权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

大気圧プラズマを用いた機能性界面創生によるSi表面パッシベーション技術の開発

利用常压等离子体创建功能界面开发硅表面钝化技术

基本信息

批准号：
21656039
负责人：
安武潔
金额：
$ 1.98万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2009
资助国家：
日本
起止时间：
2009 至 2010
项目状态：
已结题

项目摘要

薄型Si太陽電池の実現には、光閉じ込め技術に加えて、キャリアの表面再結合を抑制するパッシベーション技術が鍵となる。p型Si表面のパッシベーションには、負の固定電荷をもつ絶縁膜が有効であり、Al_2O_3薄膜がその可能性を有している。本研究では、p型si表面のパッシベーションに有効なAl_2O_3/極薄SiO_2/Si構造の形成条件を明らかにすることにより、高効率Si太陽電池製造に必要なAl_2O_3薄膜の低温・高速形成プロセスを開発する。(1)大気圧プラズマによるSiおよびAlの酸化特性を調べた結果、400℃でのSi酸化速度は、1000℃ドライ熱酸化と同等であること、Al酸化速度はSiの1/2程度であり、熱酸化に比べ高速であることが分かった。(2)大気圧プラズマ酸化によるSiO_2膜は、高温熱酸化膜と同等の品質であり、SiO_2/Si界面準位密度はD_<it>=2×10^<10>cm^<-2>eV^<-1>であった。一方、正の固定電荷密度が高い(Q_f=5.3×10^<12>cm^<-2>)ため、n型Si表面のパッシベーションに有効であり、非常に低い表面再結合速度(S_<eff>80cm/s)を実現した。(3)Al/Si構造を大気圧プラズマ酸化することにより作製したAlO_x/Si構造は、負のQ_fを有するが、界面特性が十分でなかったため、Al_2O_3/SiO_2/Si構造を形成した。SiO_2が厚い場合、正のQ_fを示すが、SiO_2膜厚の減少とともに負のQ_fが増加することが分かった。(4)Al_2O_3/薄いSiO_2/Si構造により、D_<it>=9×10^<10>cm^<-2>eV^<-1>,負のQ_f=5.4×10^<12>cm^<-2>,S_<eff>=260cm/sが得られた。S_<eff>は、HF処理による915cm/sに比べてかなり低く、本方法で形成したAl_2O_3/SiO_2/Si構造が、p型Si表面パッシベーションに有効であることが示された。

The thin SiTe battery can be used, the optical technology will be added, and the surface of the thin SiTe battery will be combined with the suppression device. On the surface of p-type Si, there is an increase in the temperature of the film with fixed charge, and the possibility that the Al_2O_3 film may be affected. In this study, it is necessary to fabricate Al_2O_3 films at low temperature and high speed on the surface of p-type si. In this study, the formation conditions of thin SiO_2/Si thin films on the surface of p-type Al_2O_3 thin films are very sensitive, high temperature, high temperature and high temperature. The main results are as follows: (1) the results of Si acidizing characteristics, Si acidizing rate, 1000 ℃ Si acidizing rate, Al acidizing rate, Al acidizing rate, high speed acidizing speed, temperature, temperature, (2) High temperature acidizing process, high temperature acidizing film, high temperature acidizing film, SiO_2/Si interface alignment density, lt;10> cm^ & lt;-2> EV ^ & lt;-1> interface alignment density. On the one hand, the positive fixed charge density is high (Q_f=5.3 × 10 ^ & lt;12> cm ^ & lt;-2>), the n-type Si surface temperature is sensitive, and the very low surface recombination speed is 80 cm. (3) Al/Si is used to make AlO_x/Si, Q _ f, interface properties are very sensitive, and Al_2O_3/SiO_2/Si is widely used. SiO_2 thickness, positive Q _ f, SiO_2 film thickness, Q _ f, Q _ f and Q _ f. (4) Al_2O_3/ thin SiO _ 2/Si to create a thin film, lt;-2> thin Sio _ 2/Si to make a movie, and a lt;-2>,S_<eff>=260cm/s to make a movie about 9 × 10 ^ & lt;12> cm5.4x10 ^ & lt;12> cm5.4x10 ^ & lt;12> cm5.4x10 ^. In this method, it is possible to fabricate aluminum 2O_3/SiO_2/Si, and the surface of p-type Si has been fabricated. The surface of p-type Si shows that it is not safe to use this method.