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フォトルミネッセンス法を用いた半導体表面の残留応力分布の精密測定

フォトルミネッセンス法を用いた半導体表面の残留応力分布の精密測定
利用光致发光法精确测量半导体表面残余应力分布
批准号:
59750230
负责人:
安武 潔
金额:
$0.58万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份:
1984
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1984 至 --
关键词:

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大気圧プラズマを用いた機能性界面創生によるSi表面パッシベーション技術の開発
  • 批准号:
    21656039
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
  • 资助金额:
    $1.98万
  • 财政年份:
    2009
  • 负责人:
    安武 潔
  • 依托单位:
インライン対応シリコン低温選択エビ技術の開発
  • 批准号:
    18656046
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
  • 资助金额:
    $1.98万
  • 财政年份:
    2006
  • 负责人:
    安武 潔
  • 依托单位:
粒界拡散を利用した多結晶シリコンの電気特性制御に関する研究
  • 批准号:
    03750558
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 资助金额:
    $0.58万
  • 财政年份:
    1991
  • 负责人:
    安武 潔
  • 依托单位:
GaAs単結晶中の部分転位の運動に関する研究
  • 批准号:
    61750279
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 资助金额:
    $0.51万
  • 财政年份:
    1986
  • 负责人:
    安武 潔
  • 依托单位: