Präparation und Charakterisierung kostengünstiger Kurzkanal-OFETs

低成本短沟道 OFET 的制备和表征

• 批准号: 5304904
• 负责人: Professor Dr.-Ing. Wolfgang Kowalsky
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Hochfrequenztechnik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Priority Programmes
• 财政年份: 2001
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2000-12-31 至 2005-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5304904?language=en
• 关键词: Pr; paration; und; Charakterisierung; kosteng

Die unerwartet guten elektrischen und optischen Eigenschaften, die mit epitaktisch gewachsenen organischen Molekülkristallen erreicht wurden und die denen von anorganischen Halbleitern nahekommen, haben zu einem wachsenden Interesse am Einsatz dieser Materialien in Bauelementen wie organischen Feldeffekttransistoren (OFETs) geführt. Dabei besteht ein Konflikt zwischen der Forderung nach hochgeordneten, möglichst kristallinen Schichten einerseits und andererseits Fertigungsverfahren, die im Rahmen einer `low-cost`-Technologie abgesehen von großflächigen Aufdampfprozessen und Drucktechniken auf die bekannten Verfahren der Halbleitertechnik verzichten müssen und gleichzeitig die Verwendung von ungeordneten Substraten ermöglichen sollen. Dieser Konflikt kann durch vertikale OFET-Strukturen gelöst werden, bei denen eine Kanallänge im Nanometerbereich durch die einfach zu kontrollierende Dicke von Aufdampfschichten definiert wird, während die laterale Strukturierung durch Drucktechniken erfolgen kann. Der sehr kurze Kanal ermöglicht es, auch in polykristallinen Schichten Eigenschaften zu erreichen, die denen von Einkristallen nahekommen. Derartige Strukturen sollen präpariert und Untersuchungen zu statischen und dynamischen Eigenschaften von OFETs durchgeführt werden.

这种独特的电气和光学特性，使有机分子的外延和有机半导体的内部结构变得更加复杂，使一种感兴趣的材料在组件中的结构变得更加复杂。Dabei besteht ein Konflikt zwischen der Forderung nach hochgeordneten，möglichst kristallinen Schichten einerseits und andererseits Fertigungsverfahren，die im Rahmen einer-low-cost-Technology abgesehen von großflächigen Aufdampfprozessen und Drucktechniken auf die bekannten Verfahren der Halbleitertechnik verzichten müssen und gleichzeitig die Verwendung von ungeordneten Substraten ermöglichen sollen.这种碰撞可以通过垂直的OFET结构形成韦尔登，在纳米区域内通过一个控制迪凯确定的阻尼来控制，然后通过印刷技术形成横向结构。这条卡纳尔运河是一条非常狭窄的运河，它也是一条多元文化的运河。Derartige Strukturen sollen präpariert und Untersuchungen zu statistischen und dynamischen Eigenschaften von OFwestern durchgeführt韦尔登。