InAs系ヘテロ極微構造における量子輸送現象とデバイス応用
InAs基异质结构中的量子输运现象及器件应用
基本信息
- 批准号:08217217
- 负责人:
- 金额:$ 1.15万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
- 财政年份:1996
- 资助国家:日本
- 起止时间:1996 至 无数据
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
前年度までの研究成果を基礎として、InAs/AlGaSbヘテロ構造のMBE成長の改良を進め、電気的特性の良い2次元電子系の形式について研究を行い、成果を得た。2次元電子濃度の制御方法についても、新しい2重量子井戸構造の利用により研究成果を得た。InAsヘテロ構造をフォトリソグラフィーにより量子細線に加工し、選択エッチングの技術を駆使することにより、比較的均一な100nm〜1μmの線幅をもつ量子細線を作製することができた。その磁気抵抗を極低温で測定した結果、弱い局在によると思われる。負の大きな磁気抵抗を観測した。その磁界依存性が高磁場領域まで見られる結果については、さらに理論的な解析を行う必要がある。これらの指定1次元電子に高電界を印加して、その電子速度の測定を行った。その結果、細線幅が小さく、かつ細線長が増大するにしたがって速度が増大することが分った。これは1次元電子系の電子フォノン相互作用が小さくなるためと考えられ、デバイス応用上重要な結果である。
Before the annual ま で の research based と を し て, InAs/AlGaSb ヘ テ ロ tectonic の MBE growth improved の を into め, good electrical characteristics of 気 の い 2 yuan an electronics の form に つ い て た を を い, achievement. The method for controlling the two-dimensional electron concentration <s:1> is に に て て て <e:1>, and the new <s:1> two-quantum well structure <e:1> utilizes the research results of によ によ to を obtain た. InAs ヘ テ ロ tectonic を フ ォ ト リ ソ グ ラ フ ィ ー に よ り quantum に processing し thin lines, sentaku エ ッ チ ン グ の technology を 駆 make す る こ と に よ り, comparison of homogenous な 100 nm ~ 1 mu m の line width を も つ quantum thread を cropping す る こ と が で き た. Youdaoplaceholder0 そ magnetic resistance を extremely low temperature で determination た た results, weak そ bureau at によると われる. Negative <s:1> large な な magnetic resistance を観 measure た. Magnetic そ の world dependency が high magnetic field ま で see ら れ る results に つ い て は, さ ら に theory analytical line を う な necessary が あ る. Youdaoplaceholder6 れら <s:1> specify the first-dimensional electron に, the high electrical world を, the Inca <s:1> and そ <s:1> electron velocity <e:1> measurement を rows った. そ の results, fine line width が small さ く, か つ thin line long が raised big す る に し た が っ て speed が raised large す る こ と が points っ た. こ れ は 1 yuan an electronics の electronic フ ォ ノ ン が interaction between small さ く な る た め と exam え ら れ, デ バ イ ス 応 applied important な results で あ る.
项目成果
期刊论文数量(10)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
J.Kono et.al: "Terahertz photoresponse of quantum wires in magnetic fields" Proc.ICPS96,Superlatlice and Microstructures. 20. 383-387 (1996)
J.Kono 等人:“磁场中量子线的太赫兹光响应”Proc.ICPS96,超晶格和微结构。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
S.Sasa他: "High field transport properties of InAs/AlGaSb quantum wires" Physica B. 227. 363-366 (1996)
S.Sasa 等人:“InAs/AlGaSb 量子线的高场传输特性”Physica B. 227. 363-366 (1996)
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
Osako et al: "Quantum anti-dot arrays and quantum wire transistors fabricated on InAs/AlGaSb" Semicond.Sci.& Technol.11. 571-575 (1996)
Osako 等人:“在 InAs/AlGaSb 上制造的量子反点阵列和量子线晶体管”Semicond.Sci。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
M.INOUE他: "Low-dimensional electron transport properties in InAs/AlGaSb mesoscopic structures" Superlatlice and Microstructures. 21,1. 1-8 (1996)
M.INOUE 等人:“InAs/AlGaSb 介观结构中的低维电子传输特性”超晶格和微观结构 21,1 (1996)。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
M.Inoue et al: "Quasi-one-dimensional transport and hot electron effects in InAs mesoseopic structures" Hot Carriers in Semiconductors. 251-254 (1996)
M.Inoue 等人:“InAs 介观结构中的准一维输运和热电子效应”半导体中的热载流子。
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- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
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