Organic/inorganic heterojunctions

有机/无机异质结

• 批准号: 5191020
• 负责人: Professor Dr.-Ing. Wolfgang Kowalsky
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Hochfrequenztechnik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 1999
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1998-12-31 至 2001-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5191020?language=en
• 关键词: Organic; inorganic; heterojunctions

Die Grundlagenuntersuchungen an organisch-anorganischen Heterostrukturdioden für Mischeranwendungen im Rahmen des Forschungsvorhabens "Heterostruktur-Dioden mit niedrigen Flußspannungen aus halbleitenden aromatischen Verbindungen und III-V-Halbleitern" deckten zahlreiche vielversprechende neue Eigenschaften dieser Materialkombination für Bauelementeanwendungen auf: Das von anorganischen Schottky-Übergängen bekannte Ferminiveau-Pinning, das die Höhe der Kontaktbarriere bestimmt, scheint durch organische Zwischenschichten aufgehoben zu werden. Bemerkenswert ist auch, daß die tatsächliche Leitfähigkeit der organischen Schichten in den untersuchten Dioden wesentlich größer ist als der Wert, der sich aus der geringen Ladungsträgerdichte und geringen Beweglichkeit im Volumenmaterial ergibt. Eine Erklärung ist eine Überflutung der organischen Schicht durch Ladungsträger aus den angrenzenden anorganischen Materialien. Die oben beschriebenen, experimentell beobachteten Effekte sollen nun detailliert untersucht werden. Dabei sollen die gewonnenen Erkenntnisse direkt für die Optimierung der bisherigen Heterostrukturdioden, sowie für die Realisierung neuer Bauelemente genutzt werden. Ein Ziel ist, Dioden für Mikrowellen- und Detektoranwendungen herzustellen, die rein auf organischen Halbleitern basieren. Die über die Beeinflussung der Ladungsträgerdichte im organischen Halbleiter durch die Kontakte erlangte Erfahrung soll ebenfalls direkt bei der Entwicklung eines Bauelements eingesetzt werden: Bewirkt die Vorspannung eines angrenzenden Kontaktes eine Änderung der Ladungsträgerdichte im organischen Halbleiter so resultiert hieraus auch eine Änderung der Leitfähigkeit. Dieser Sachverhalt läßt sich, wie bei herkömmlichen anorganischen Feldeffekttransistoren (FETs), zum Schalten von Strömen verwenden. Der Vorteil eines rein organischen Feldeffekttransistors liegt hierbei insbesondere darin, daß er direkt in ein organisches LED-Display integriert werden kann. Auf diese Weise werden aktive organische Displays möglich, bei denen jede Einzel-LED und somit jeder Bildpunkt über ein benachbartes Schaltelement gesteuert wird.

《异质结构-异质结构-异质结构-异质结构-异质结构-异质结构-异质结构-异质结构-异质结构-异质结构-异质结构-异质结构-异质结构-异质结构-异质结构-异质结构-异质结构-异质结构-异质结构-异质结构-异质结构》如有组织的肖特基-Übergängen如有组织的费米诺夫-平，如有组织的费米诺夫-平，如有组织的费米诺夫-平，如有组织的费米诺夫-平，如有组织的费米诺夫-平，如有组织的费米诺夫-平。Bemerkenswert ist auch, daß die tatsächliche Leitfähigkeit der organischen Schichten in den untersuchten Dioden wesentlich größer ist als der Wert, der siich aus der geringen Ladungsträgerdichte and geringen Beweglichkeit in voluenmaterial power。Eine Erklärung ist Eine Überflutung der organischen Schicht durch Ladungsträger aus den angrenzenden anorganischen Materialien。当你是小孩子的时候，你的实验告诉你是小孩子的。大北太阳能发电技术有限公司（Dabei sollen）的工程工程技术有限公司（dedeoptimierung der bisherigen heterostruckturdiden），德国工程技术有限公司（dederealisierung neubauelemente genutzwerden）。在齐尔斯特，dididen f<e:1> r Mikrowellen和Detektoranwendungen herzustellen， die rein auf organischen halbletern basieren。Die Die beinfussung der Ladungsträgerdichte in organischen Halbleiter durch Die Kontakte erfahung soll ebenfalls directberder Entwicklung eines Bauelements eingesetzt werden: Bewirkt Die Vorspannung eines angrenzenden Kontaktes eine Änderung der Ladungsträgerdichte in organischen Halbleiter so resultiert hieraus auth eine Änderung der Leitfähigkeit。Dieser Sachverhalt läßt siich， wie bei herkömmlichen无机场效应晶体管（fet）， zum Schalten von Strömen verwenden。该Vorteil系统可将费尔德effekt晶体管集成在光电器件中，将其集成在光电器件中，将其集成在光电器件中。Auf diese Weise werden活动组织显示器möglich， bedenen jede Einzel-LED和somit jder Bildpunkt ber in benachbartes Schaltelement gesteuert wid。