权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

半導体-金属原子界面層の電界放射・イオン顕微鏡による評価

使用场发射和离子显微镜评估半导体-金属原子界面层

基本信息

批准号：
07225222
负责人：
奥野公夫
金额：
$ 0.51万
依托单位：
Nagasaki Institute of Applied Science
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1995
资助国家：
日本
起止时间：
1995 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

当研究課題では個々の原子のトンネル物性の立場から、下地金属表面上に真空蒸着されたSi単原子層の吸着構造、電子状態Si-属界面での構造及び界面反応化過程について電界放射・イオン顕微鏡法(FEM-FIM)により原子分解能で調べられた。下地金属(W,Ta,Mo)表面上へのSiの低温蒸着(〜50K)に於いては、Si単原子層は疑似形態の構造を形成し、仕事関数は何れも〜0.3eV増加する。更に、Si蒸着層と下地原子との界面反応がFIMによる電界脱離過程とFEMによる仕事関数の変化から調べられた。Si単原子の疑似形態層は下地W,Mo原子の蒸発電圧(V_0)に対して、脱離電圧V/V_0>0.9で急激な脱離が始まり、V/V_0=0.96-0.98でSi原子の全てが脱離し下地の原子配列構造は現れ、下地Wの原子配列構造は乱れていない。つまり、Siの低温蒸着ではSiと下地原子との界面は反応は認められない。Si/Wを〜900Kでの加熱の下では、バルクシリサイド構造では無いが多くの明るい輝点を持った、界面反応による1〜2原子層厚と思われる表面シリサイド層形成によるFIM像が観察された。この時の仕事関数はSi低温時の値4.8eVに対して4.6-4.7eVを得た。過熱により形成された表面シリサイド層はV/V_0=0.98-0.99で殆どのSiが脱離し、下地Wの原子配列構造が現れるが、下地との界面反応によって少し乱れてる。しかし、完全な下地の配列構造はWの下地の1〜2原子層の電界蒸発後に現れた。更に、各脱離電圧強度(V/V_0)に対するSi/Wの仕事関数の変化が測定された。これらSi-金属系のよりミクロな電子的情報を探るために電界放射エネルギー分析器(Field Emission Energy spectroscopy)を構築中であるが現在のところ当装置によるデータの収集までには至っていない。

When the research topic is about the position of atomic physical properties, the adsorption structure of Si single atomic layer, the electronic state of Si-metal interface and the interface inversion process, the electric field emission, the micro-mirror method (FEM-FIM) and the atomic decomposition energy modulation on the underlying metal surface. Low temperature evaporation (~ 50K) of Si on the surface of lower metals (W,Ta,Mo) results in the formation of structures with suspected morphology in the Si single atomic layer, and the number of factors increases by ~ 0.3 eV. In addition, the interface reaction between the Si vapor layer and underlying atoms is closely related to the electrical boundary detachment process in FIM and the changes in the parameters in FEM. Si atoms in the suspected morphologic layer are separated from W and Mo atoms by evaporation voltage (V_0), desorption voltage V/V_0>0.9, rapid dissociation initiation, V/V_0 =0.96-0.98, complete dissociation of Si atoms, and the formation of W atoms in the lower atom. Si and Si are steamed at low temperature, and Si atoms under the surface are reflected at the interface. Si/W ~ 900K heating under the structure, no more than a bright spot, interface reflection, 1 ~ 2 atomic layer thickness, surface layer formation, image detection This time factor is 4.8eV for Si at low temperature and 4.6-4.7eV for Si at low temperature. Overheating results in the formation of surface layer V/V_0=0.98-0.99, almost Si separation, lower W atom arrangement structure, lower interface inversion. The arrangement structure below the ground is completely formed after the evaporation of 1 ~ 2 atomic layers of electricity below the ground. In addition, the Si/W dependence of the separation voltage intensity (V/V_0) was determined. In the construction of the Field Emission Energy spectrometer, the Si-metal system is used to detect the electron information.