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ホットエレクトロン分布関数の実験的導出と半導体能動素子動作に関する基礎研究

ホットエレクトロン分布関数の実験的導出と半導体能動素子動作に関する基礎研究
热电子分布函数实验推导及半导体有源器件工作基础研究
批准号:
X00090----455007
负责人:
井上 正崇
金额:
$1.66万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份:
1979
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1979 至 --
关键词:

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InAs系ヘテロ極微構造における量子輸送現象とデバイス応用
  • 批准号:
    08217217
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额:
    $1.15万
  • 财政年份:
    1996
  • 负责人:
    井上 正崇
  • 依托单位:
InAs系ヘテロ極微構造における量子輸送現象とデバイス応用
  • 批准号:
    07227219
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额:
    $1.66万
  • 财政年份:
    1995
  • 负责人:
    井上 正崇
  • 依托单位:
InAs系ヘテロ極微構造における量子輸送現象とデバイス応用
  • 批准号:
    06238218
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额:
    $1.6万
  • 财政年份:
    1994
  • 负责人:
    井上 正崇
  • 依托单位:
半導体2次元電子ガスと超高周波音波との相互作用
  • 批准号:
    60212020
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Special Project Research
  • 资助金额:
    $1.92万
  • 财政年份:
    1985
  • 负责人:
    井上 正崇
  • 依托单位: