InAs系ヘテロ極微構造における量子輸送現象とデバイス応用
InAs系ヘテロ極微構造における量子輸送現象とデバイス応用
批准号:
08217217
负责人:
井上 正崇
金额:
$1.15万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份:
1996
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1996 至 --
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英文摘要
前年度までの研究成果を基礎として、InAs/AlGaSbヘテロ構造のMBE成長の改良を進め、電気的特性の良い2次元電子系の形式について研究を行い、成果を得た。2次元電子濃度の制御方法についても、新しい2重量子井戸構造の利用により研究成果を得た。InAsヘテロ構造をフォトリソグラフィーにより量子細線に加工し、選択エッチングの技術を駆使することにより、比較的均一な100nm〜1μmの線幅をもつ量子細線を作製することができた。その磁気抵抗を極低温で測定した結果、弱い局在によると思われる。負の大きな磁気抵抗を観測した。その磁界依存性が高磁場領域まで見られる結果については、さらに理論的な解析を行う必要がある。これらの指定1次元電子に高電界を印加して、その電子速度の測定を行った。その結果、細線幅が小さく、かつ細線長が増大するにしたがって速度が増大することが分った。これは1次元電子系の電子フォノン相互作用が小さくなるためと考えられ、デバイス応用上重要な結果である。
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J.Kono et.al: "Terahertz photoresponse of quantum wires in magnetic fields" Proc.ICPS96,Superlatlice and Microstructures. 20. 383-387 (1996)
J.Kono 等人:“磁场中量子线的太赫兹光响应”Proc.ICPS96,超晶格和微结构。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
S.Sasa他: "High field transport properties of InAs/AlGaSb quantum wires" Physica B. 227. 363-366 (1996)
S.Sasa 等人:“InAs/AlGaSb 量子线的高场传输特性”Physica B. 227. 363-366 (1996)
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Osako et al: "Quantum anti-dot arrays and quantum wire transistors fabricated on InAs/AlGaSb" Semicond.Sci.& Technol.11. 571-575 (1996)
Osako 等人:“在 InAs/AlGaSb 上制造的量子反点阵列和量子线晶体管”Semicond.Sci。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
M.INOUE他: "Low-dimensional electron transport properties in InAs/AlGaSb mesoscopic structures" Superlatlice and Microstructures. 21,1. 1-8 (1996)
M.INOUE 等人:“InAs/AlGaSb 介观结构中的低维电子传输特性”超晶格和微观结构 21,1 (1996)。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
M.Inoue et al: "Quasi-one-dimensional transport and hot electron effects in InAs mesoseopic structures" Hot Carriers in Semiconductors. 251-254 (1996)
M.Inoue 等人:“InAs 介观结构中的准一维输运和热电子效应”半导体中的热载流子。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
InAs系ヘテロ極微構造における量子輸送現象とデバイス応用
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批准号:07227219
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.66万
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财政年份:1995
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负责人:井上 正崇
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依托单位:
InAs系ヘテロ極微構造における量子輸送現象とデバイス応用
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批准号:06238218
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.6万
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财政年份:1994
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负责人:井上 正崇
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依托单位:
半導体2次元電子ガスと超高周波音波との相互作用
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批准号:60212020
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$1.92万
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财政年份:1985
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负责人:井上 正崇
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依托单位:
半導体2次元電子ガスと超高周波音波との相互作用
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批准号:59120007
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$1.15万
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财政年份:1984
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负责人:井上 正崇
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依托单位:
ホットエレクトロン分布関数の実験的導出と半導体能動素子動作に関する基礎研究
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批准号:X00090----455007
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.66万
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财政年份:1979
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负责人:井上 正崇
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依托单位:
電子分布関数の実験的検証と半導体能動素子動作特性に関する基礎的研究
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批准号:X00210----375008
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.26万
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财政年份:1978
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负责人:井上 正崇
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依托单位:
電界変調フォト・ルミネッセンスによるホット・エレクトロン分布関数の実験的考察
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批准号:X00210----275009
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.25万
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财政年份:1977
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负责人:井上 正崇
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依托单位:
GaAS系混晶におけるバンド構造制御とそのホットエレクトロン現象に関する研究
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批准号:X00210----975008
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.19万
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财政年份:1974
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负责人:井上 正崇
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依托单位:
海外基金