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イオンダイナミクス制御による有機メモリスタの開発

利用离子动力学控制开发有机忆阻器

基本信息

批准号：
22KJ0195
负责人：
三部宏平
金额：
$ 1.41万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2023
资助国家：
日本
起止时间：
2023-03-08 至 2024-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

本研究はダイナミクスと連動した伝導特性の変調、有機メモリスタの作製を目的として実施した。初年度は導電性TCNQ錯体中のイオンダイナミクス制御およびその電気的特性への効果に関する研究に取り組んだ。19種の単結晶に対し、単結晶構造解析、電気伝導度および誘電率の温度・周波数依存性評価を行うことでイオンダイナミクスと電子・磁気特性の相関を明らかにした。一方メモリ効果発現のためには、材料中のダイナミクスと伝導パスの相関をより強固にする必要がある。本年度は電場に応答し分子集合様式が柔軟に変化する有機半導体の開発から、ダイナミクスと連動した電子伝導特性の変調実現を目指した。アルキルアミド置換π共役系化合物は、アルキル鎖のダイナミクスがアミド基の回転運動を誘起し、その分極方向を電場により反転可能な強誘電体となることが報告されている。有機半導体であるBTBT骨格にアルキルアミド基を導入したR-BTBT-CONHC14H29 (1: R = H, 2: R = C8H17)、R-BTBT-NHCOC14H29 (3: R = H, 4: R = C8H17)を合成し、その構造–物性相関を検討した。結晶構造解析の結果、アルキルアミド置換BTBT誘導体はBTBT骨格が形成する2次元伝導パスとアミド基が形成する1次元水素結合鎖が共存可能であった。2は369 K以上の温度領域でSmE相への転移を示し、SmE相において電場–分極応答(P-E) 曲線に強誘電体に特徴的なヒステリシスを示した。また、413 Kでの蒸着によりバイレイヤー周期の層状配向膜を形成した。この膜をボトムゲート型有機電界効果トランジスタ（OFET）のチャネル層に適用したところ、p型半導体に特徴的な出力特性を示し、飽和領域における移動度は0.021 cm2 V－1 s－1であった。

The purpose of this study is to provide information on the characteristics of the link, and the purpose of this study is to evaluate the characteristics of the link. At the beginning of the year, in the electrical TCNQ error body, it is necessary to control the characteristics of the electrical power supply system. The dependence of temperature and wavenumber on temperature, temperature and temperature, temperature, temperature and wavenumber dependence of temperature, temperature, temperature and wavenumber dependence of temperature, temperature, temperature and wavenumber dependence of temperature, temperature and wavenumber dependence of temperature, temperature, temperature and wavenumber, temperature, cycle wave number, temperature, temperature, temperature If there is a problem on the part of the party, the material should be used to strengthen the necessary materials. This year, the electronic industry should respond to the molecular assembly model, the mobile phone semi-mobile phone system, the mobile phone system, the mobile phone, and the computer. In the presence of π-based co-active compounds, it is possible to force the electronic devices to make reports on the basis of the failure of the electronic field in the direction of the poles. The machine-based semi-portable BTBT bone marrow system is based on the synthesis of R-BTBT-CONHC14H29 (1: r = H, 2: r = C8H17), R-BTBT-NHCOC14H29 (3: r = H, 4: r = C8H17). Results the results were analyzed, and the results showed that the two-dimensional structure was formed by the combination of BTBT and BTBT bone lattices. the combination of primary water and secondary water may be effective. The temperature field above 369 K shows that the SmE phase shifts, the SmE phase shifts, the electric field & # 8211; the temperature response (PMAE) curves and the electrical characteristics of the electronic devices. The thin film is formed by steaming at 413 K in the shape of a periodic membrane. In the field of mechanical and electrical equipment, the mechanical and electrical equipment industry (OFET) uses the output characteristics of the equipment, the p-type semi-conductor, and the field. The mobility of the device is 0.021 cm2 VMI 1 s wok 1 min.

项目成果

期刊论文数量（11）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Ferroelectric Semiconductor of Alkylamide-Substituted C8-BTBT-CONHCnH2n+1 (n = 3, 14)

烷基酰胺取代的 C8-BTBT-CONHCnH2n 1 (n = 3, 14) 铁电半导体

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
Kohei Sambe;Takashi Takeda;Norihisa Hoshino;Wakana Matsuda;Kanae Tsujita;Shingo Maruyama;Shunsuke Yamamoto;Shu Seki;Yuji Matsumoto;Tomoyuki Akutagawa
通讯作者：
Tomoyuki Akutagawa

アルキルアミド置換C8-BTBT-CONHCnH2n+1 (n =3, 14)の構造と物性

烷基酰胺取代的C8-BTBT-CONHCnH2n+1 (n =3, 14)的结构和物理性质