Systematic understanding and application of chemical etching of compound semiconductors
Systematic understanding and application of chemical etching of compound semiconductors
化合物半导体化学刻蚀的系统理解与应用
批准号：
17K06866
负责人：
Asoh Hidetaka
金额：
$3.0万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2017-04-01 至 2020-03-31
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Ⅲ－Ⅴ族化合物半導体のアノードエッチング
III-V族化合物半导体的阳极蚀刻
III-V族化合物半导体的阳极蚀刻
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
表面技術
影响因子：
--
作者：
[Hayakawa K., Nakamura T., 阿相英孝，小野幸子]
通讯作者：
阿相英孝，小野幸子
シリコンの化学エッチングに対する炭素系触媒の影響
碳基催化剂对硅化学刻蚀的影响
碳基催化剂对硅化学刻蚀的影响
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T. Uemori, T. Naka, N. Tada, H. Yoshimura, T. Katahira, F. Yoshida, 関戸大智，川澄諒，橋本英樹，阿相英孝]
通讯作者：
関戸大智，川澄諒，橋本英樹，阿相英孝
HF-KMnO4混合液を用いたGaAsの金属触媒エッチング
使用 HF-KMnO4 混合物金属催化蚀刻 GaAs
使用 HF-KMnO4 混合物金属催化蚀刻 GaAs
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[R. Imai, H. Hashimoto and H. Asoh, 原田崇史，早川邦夫，久保田義弘，和久田顕人, 今井涼太，橋本英樹，阿相英孝]
通讯作者：
今井涼太，橋本英樹，阿相英孝
アノードエッチングを用いた化合物半導体の微細加工
使用阳极蚀刻进行化合物半导体的微加工
使用阳极蚀刻进行化合物半导体的微加工
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Kazunari Yoshida, Shintaro Takamiya, 藤井 達也，早川 邦夫，原田 崇史，成田 忍，久保田 義弘, 阿相英孝]
通讯作者：
阿相英孝
Chemical Etching of GaAs using Au Nanodots as a Catalyst
使用 Au 纳米点作为催化剂对 GaAs 进行化学蚀刻
使用 Au 纳米点作为催化剂对 GaAs 进行化学蚀刻
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[R. Imai, H. Hashimoto and H. Asoh]
通讯作者：
H. Hashimoto and H. Asoh
共 7 条
Nanofabrication of semiconductors based on Voronoi tessellation in two-dimensional space
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批准号：26420744
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$3.24万
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财政年份：2014
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负责人：Asoh Hidetaka
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依托单位：