InAs系ヘテロ極微構造における量子輸送現象とデバイス応用

InAs基异质结构中的量子输运现象及器件应用

基本信息

  • 批准号:
    08217217
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.15万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 财政年份:
    1996
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1996 至 无数据
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

前年度までの研究成果を基礎として、InAs/AlGaSbヘテロ構造のMBE成長の改良を進め、電気的特性の良い2次元電子系の形式について研究を行い、成果を得た。2次元電子濃度の制御方法についても、新しい2重量子井戸構造の利用により研究成果を得た。InAsヘテロ構造をフォトリソグラフィーにより量子細線に加工し、選択エッチングの技術を駆使することにより、比較的均一な100nm〜1μmの線幅をもつ量子細線を作製することができた。その磁気抵抗を極低温で測定した結果、弱い局在によると思われる。負の大きな磁気抵抗を観測した。その磁界依存性が高磁場領域まで見られる結果については、さらに理論的な解析を行う必要がある。これらの指定1次元電子に高電界を印加して、その電子速度の測定を行った。その結果、細線幅が小さく、かつ細線長が増大するにしたがって速度が増大することが分った。これは1次元電子系の電子フォノン相互作用が小さくなるためと考えられ、デバイス応用上重要な結果である。
Before the annual ま で の research based と を し て, InAs/AlGaSb ヘ テ ロ tectonic の MBE growth improved の を into め, good electrical characteristics of 気 の い 2 yuan an electronics の form に つ い て た を を い, achievement. The method for controlling the two-dimensional electron concentration <s:1> is に に て て て <e:1>, and the new <s:1> two-quantum well structure <e:1> utilizes the research results of によ によ to を obtain た. InAs ヘ テ ロ tectonic を フ ォ ト リ ソ グ ラ フ ィ ー に よ り quantum に processing し thin lines, sentaku エ ッ チ ン グ の technology を 駆 make す る こ と に よ り, comparison of homogenous な 100 nm ~ 1 mu m の line width を も つ quantum thread を cropping す る こ と が で き た. Youdaoplaceholder0 そ magnetic resistance を extremely low temperature で determination た た results, weak そ bureau at によると われる. Negative <s:1> large な な magnetic resistance を観 measure た. Magnetic そ の world dependency が high magnetic field ま で see ら れ る results に つ い て は, さ ら に theory analytical line を う な necessary が あ る. Youdaoplaceholder6 れら <s:1> specify the first-dimensional electron に, the high electrical world を, the Inca <s:1> and そ <s:1> electron velocity <e:1> measurement を rows った. そ の results, fine line width が small さ く, か つ thin line long が raised big す る に し た が っ て speed が raised large す る こ と が points っ た. こ れ は 1 yuan an electronics の electronic フ ォ ノ ン が interaction between small さ く な る た め と exam え ら れ, デ バ イ ス 応 applied important な results で あ る.

项目成果

期刊论文数量(10)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
J.Kono et.al: "Terahertz photoresponse of quantum wires in magnetic fields" Proc.ICPS96,Superlatlice and Microstructures. 20. 383-387 (1996)
J.Kono 等人:“磁场中量子线的太赫兹光响应”Proc.ICPS96,超晶格和微结构。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
S.Sasa他: "High field transport properties of InAs/AlGaSb quantum wires" Physica B. 227. 363-366 (1996)
S.Sasa 等人:“InAs/AlGaSb 量子线的高场传输特性”Physica B. 227. 363-366 (1996)
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Osako et al: "Quantum anti-dot arrays and quantum wire transistors fabricated on InAs/AlGaSb" Semicond.Sci.& Technol.11. 571-575 (1996)
Osako 等人:“在 InAs/AlGaSb 上制造的量子反点阵列和量子线晶体管”Semicond.Sci。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
M.INOUE他: "Low-dimensional electron transport properties in InAs/AlGaSb mesoscopic structures" Superlatlice and Microstructures. 21,1. 1-8 (1996)
M.INOUE 等人:“InAs/AlGaSb 介观结构中的低维电子传输特性”超晶格和微观结构 21,1 (1996)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
M.Inoue et al: "Quasi-one-dimensional transport and hot electron effects in InAs mesoseopic structures" Hot Carriers in Semiconductors. 251-254 (1996)
M.Inoue 等人:“InAs 介观结构中的准一维输运和热电子效应”半导体中的热载流子。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

