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Thalliumhaltige III-V-Verbindungshalbleiter für optoelektronische Bauelemente auf GaAS im Wellenlängenbereich um 1,3 µm

用于 GaAS 光电元件的含铊 III-V 化合物半导体，波长范围约为 1.3 µm

基本信息

批准号：
5190944
负责人：
Professor Dr.-Ing. Wolfgang Kowalsky
金额：
--
依托单位：
Institut für Hochfrequenztechnik
依托单位国家：
德国
项目类别：
Research Grants
财政年份：
1999
资助国家：
德国
起止时间：
1998-12-31 至 2001-12-31
项目状态：
已结题

来源：
https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5190944?language=en
关键词：
Thalliumhaltige III Verbindungshalbleiter optoelektronische Bauelemente

项目摘要

Die Kapazitäten optischer Datenübertragungsstrecken lassen sich durch Wellenlängenmultiplex und höhere Bitraten erheblich vergrößern. Schnelle integrierte Sende- und Empfangsschaltungen werden in GaAs-Technologie entwickelt, die mittlerweile gut beherrscht wird. Mit TIGaP, einem an GaAs gitterangepaßten Material, könnte die aus technischen und wirtschaftlichen Gründen besonders vorteilhafte Integration optischer Sende- und Empfangselemente für die in Europa überwiegend verlegten 1,3 µm-Faserstrecken erstmalig auf GaAs-Substrat gelingen. In umfangreichen Vorarbeiten wurde die prinzipielle Eignung von TIGaP für Halbleiterlaser bei 1,3 µm theoretisch und experimentell bestätigt. Dabei gelang nach unserer Kenntnis erstmalig der Nachweis von Photolumineszenz bei 12 K bis 300 K sowie von Elektrolumineszenz. Neben der Verbesserung der Epitaxie und intensiver Materialcharakterisierung sollen vor allem die vielfältigen Technologieschritte wie Dotierung, Kontaktierung und Strukturierung untersucht werden, die für die Realisierung eines TIGaP-Halbleiterlasers beherrscht werden müssen. Da TI-Verbindungshalbleiter erst seit wenigen Jahren untersucht werden, wäre es zum jetzigen Zeitpunkt vermessen, einen TIGaPLaser in Aussicht zu stellen. Vielmehr soll am Projektende ein TIGaP-Quantenfilm stehen, der Lumineszenz und evtl. Lasertätigkeit zeigt. Weiterhin soll die Elektrolumineszenz an einer Doppelhetero-Streifenlaserstruktur untersucht werden.

Die Kapazitäten optischer Datenübertragungsstrecken lassen sich durch Wellenlängenmultiplex und höhere Bitraten erheblich vergrößern.在GaAs技术中，集成发送和发射韦尔登是必要的。TIGaP是一种GaAs基材料，它的工艺和性能使其在欧洲的1.3 μ m GaAs衬底上具有很高的集成度。在最佳的1.3 μm半导体激光器的TIGaP原理的理论和实验研究中，在12 K到300 K的电致发光温度下，我们已经确定了光致发光的极限。通过对外延层和增强材料特性的研究，我们发现，实现TIGaP-Halbleiterlasers激光器的实现，需要采用多种技术手段，如Dotierung、Kontaktierung和Strukturierung等。TI-Verbindungshalbleiter最早是在韦尔登的一个世纪，因为它是一个在奥地利的TIGaPlaser。Vielmehr soll am Projektende an TIGaP-Quantenfilm stehen，der Lumineszenz und evtl.激光扫描然后将电致发光器件转换成一个双异质结-Streifenlaserstruktur，然后韦尔登就可以了。