ 15.42万
• 依托单位: Kobe University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 1990
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1990 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-02204016/
• 关键词: 格子緩和; ヤ-ン・テラ-効果; 電子ビ-ム励起分光; 束縛励起子; 共鳴ラマン効果

本年度に得られた研究成果を箇条書きすると以下の通りである。1.半導体中の局在電子状態に関する理論的研究の成果としては,半導体中の不純物原子の格子間での位置に対する検討を行い,対称性の高い原子配位での局在電子状態のヤ-ン・テラ-効果を計算する際の条件を明らかにした。これらの条件として,不純物原子に局在している電子の数,格子振動として取り入れる母体原子の変位の範囲および上記効果を引き起こすモ-ドと不純物原子の変位座標の関係が重要であった。2.半導体結晶における格子欠陥に対する微小領域電子状態評価として,新しく電子ビ-ム励起発光およびリフレグタンス測定法を考案し,その評価システムの組立を行った。このシステムは半導体中の格子欠陥などの微小領域での原子構造および電子状態の評価を行うもので,IIーVI族およびIIIーV族化合物半導体の格子欠陥に適用した。上記の分光スペクトルの測定をするための種々の条件および電子顕微鏡として併用した時の試料配置などの実験上の諸条件を明らかにした。3.GaAs基板上に成長させたCdTeエピタキシャル薄膜に対してフォトルミネッセンスおよび反射スペクトルの測定を低温で行い,これら結晶において観測される1.59eVの鋭い発光線の起源を明らかにした。この発光はCd空孔とTe位置の最近接ドナ-不純物との複合欠陥に束縛された励起子からの発光と同定された。また,上記発光線の水素熱処理効果を調べ,束縛励起子の消滅過程の知見も得ることができた。4.良質なZnSおよびZnSe結晶を成長させるために行った実験成果として,Sb系溶媒から成長させた結晶に対してフォトルミネッセンスおよび共鳴ラマン散乱効果の測定を行い,3.794eVのSbが関与した発光線がZnを置換したSbドナ-によることを明らかにするとともにラマン散乱線の強度が温度依存性を示すことを明らかにした。

This year, に obtained られた research results を entries に すると the following are presented in a list of に である. 1. の bureau in the electronic state in semiconductor に masato す の る theory research results と し て は, semiconductor の no impurity atoms in の cubicle で の position に す seaborne る 検 for line を い, said seaborne の high い atom ligand で の bureau in the electronic state の ヤ - ン · テ ラ - working fruit を computing す る interstate の conditions を Ming ら か に し た. こ れ ら の conditions と し て, no impurity atoms に bureau in し て い る electronic の number of lattice vibration と し て take り れ る parent atoms の - a の van 囲 お よ び written unseen fruit を lead き up こ す モ - ド の と no impurity atoms - a coordinate の masato is important で が あ っ た. 2. The semiconductor crystal に お け る grid owe 陥 に す seaborne る tiny state electronic field evaluation 価 と し て, new し く electronic ビ - ム excitation light up 発 お よ び リ フ レ グ タ ン ス measurement し を test case, そ の review 価 シ ス テ ム の group vertical line を っ た. こ の シ ス テ ム は の in the semiconductor lattice owe 陥 な ど の tiny areas で の atomic structure お よ び electronic state の review 価 を line う も の で, II ー VI clan お よ び III ー V compound semiconductor の grid owe 陥 に applicable し た. Written の spectral ス ペ ク ト ル の determination を す る た め の kind 々 の conditions お よ び electronic 顕 micromirror と し て and し た の when sample configuration な ど の be 験 の conditions on を Ming ら か に し た. 3. GaAs substrate に growth さ せ た CdTe エ ピ タ キ シ ャ ル film に し seaborne て フ ォ ト ル ミ ネ ッ セ ン ス お よ び reflection ス ペ ク ト ル の を で line い at low temperature, こ れ ら crystallization に お い て 観 measuring さ れ る 1.59 eV の sharp い 発 light の origin を Ming ら か に し た. こ の 発 light は Cd empty hole と Te position の recently after ド ナ - impurity content と の composite owe 陥 に bound さ れ た excitation screwdriver か ら の 発 light と with fixed さ れ た. Youdaoplaceholder0, the effect of the heat treatment of the emitted light and hydrogen is を regulated べ, and the process of the destruction of the restrained excitation <s:1> is known by また to る た とがで た た た. 4. Good quality な ZnS お administered よ び ZnSe crystal を growth さ せ る た め に line っ た be 験 results と し て, Sb series solvent か ら growth さ せ た crystallization に し seaborne て フ ォ ト ル ミ ネ ッ セ ン ス お よ び resonance ラ マ ン scattered sharper determination of fruit の を い, 3.794 eV の Sb が masato and し た 発 light が zinc を replacement し た Sb ド ナ - に よ る こ と を Ming ら か に す る と と も に ラ マ ン scattered line の strength が temperature dependency を shown す こ と を Ming ら か に し た.

项目成果

H.Kanie: "Resonant Raman Scattering in ZnS" Jpn.J.Appl.Phys.(1991)

H.Kanie：“ZnS 中的共振拉曼散射”Jpn.J.Appl.Phys.(1991)

T.Kanata: "Photoreflectance characterization of surface Fermi level in asーgrown GaAs(100)" J.Appl.Phys.68. 5309-5313 (1990)

T.Kanata：“生长的 GaAs(100) 中表面费米能级的光反射表征”J.Appl.Phys.68 5309-5313 (1990)。

篠塚 雄三: "光励起と乱れが誘起する原子移動過程" 分子研ワ-クショップ「光誘起相転移」資料. (1990)

Yuzo Shinozuka：“光激发和无序诱导的原子转移过程”IMS研讨会“光诱导相变”材料（1990）。

C.Onodera: "A new 1.47eV defectーluminescence band in MOCVDーgrown CdTe on(100)GaAs" J.Cryst.Growth. 101. 502-506 (1990)

C.Onodera：“(100)GaAs 上 MOCVD 生长的 CdTe 中的新 1.47eV 缺陷发光带”J.Cryst.Growth。101. 502-506 (1990)

T.Kanata: "Photoreflectance Characterization of Builtーin Potential in MBE Produced asーgrown GaAs Surface" Proc.International Conference on Modulation Spectroscopy,San Diego,U.S.A.56-65 (1990)

T. Kanata：“MBE 生成的 GaAs 表面的内置电势的光反射特性”Proc. 国际调制光谱会议，美国圣地亚哥 56-65 (1990)