Research on development of new type-II hetero materials and device applications

新型II型异质材料开发及器件应用研究

• 批准号: 26420279
• 负责人: Nomura Ichirou
• 金额: $ 3.33万
• 依托单位: Sophia University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2014
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2014-04-01 至 2017-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-26420279/
• 关键词: InP基板; Ⅱ-Ⅵ族化合物半導体; タイプⅡヘテロ材料; 分子線エピタキシー; 伝導帯バンド不連続; 光デバイス; 共鳴トンネルダイオード; 負性抵抗; 負性微分抵抗; クラッド層; ショットキー; 分子線エピタキシー法; タイプⅡ超格子; 光吸収スペクトル; 光起電力; バンド不連続; レーザ; キャリア注入; ヘテロ界面; ダイオード; サブバンド間遷移; フォトルミネッセンス; ドーピング制御

项目成果

Investigation of p-side contact layers for II-VI compound semiconductor optical devices fabricated on InP substrates by MBE

• DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2015.02.042
• 发表时间: 2015-09
• 期刊: Journal of Crystal Growth
• 影响因子: 1.8
• 作者: Shingo Takamatsu;I. Nomura;Tomohiro Shiraishi;K. Kishino

InP基板上Ⅱ-Ⅵ族半導体レーザのための酸化インジウムスズpクラッド層の検討

InP基片II-VI族半导体激光器氧化铟锡p包层的研究

• 发表时间: 2015
• 作者: Koji Fukushima;Tomohiro Shiraishi;Ryohei Kobayashi;Katsumi Kishino;and Ichirou Nomura;小林亮平，野村一郎，高松眞吾，白石智裕，福島浩二，岸野克巳;福島浩二，野村一郎，白石智裕，高松眞吾，小林亮平，岸野克巳
• 通讯作者: 福島浩二，野村一郎，白石智裕，高松眞吾，小林亮平，岸野克巳

Investigation of yellow/green II-VI compound semiconductor laser diode structures on InP substrates

InP 衬底上黄/绿 II-VI 化合物半导体激光二极管结构的研究

• 发表时间: 2016
• 期刊: physica status solidi
• 作者: Ryohei Kobayashi;Shingo Takamatsu;Koji Fukushima;Katsumi Kishino;and Ichirou Nomura
• 通讯作者: and Ichirou Nomura

Proposal of applying indium tin oxide to p-cladding layers of green/yellow II-VI compound semiconductor laser diode structures

将氧化铟锡应用于绿色/黄色II-VI族化合物半导体激光二极管结构的p包层的提案

• 发表时间: 2014
• 作者: Tomohiro Shiraishi;Ichirou Nomura;Shingo Takamatsu;and Katsumi Kishino
• 通讯作者: and Katsumi Kishino

InP基板上Ⅱ-Ⅵ族半導体レーザに向けたpクラッド層材料の検討

InP衬底II-VI族半导体激光器p包层材料的研究

• 发表时间: 2015
• 作者: Koji Fukushima;Tomohiro Shiraishi;Ryohei Kobayashi;Katsumi Kishino;and Ichirou Nomura;小林亮平，野村一郎，高松眞吾，白石智裕，福島浩二，岸野克巳
• 通讯作者: 小林亮平，野村一郎，高松眞吾，白石智裕，福島浩二，岸野克巳