Präparation und Charakterisierung kostengünstiger Kurzkanal-OFETs

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Die unerwartet guten elektrischen und optischen Eigenschaften, die mit epitaktisch gewachsenen organischen Molekülkristallen erreicht wurden und die denen von anorganischen Halbleitern nahekommen, haben zu einem wachsenden Interesse am Einsatz dieser Materialien in Bauelementen wie organischen Feldeffekttransistoren (OFETs) geführt. Dabei besteht ein Konflikt zwischen der Forderung nach hochgeordneten, möglichst kristallinen Schichten einerseits und andererseits Fertigungsverfahren, die im Rahmen einer `low-cost`-Technologie abgesehen von großflächigen Aufdampfprozessen und Drucktechniken auf die bekannten Verfahren der Halbleitertechnik verzichten müssen und gleichzeitig die Verwendung von ungeordneten Substraten ermöglichen sollen. Dieser Konflikt kann durch vertikale OFET-Strukturen gelöst werden, bei denen eine Kanallänge im Nanometerbereich durch die einfach zu kontrollierende Dicke von Aufdampfschichten definiert wird, während die laterale Strukturierung durch Drucktechniken erfolgen kann. Der sehr kurze Kanal ermöglicht es, auch in polykristallinen Schichten Eigenschaften zu erreichen, die denen von Einkristallen nahekommen. Derartige Strukturen sollen präpariert und Untersuchungen zu statischen und dynamischen Eigenschaften von OFETs durchgeführt werden.