Semiconductor device foundry achieved at a nanotech platform established on an average science lab.
半导体器件代工是在普通科学实验室建立的纳米技术平台上实现的。
基本信息
- 批准号:22K12308
- 负责人:
- 金额:$ 2.66万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2022
- 资助国家:日本
- 起止时间:2022-04-01 至 2025-03-31
- 项目状态:未结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
各作製工程全ての高度化の可能性を実証した。フォトリソグラフィ工程ではPolyethyleneterephthalate(PET)シートフォトマスク上に遮光パタンとなるV溝を作製、その研磨による線幅制御と高解像度化を実証した。困難だったカーボン入り感光性樹脂の現像は、超音波を併用した浸漬現像法を提案、基板の20mm角の領域で解像度約0.004mmを実現した。高分子フィルムの熱収縮性に着目、Polyvinyl chloride(PVC)シート上に作製した遮光用V溝を熱収縮させ解像度を改善する方法を考案、効果を確認した。Pattern Alignment Less Lithography(PALL)とシリコン(Si)異方性エッチングによりSi基板を薄型化し、両面から同時にPを選択拡散させ1回の熱処理でnpnバイポーラトランジスタ(BT)を作製する方法を考案、動作を確認した。この方法を応用した埋込み型電極を提案し可能性を確認した。Si基板上にp型とn型領域を熱処理により同時に作製する選択同時拡散法を考案、高抵抗Si基板上に任意の形状のp on n及びn on pのp-n接合を同時に作製し整流特性を確認した。困難だったCMOSデバイスの教育への応用が期待できる。MOSデバイスとBTが作製可能なこと、簡易さを維持し微細化が可能なことが示せた。3次元デバイス等への応用拡大の可能性も示せた。汎用のアナログ-ディジタル計測ボードと検出信号の雑音対策により約10nAの微小電流計測を可能にし、微小サンプルのホール効果測定環境も実現、デバイス評価環境の簡素化が可能な事を実証した。以上の成果をまとめ招待講演で発表した。教育へのフィードバックも実施した。p-n接合の設計製作評価を4年生の工学実験に導入した。デバイス分野においても座学で学んだ内容を実験で確認できる実験実習環境を実現できた。
Each makes "the whole project", "elevation", "possibility" and "possibility". In the project, Polyethyleneterephthalate (PET), shading, grinding, grinding, high resolution, high resolution. It is difficult to introduce the photosensitive grease image, the ultrasonic image immersion method proposal, the 20mm angle domain resolution of the substrate and the 0.004mm image resolution. High molecular weight (Polyvinyl chloride), high molecular weight (PVC), high molecular weight, high molecular weight and high molecular weight. The Pattern Alignment Less Lithography (PALL) system (Si) has a significant effect on the thinning of the Si substrate. At the same time, you can choose to analyze the npn system to improve the performance (BT) of the system. The method is used to confirm the possibility of a buried battery proposal. At the same time, the p-type
项目成果
期刊论文数量(5)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Feasibility Study of a Simplified Nanotech Platform and Device Evaluation Procedure Established for Average Educational Science Laboratories
为普通教育科学实验室建立的简化纳米技术平台和设备评估程序的可行性研究
- DOI:
- 发表时间:2023
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:S.Nagaoka;M.Yamamoto;T.Shimizu;R.Johnston;K.Matsuda and H.Horibe
- 通讯作者:K.Matsuda and H.Horibe
A Study of Resolution an Overlay Accuracy of a Simplified Photo Lithography Process for EE Education Use
电子电气教育用简化光刻工艺的分辨率和叠加精度研究
- DOI:
- 发表时间:2023
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:(4)T.Shimizu;M.Yamamoto;R.Johnston;K.Matsuda;H. Horibe and S.Nagaoka,
- 通讯作者:H. Horibe and S.Nagaoka,
タングステンHot-Wireで活性化したH2/O2混合ガスによるノボラック系ポジ型レジストの除去速度低下の原因の検討
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- DOI:
- 发表时间:2022
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:山本雅史;秋田航希,馬庭知宏,浅川万知,長岡史郎,堀邊英夫
- 通讯作者:秋田航希,馬庭知宏,浅川万知,長岡史郎,堀邊英夫
Effects of Hydrogen Radical Treatment on Piezoresistance Coefficients of Germanium
氢自由基处理对锗压阻系数的影响
- DOI:10.35848/1882-0786/acc8b4
- 发表时间:2023
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:(1)K.Matsuda;M.Yamamoto;M.Mikawa;S.Nagaoka;N.Mori and K.Tsutui,
- 通讯作者:N.Mori and K.Tsutui,
Effects of Hydrogen Radicals Treatment of Piezoresistance Coefficients of Germanium
氢自由基处理对锗压阻系数的影响
- DOI:
- 发表时间:2023
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:K.Matsuda;M.Yamamoto;M.Mikawa;S.Nagaoka;K.Tsutsui
- 通讯作者:K.Tsutsui
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長岡 史郎其他文献
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