Development of fundamental technology for the fabrication of flexible solution-processable organic transistor memories
Development of fundamental technology for the fabrication of flexible solution-processable organic transistor memories
开发用于制造柔性溶液加工有机晶体管存储器的基础技术
批准号：
26420276
负责人：
Nagase Takashi
金额：
$3.33万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-04-01 至 2017-03-31
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Effect of light illumination on solution-processed top-gate organic transistor memory devices with soluble fullerene-polymer charge storage layers
光照对具有可溶性富勒烯聚合物电荷存储层的溶液处理顶栅有机晶体管存储器件的影响
光照对具有可溶性富勒烯聚合物电荷存储层的溶液处理顶栅有机晶体管存储器件的影响
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[F. Shiono, T. Nagase, T. Kobayashi, and H. Naito]
通讯作者：
and H. Naito
Fabrication of vertical molecular junction devices with conductive polymer contacts using a peeling method
使用剥离法制造具有导电聚合物触点的垂直分子结器件
使用剥离法制造具有导电聚合物触点的垂直分子结器件
DOI：
10.1166/jnn.2016.12278
发表时间：
2016
期刊：
Journal of Nanoscience Nanotechnology
影响因子：
--
作者：
[Y. Konishi, T. Nagase, T. Kobayashi, R. Ueda, T. Terui, A. Otomo, and H. Naito]
通讯作者：
and H. Naito
DOI：
10.1088/1742-6596/924/1/012008
发表时间：
2017-11
期刊：
Journal of Physics: Conference Series
影响因子：
--
作者：
[T. Nagase;S. Abe;Takashi Kobayashi;Y. Kimura;Azusa Hamaguchi;Y. Ikeda;H. Naito]
通讯作者：
T. Nagase;S. Abe;Takashi Kobayashi;Y. Kimura;Azusa Hamaguchi;Y. Ikeda;H. Naito
Development of organic floating-gate nonvolatile transistor memory based on solution-processed organic films
基于溶液加工有机薄膜的有机浮栅非易失性晶体管存储器的开发
基于溶液加工有机薄膜的有机浮栅非易失性晶体管存储器的开发
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[F. Shiono, T. Nagase, T. Kobayashi, and H. Naito]
通讯作者：
and H. Naito
Organic ｆloating-ｇate ｔransistor ｍemory ｂased on ｓolution-ｐrocessed organic films
基于溶液处理有机薄膜的有机浮栅晶体管存储器
基于溶液处理有机薄膜的有机浮栅晶体管存储器
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
Proceedings of the International Display Workshops
影响因子：
--
作者：
[F. Shiono, T. Nagase, T. Kobayashi, and H. Naito]
通讯作者：
and H. Naito
共 14 条