Research on development of new type-II hetero materials and device applications
Research on development of new type-II hetero materials and device applications
新型II型异质材料开发及器件应用研究
批准号：
26420279
负责人：
Nomura Ichirou
金额：
$3.33万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-04-01 至 2017-03-31
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DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2015.02.042
发表时间：
2015-09
期刊：
Journal of Crystal Growth
影响因子：
1.8
作者：
[Shingo Takamatsu;I. Nomura;Tomohiro Shiraishi;K. Kishino]
通讯作者：
Shingo Takamatsu;I. Nomura;Tomohiro Shiraishi;K. Kishino
InP基板上Ⅱ-Ⅵ族半導体レーザのための酸化インジウムスズpクラッド層の検討
InP基片II-VI族半导体激光器氧化铟锡p包层的研究
InP基片II-VI族半导体激光器氧化铟锡p包层的研究
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Koji Fukushima, Tomohiro Shiraishi, Ryohei Kobayashi, Katsumi Kishino, and Ichirou Nomura, 小林亮平，野村一郎，高松眞吾，白石智裕，福島浩二，岸野克巳, 福島浩二，野村一郎，白石智裕，高松眞吾，小林亮平，岸野克巳]
通讯作者：
福島浩二，野村一郎，白石智裕，高松眞吾，小林亮平，岸野克巳
Investigation of yellow/green II-VI compound semiconductor laser diode structures on InP substrates
InP 衬底上黄/绿 II-VI 化合物半导体激光二极管结构的研究
InP 衬底上黄/绿 II-VI 化合物半导体激光二极管结构的研究
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
physica status solidi
影响因子：
--
作者：
[Ryohei Kobayashi, Shingo Takamatsu, Koji Fukushima, Katsumi Kishino, and Ichirou Nomura]
通讯作者：
and Ichirou Nomura
Proposal of applying indium tin oxide to p-cladding layers of green/yellow II-VI compound semiconductor laser diode structures
将氧化铟锡应用于绿色/黄色II-VI族化合物半导体激光二极管结构的p包层的提案
将氧化铟锡应用于绿色/黄色II-VI族化合物半导体激光二极管结构的p包层的提案
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Tomohiro Shiraishi, Ichirou Nomura, Shingo Takamatsu, and Katsumi Kishino]
通讯作者：
and Katsumi Kishino
InP基板上II-VI族半導体光デバイスのp側電極抵抗低減に向けたコンタクト層及び電極材料の検討
InP衬底上降低II-VI族半导体光器件p侧电极电阻的接触层和电极材料研究
InP衬底上降低II-VI族半导体光器件p侧电极电阻的接触层和电极材料研究
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Tomohiro Shiraishi, Ichirou Nomura, Shingo Takamatsu, and Katsumi Kishino, 高松眞吾，野村一郎，白石智裕，岸野克巳]
通讯作者：
高松眞吾，野村一郎，白石智裕，岸野克巳
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