IoTデバイス向け低電圧・不揮発性SRAMの研究開発
用于物联网设备的低电压、非易失性SRAM的研发
基本信息
- 批准号:20K11730
- 负责人:
- 金额:$ 2.66万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2020
- 资助国家:日本
- 起止时间:2020-04-01 至 2024-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
本研究課題では,IoTデバイス等,低電圧駆動・低消費電力CMOSロジックシステムに搭載が可能な不揮発性SRAM(NV-SRAM)の研究開発を行う.強磁性トンネル接合(MTJ)をSRAMセルに悪影響を及ぼさないように接続したNV-SRAMセルを構成し,低電圧駆動による大幅な動的消費エネルギーの削減と,さらに不揮発記憶を用いたパワーゲーティング(PG)による待機時電力の削減が可能な回路・アーキテクチャ技術を開発する.MTJへの書き込みエネルギーを大幅に削減できるアーキテクチャを開発して,PGの時間的細粒度化を行い,高効率に待機時電力を削減できるNV-SRAMの基盤技術を構築する.本年度は,NV-SRAMの低電圧CMOSロジック応用を目指し,NV-SRAMの低電圧駆動による動作時電力の削減効果の検討と,低電圧駆動時におけるPGアーキテクチャの開発を行った.デバイスにはFinFETを用いた.FinFETに適合させたNV-SRAMセルの設計アルゴリズムを用いて,最適設計されたNV-SRAMセルの低電圧駆動性能とPG性能の評価を行った.
This research project is aimed at the development of low voltage and low power CMOS technology with NV-SRAM. Ferromagnetic junction (MTJ) SRAM structure, low voltage switching, high voltage switching, low voltage switching In addition, the development of standby power reduction technology for non-volatile memory applications, such as PG, standby power reduction, high efficiency, NV-SRAM substrate technology, and the development of MTJ technology for greatly reducing standby power reduction. During the year, NV-SRAM low voltage CMOS switching applications were targeted, power reduction effects during NV-SRAM low voltage switching operations were discussed, and PG switching during low voltage switching operations was developed. FinFET is suitable for NV-SRAM design. Low voltage dynamic performance and PG performance evaluation of NV-SRAM design are optimized for FinFET.
项目成果
期刊论文数量(6)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
ニアスレッショルド電圧駆動ULVR-SRAMのパワーゲーティング性能
近阈值电压驱动 ULVR-SRAM 的功率门控性能
- DOI:
- 发表时间:2022
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Matsuoka;K.;Tsuchida;J.;Okabe;M. and Yadohisa;H.;加藤岳人,塩津勇作,山本修一郎,菅原聡
- 通讯作者:加藤岳人,塩津勇作,山本修一郎,菅原聡
FinFETを用いた低電圧駆動不揮発性SRAM (NV-SRAM)の設計
使用 FinFET 设计低压非易失性 SRAM (NV-SRAM)
- DOI:
- 发表时间:2022
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Tomohiro Ishii;Donghyun Kwon and Kazuteru Namba;竹村祐亮,石岡文生,栗原考次;S. Shimizu;佐藤 充,髙井 伸和;Tomohiro Shinozaki;Ueki M;山崎修,塩津勇作,山本修一郎,菅原聡
- 通讯作者:山崎修,塩津勇作,山本修一郎,菅原聡
ニアスレッショルド電圧動作超低電圧リテンションSRAMの設計と性能解析
近阈值电压工作超低电压保持SRAM的设计与性能分析
- DOI:
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:SUZUKI Daisuke;OKA Takahiro、HANYU Takahiro;Keisuke Kozu and Kazuteru Namba;原拓実,塩津勇作,山本修一郎,菅原聡
- 通讯作者:原拓実,塩津勇作,山本修一郎,菅原聡
ニアスレッショルド電圧動作ULVR-SRAMセルの設計
近阈值电压操作 ULVR-SRAM 单元的设计
- DOI:
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Aya Kuchiba;Tomohiro Shinozaki;益居 秀,佐藤 美佳;原拓実,吉田隼,塩津勇作,山本修一郎,菅原聡
- 通讯作者:原拓実,吉田隼,塩津勇作,山本修一郎,菅原聡
ニアスレッショルド電圧動作ULVR-SRAMマクロの設計と解析
近阈值电压操作ULVR-SRAM宏的设计与分析
- DOI:
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Kosuke Inoue;Atsushi Goto;Naoki Kondo;and Tomohiro Shinozaki;島崎秀昭;原拓実,塩津勇作,山本修一郎,菅原聡
- 通讯作者:原拓実,塩津勇作,山本修一郎,菅原聡
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