ナノスケール閉じ込みビットを用いた超高密度光記録媒体の研究

本研究は下地基板上にナノスケールの微細加工を施し、その上に光記録媒体を創製し、微細加工領域の磁化挙動が未加工領域のそれと異なることを利用して、超高密度光記録を実現することを目的としている。本研究は特に光-磁気記録媒体GdTbFeCo薄膜を用いて、再生専用高密度記録(MO-ROM)を780nmを用いて実現することを狙いとしている。前年度に引き続き、記録媒体作製条件の最適化、特に抗磁力エンハンスメントの最適化条件の決定をする為の実験を行った。又、エンハンスメント機構の解明及び記録再生特性の実験・シュミレーションを行った。その結果以下の成果をあげることができた。1) 抗磁力エンハンスメントの最適条件としてCF_4ガス分圧の値を決定できた。(約2mTorr)2) 抗磁力エンハンスメント機構として解析を行った結果、ピンニング効果は表面粗さの平均波長が磁壁幅(〜10nm)とほぼ同程度である時に最大になることからエンハンスメントはピンニング効果によるものと結論づけられる。3) このようにして得られた記録媒体について波長780nmにて記録再生実験を行った。その記録再生信号の観測波形とシュミレーション結果とを比較した結果、本研究提案のMO-ROMの動作原理が確認できた。又マークサイズ0.4μmの記録ビットについて約30dB以上の信号(30KHz)を得ることに成功した。これらの結果は本方式により更に小さなマークサイズに対しても充分な信号対雑音比を得ることができる可能性を示している。

本研究は下地基板上にナノスケールの微細加工を施し、その上に光記録媒体を創製し、微細加工領域の磁化挙動が未加工領域のそれと異なることを利用して、超高密度光記録を実現することを目的としている。本研究は特に光-磁気記録媒体GdTbFeCo薄膜を用いて、再生専用高密度記録(MO-ROM)を780nmを用いて実現することを狙いとしている。前年度に引き続き、記録媒体作製条件の最適化、特に抗磁力エンハンスメントの最適化条件の決定をする為の実験を行った。又、エンハンスメント機構の解明及び記録再生特性の実験・シュミレーションを行った。その結果以下の成果をあげることができた。1) 抗磁力エンハンスメントの最適条件としてCF_4ガス分圧の値を決定できた。(約2mTorr)2) 抗磁力エンハンスメント機構として解析を行った結果、ピンニング効果は表面粗さの平均波長が磁壁幅(〜10nm)とほぼ同程度である時に最大になることからエンハンスメントはピンニング効果によるものと結論づけられる。3) このようにして得られた記録媒体について波長780nmにて記録再生実験を行った。その記録再生信号の観測波形とシュミレーション結果とを比較した結果、本研究提案のMO-ROMの動作原理が確認できた。又マークサイズ0.4μmの記録ビットについて約30dB以上の信号(30KHz)を得ることに成功した。これらの結果は本方式により更に小さなマークサイズに対しても充分な信号対雑音比を得ることができる可能性を示している。