井上 正崇其他文献

InAs/AlGaSb量子細線を有するT字型3分岐構造における電子輸送特性
InAs/AlGaSb量子线T形三分支结构的电子传输特性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2007
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    小山 政俊;中島 貴史;井上 達也;天野 直樹;前元 利彦;佐々 誠彦;井上 正崇
  • 通讯作者:
    井上 正崇
高周波半導体材料・デバイスの新展開(第11編, 第1章 2.InAs系ヘテロ接合デバイスとMBE成長技術)
高频半导体材料与器件的新进展(第11部分第1章2. InAs基异质结器件和MBE生长技术)
  • DOI:
  • 发表时间:
    2006
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    佐々 誠彦;井上 正崇
  • 通讯作者:
    井上 正崇

井上 正崇的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('井上 正崇', 18)}}的其他基金

InAs系ヘテロ極微構造における量子輸送現象とデバイス応用
InAs基异质结构中的量子输运现象及器件应用
  • 批准号:
    07227219
  • 财政年份:
    1995
  • 资助金额:
    $ 1.15万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
InAs系ヘテロ極微構造における量子輸送現象とデバイス応用
InAs基异质结构中的量子输运现象及器件应用
  • 批准号:
    06238218
  • 财政年份:
    1994
  • 资助金额:
    $ 1.15万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
半導体2次元電子ガスと超高周波音波との相互作用
半导体二维电子气与超高频声波的相互作用
  • 批准号:
    60212020
  • 财政年份:
    1985
  • 资助金额:
    $ 1.15万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Special Project Research
半導体2次元電子ガスと超高周波音波との相互作用
半导体二维电子气与超高频声波的相互作用
  • 批准号:
    59120007
  • 财政年份:
    1984
  • 资助金额:
    $ 1.15万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Special Project Research
ホットエレクトロン分布関数の実験的導出と半導体能動素子動作に関する基礎研究
热电子分布函数实验推导及半导体有源器件工作基础研究
  • 批准号:
    X00090----455007
  • 财政年份:
    1979
  • 资助金额:
    $ 1.15万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
電子分布関数の実験的検証と半導体能動素子動作特性に関する基礎的研究
电子分布函数的实验验证及半导体有源器件工作特性的基础研究
  • 批准号:
    X00210----375008
  • 财政年份:
    1978
  • 资助金额:
    $ 1.15万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
電界変調フォト・ルミネッセンスによるホット・エレクトロン分布関数の実験的考察
电场调制光致发光热电子分布函数的实验研究
  • 批准号:
    X00210----275009
  • 财政年份:
    1977
  • 资助金额:
    $ 1.15万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
GaAS系混晶におけるバンド構造制御とそのホットエレクトロン現象に関する研究
GaAS基混晶能带结构控制及热电子现象研究
  • 批准号:
    X00210----975008
  • 财政年份:
    1974
  • 资助金额:
    $ 1.15万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)

相似海外基金

量子波束動力学と化学反応経路探索の融合:核酸変異における量子効果の解明
量子波包动力学与化学反应路径探索的融合:阐明核酸突变中的量子效应
  • 批准号:
    24K08333
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.15万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
核量子効果がひき起こす第2の液相への冷却融解:ヘリウムの計算機実験による例証
由核量子效应引起的冷却并熔化成第二液相:氦计算机实验的插图
  • 批准号:
    24K08354
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.15万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
量子効果を用いた分割スパース推定アルゴリズムの開発と展開
使用量子效应的分区稀疏估计算法的开发和部署
  • 批准号:
    23K03841
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 1.15万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
金属錯体触媒を基盤としたプロトンの量子効果と反応場の効果の解明:理論と実験の融合
基于金属络合物催化剂阐明质子量子效应和反应场效应:理论与实验的融合
  • 批准号:
    23KJ0336
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 1.15万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
超弦理論およびM理論に基づく重力の量子効果の解明
基于弦理论和M理论阐明引力的量子效应
  • 批准号:
    22K03613
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 1.15万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
強磁性ワイル半金属のトポロジカルおよび量子効果の開拓とスピントロニクス素子応用
铁磁外尔半金属的拓扑效应和量子效应探索及其在自旋电子器件中的应用
  • 批准号:
    22F22037
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 1.15万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
プロトンの量子効果と反応場の能動的制御に立脚した錯体触媒の開発:理論と実験の融合
基于质子量子效应和反应场主动控制的复合催化剂的开发:理论与实验的融合
  • 批准号:
    21J11068
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 1.15万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
水素拡散における表面効果と量子効果の解明
氢扩散中的表面效应和量子效应的阐明
  • 批准号:
    21H04650
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 1.15万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
サブnmギャップを持つメタ表面の量子効果解明と機械学習による高機能化設計
使用机器学习阐明亚纳米间隙超表面的量子效应和高性能设计
  • 批准号:
    20J00449
  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 1.15万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
深層学習を用いたゲージ重力対応における時空創発と重力の量子効果の研究
利用深度学习研究规范重力对应中重力的时空涌现和量子效应
  • 批准号:
    20J20628
  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 1.15万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了