Nanofabrication of semiconductors based on Voronoi tessellation in two-dimensional space
Nanofabrication of semiconductors based on Voronoi tessellation in two-dimensional space
批准号:
26420744
负责人:
Asoh Hidetaka
金额:
$3.24万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份:
2014
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2014-04-01 至 2017-03-31
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種々のエッチャントを用いたGaAsの湿式エッチング
使用各种蚀刻剂对 GaAs 进行湿法蚀刻
DOI:
--
发表时间:
2014
期刊:
影响因子:
--
作者:
[S. Ono, 阿相英孝,小野幸子, 大野宗一, 伊藤大喜,阿相英孝,小野幸子]
通讯作者:
伊藤大喜,阿相英孝,小野幸子
金属触媒エッチングによるGaAsナノピラーの作製
金属催化蚀刻制备砷化镓纳米柱
DOI:
--
发表时间:
2016
期刊:
影响因子:
--
作者:
[G. Sasaki, T. Hirose, K. Sugio, Y. B. Choi, K. Matsugi, Ryo Amane and Hirofumi Inoue, 今井涼太,橋本英樹,阿相英孝]
通讯作者:
今井涼太,橋本英樹,阿相英孝
Fabrication of nanostructured semiconductor surfaces using anodic porous alumina and metal-assisted chemical etching
使用阳极多孔氧化铝和金属辅助化学蚀刻制造纳米结构半导体表面
DOI:
--
发表时间:
2016
期刊:
影响因子:
--
作者:
[H. Asoh, H. Hashimoto and S. Ono]
通讯作者:
H. Hashimoto and S. Ono
工学院大学 先進工学部 応用化学科 無機表面化学研究室
工学院大学先端工学部应用化学系无机表面化学实验室
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Fabrication of InP Microhole Arrays by Site-selective Anodic Etching and Subsequent Chemical Etching
通过选点阳极蚀刻和后续化学蚀刻制造 InP 微孔阵列
DOI:
--
发表时间:
2014
期刊:
影响因子:
--
作者:
[山田将大, 入谷英司, H. Asoh and S. Ono]
通讯作者:
H. Asoh and S. Ono
共 14 条
Systematic understanding and application of chemical etching of compound semiconductors
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批准号:17K06866
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$3.0万
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财政年份:2017
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负责人:Asoh Hidetaka
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依托单位: