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Systematic understanding and application of chemical etching of compound semiconductors
化合物半导体化学刻蚀的系统理解与应用
基本信息
- 批准号：17K06866
- 负责人：
- 金额：$ 3万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2017
- 资助国家：日本
- 起止时间：2017-04-01 至 2020-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Ⅲ－Ⅴ族化合物半導体のアノードエッチング
III-V族化合物半导体的阳极蚀刻
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Hayakawa K.;Nakamura T.;阿相英孝，小野幸子
- 通讯作者：阿相英孝，小野幸子
シリコンの化学エッチングに対する炭素系触媒の影響
碳基催化剂对硅化学刻蚀的影响
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T. Uemori;T. Naka;N. Tada;H. Yoshimura;T. Katahira;F. Yoshida;関戸大智，川澄諒，橋本英樹，阿相英孝
- 通讯作者：関戸大智，川澄諒，橋本英樹，阿相英孝
HF-KMnO4混合液を用いたGaAsの金属触媒エッチング
使用 HF-KMnO4 混合物金属催化蚀刻 GaAs
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：R. Imai;H. Hashimoto and H. Asoh;原田崇史，早川邦夫，久保田義弘，和久田顕人;今井涼太，橋本英樹，阿相英孝
- 通讯作者：今井涼太，橋本英樹，阿相英孝
アノードエッチングを用いた化合物半導体の微細加工
使用阳极蚀刻进行化合物半导体的微加工
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Kazunari Yoshida;Shintaro Takamiya;藤井 達也，早川 邦夫，原田 崇史，成田 忍，久保田 義弘;阿相英孝
- 通讯作者：阿相英孝
Chemical Etching of GaAs using Au Nanodots as a Catalyst
使用 Au 纳米点作为催化剂对 GaAs 进行化学蚀刻
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：R. Imai;H. Hashimoto and H. Asoh
- 通讯作者：H. Hashimoto and H. Asoh
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Bright greenish-yellow pigments based on Sc2-xFexO3 solid solutions with bixbyite structure
基于具有方铁锰矿结构的 Sc2-xFexO3 固溶体的亮绿黄色颜料
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Hashimoto Hideki;Sayo Kotaro;Asoh Hidetaka;Fujii Tatsuo;Takano Mikio;Masuno Atsunobu - 通讯作者：
Masuno Atsunobu
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- 发表时间：
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- 影响因子：0
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河原碩仁 ・ 伊藤公秀 ・ 青井芳史 ・ 野瀬正照
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$ 3万 - 项目类别：
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$ 3万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (A)
Development of Wet Type Electrostatic Precipitator Using a Mist Formation
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