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InAs系ヘテロ極微構造における量子輸送現象とデバイス応用

InAs基异质结构中的量子输运现象及器件应用

基本信息

批准号：
07227219
负责人：
井上正崇
金额：
$ 1.66万
依托单位：
Osaka Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1995
资助国家：
日本
起止时间：
1995 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

InAs/AlGaSbの特徴を生かして、量子効果デバイスを作製することを目的として、研究を行った。前年度から続いて、InAs/AlGaSbの分子線エピタキシャル成長による結晶成長と評価を行った。ヘテロ界面制御の改良とバッファ層の導入により、電子多動度を大きく改善することができた。室温における移動度は28000cm^2/v.sで、77Kにおいては250000cm^2/v.s 4.2kにおいては400000cm^2/v.sに増大した。この結果、平均自由行程は数ミクロン領域に達し、量子効果デバイスの実現に必要な特性を得ることができた。擬1次元電子系の輸送特性について知見を得るため、フォトリソグラフィと電子ビーム露出法を用いて、サブミクロン幅の量子細線を作製した。均一な量子細線の特性を評価する目的で、極佐温において磁気抵抗の測定を行い解析を行った。その結果、実効的な電子のチャネル幅は0.1〜0.2μmまで細くすることに成功した。量子細線にGaAs薄膜を再成長し、ゲート電極を付けてトランジスタを作製したところ、230ms/mmの相互コンダクタンスを示す動作を初めて確認した。超伝導電極をソースとドレイン、電極にもつ超伝導弱結合デバイスの作製についても、研究を行い、InAs/Pb(In)デバイスにおいて初めてトランジスタ特性を確認することに成功した。

InAs/AlGaSb characterization, quantum chemistry, and research In the past year, InAs/AlGaSb molecular lines have been developed. improve that interface control and the introduction of electronic layers, improve the electronic mobility The room temperature is 28000cm^2/v.s, 77K, 25000cm^2/v.s, 4.2K, 40000cm^2/v. s. The result is that the average free path is equal to the field, and the quantum effect is equal to the necessary characteristic. The transport properties of quasi-one-dimensional electron systems are known to be obtained by using the electron exposure method, and quantum fine wires of different amplitudes are fabricated. For the purpose of evaluating the properties of uniform quantum wires, the determination of magnetic resistance at high temperatures and the analysis of magnetic resistance. As a result, the electron propagation amplitude of the electron beam was 0.1 ~ 0.2μm. The quantum fine wire GaAs thin film is grown again, and the electrode is controlled at 230ms/mm for initial confirmation. Superconductivity electrode, electrode, superconductivity weak bond, electrode, electrode