原子層MOCVD法による高温超伝導薄膜デバイスに関する研究
原子層MOCVD法による高温超伝導薄膜デバイスに関する研究
原子层MOCVD法高温超导薄膜器件研究
批准号：
97J04348
负责人：
山本 修一郎
金额：
$0.58万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
1998
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1998 至 --
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会议论文
IoTデバイス向け低電圧・不揮発性SRAMの研究開発
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批准号：20K11730
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$2.66万
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财政年份：2020
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负责人：山本 修一郎
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依托单位：
強誘電体ゲートトランジスタを用いた不揮発性メモリの回路構成による高性能化の研究
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批准号：14750256
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额：$2.11万
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财政年份：2002
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负责人：山本 修一郎
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依托单位：