電場放射顕微鏡によるSi表面上へのAlの吸着の研究
電場放射顕微鏡によるSi表面上へのAlの吸着の研究
场发射显微镜研究硅表面铝吸附
批准号：
59750018
负责人：
奥野 公夫
金额：
$0.58万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1984
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1984 至 --
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会议论文
半導体-金属原子界面層の電界放射・イオン顕微鏡による評価
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批准号：07225222
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额：$0.51万
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财政年份：1995
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负责人：奥野 公夫
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依托单位：
半導体-金属原子界面層の電界放射・イオン顕微鏡による評価
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批准号：06236225
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额：$0.32万
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财政年份：1994
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负责人：奥野 公夫
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依托单位：
半導体-金属原子界面層の電界放射・イオン顕微鏡による評価
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批准号：05245217
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额：$0.83万
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财政年份：1993
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负责人：奥野 公夫
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依托单位：