Nanofabrication of semiconductors based on Voronoi tessellation in two-dimensional space
二维空间中基于 Voronoi 镶嵌的半导体纳米加工
基本信息
- 批准号:26420744
- 负责人:
- 金额:$ 3.24万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2014
- 资助国家:日本
- 起止时间:2014-04-01 至 2017-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(14)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
種々のエッチャントを用いたGaAsの湿式エッチング
使用各种蚀刻剂对 GaAs 进行湿法蚀刻
- DOI:
- 发表时间:2014
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:S. Ono;阿相英孝,小野幸子;大野宗一;伊藤大喜,阿相英孝,小野幸子
- 通讯作者:伊藤大喜,阿相英孝,小野幸子
金属触媒エッチングによるGaAsナノピラーの作製
金属催化蚀刻制备砷化镓纳米柱
- DOI:
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:G. Sasaki;T. Hirose;K. Sugio;Y. B. Choi;K. Matsugi;Ryo Amane and Hirofumi Inoue;今井涼太,橋本英樹,阿相英孝
- 通讯作者:今井涼太,橋本英樹,阿相英孝
Fabrication of nanostructured semiconductor surfaces using anodic porous alumina and metal-assisted chemical etching
使用阳极多孔氧化铝和金属辅助化学蚀刻制造纳米结构半导体表面
- DOI:
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:H. Asoh;H. Hashimoto and S. Ono
- 通讯作者:H. Hashimoto and S. Ono
Fabrication of InP Microhole Arrays by Site-selective Anodic Etching and Subsequent Chemical Etching
通过选点阳极蚀刻和后续化学蚀刻制造 InP 微孔阵列
- DOI:
- 发表时间:2014
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:山田将大;入谷英司;H. Asoh and S. Ono
- 通讯作者:H. Asoh and S. Ono
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
Asoh Hidetaka其他文献
Bright greenish-yellow pigments based on Sc2-xFexO3 solid solutions with bixbyite structure
基于具有方铁锰矿结构的 Sc2-xFexO3 固溶体的亮绿黄色颜料
- DOI:
10.1016/j.materresbull.2018.09.035 - 发表时间:
2019 - 期刊:
- 影响因子:5.4
- 作者:
Hashimoto Hideki;Sayo Kotaro;Asoh Hidetaka;Fujii Tatsuo;Takano Mikio;Masuno Atsunobu - 通讯作者:
Masuno Atsunobu
パルスレーザー堆積法により作製したSiCN薄膜の構造と機械的性質
脉冲激光沉积法制备SiCN薄膜的结构与力学性能
- DOI:
- 发表时间:
2022 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Asoh Hidetaka;Mizota Kanako;Kokubo Yuuka;河原碩仁 ・ 伊藤公秀 ・ 青井芳史 ・ 野瀬正照 - 通讯作者:
河原碩仁 ・ 伊藤公秀 ・ 青井芳史 ・ 野瀬正照
Asoh Hidetaka的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('Asoh Hidetaka', 18)}}的其他基金
Systematic understanding and application of chemical etching of compound semiconductors
化合物半导体化学刻蚀的系统理解与应用
- 批准号:
17K06866 - 财政年份:2017
- 资助金额:
$ 3.24万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)














{{item.name}}会员




