Organic/inorganic heterojunctions
Organic/inorganic heterojunctions
批准号:
5191020
负责人:
Professor Dr.-Ing. Wolfgang Kowalsky
金额:
$0.0万
依托单位国家:
德国
项目类别:
Research Grants
财政年份:
1999
资助国家:
德国
项目状态:
已结题
起止时间:
1998-12-31 至 2001-12-31
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英文摘要
Die Grundlagenuntersuchungen an organisch-anorganischen Heterostrukturdioden für Mischeranwendungen im Rahmen des Forschungsvorhabens "Heterostruktur-Dioden mit niedrigen Flußspannungen aus halbleitenden aromatischen Verbindungen und III-V-Halbleitern" deckten zahlreiche vielversprechende neue Eigenschaften dieser Materialkombination für Bauelementeanwendungen auf: Das von anorganischen Schottky-Übergängen bekannte Ferminiveau-Pinning, das die Höhe der Kontaktbarriere bestimmt, scheint durch organische Zwischenschichten aufgehoben zu werden. Bemerkenswert ist auch, daß die tatsächliche Leitfähigkeit der organischen Schichten in den untersuchten Dioden wesentlich größer ist als der Wert, der sich aus der geringen Ladungsträgerdichte und geringen Beweglichkeit im Volumenmaterial ergibt. Eine Erklärung ist eine Überflutung der organischen Schicht durch Ladungsträger aus den angrenzenden anorganischen Materialien. Die oben beschriebenen, experimentell beobachteten Effekte sollen nun detailliert untersucht werden. Dabei sollen die gewonnenen Erkenntnisse direkt für die Optimierung der bisherigen Heterostrukturdioden, sowie für die Realisierung neuer Bauelemente genutzt werden. Ein Ziel ist, Dioden für Mikrowellen- und Detektoranwendungen herzustellen, die rein auf organischen Halbleitern basieren. Die über die Beeinflussung der Ladungsträgerdichte im organischen Halbleiter durch die Kontakte erlangte Erfahrung soll ebenfalls direkt bei der Entwicklung eines Bauelements eingesetzt werden: Bewirkt die Vorspannung eines angrenzenden Kontaktes eine Änderung der Ladungsträgerdichte im organischen Halbleiter so resultiert hieraus auch eine Änderung der Leitfähigkeit. Dieser Sachverhalt läßt sich, wie bei herkömmlichen anorganischen Feldeffekttransistoren (FETs), zum Schalten von Strömen verwenden. Der Vorteil eines rein organischen Feldeffekttransistors liegt hierbei insbesondere darin, daß er direkt in ein organisches LED-Display integriert werden kann. Auf diese Weise werden aktive organische Displays möglich, bei denen jede Einzel-LED und somit jeder Bildpunkt über ein benachbartes Schaltelement gesteuert wird.
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会议论文
Polymer-based optical sensor platform with integrated light source
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批准号:410203759
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项目类别:Research Grants
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资助金额:$0.0万
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财政年份:2018
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负责人:Professor Dr.-Ing. Wolfgang Kowalsky
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依托单位:
Nichtflüchtige Datenspeicher und Bauelemente aus organischen Materialien mit reversibel-bistabilem Ladungstransportverhalten
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批准号:5450250
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项目类别:Priority Programmes
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资助金额:$0.0万
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财政年份:2005
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负责人:Professor Dr.-Ing. Wolfgang Kowalsky
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依托单位:
Präparation und Charakterisierung kostengünstiger Kurzkanal-OFETs
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批准号:5304904
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项目类别:Priority Programmes
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资助金额:$0.0万
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财政年份:2001
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负责人:Professor Dr.-Ing. Wolfgang Kowalsky
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依托单位:
Thalliumhaltige III-V-Verbindungshalbleiter für optoelektronische Bauelemente auf GaAS im Wellenlängenbereich um 1,3 µm
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批准号:5190944
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项目类别:Research Grants
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资助金额:$0.0万
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财政年份:1999
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负责人:Professor Dr.-Ing. Wolfgang Kowalsky
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依托单位:
海外基金