集積回路の三次元化に関する基礎研究
集積回路の三次元化に関する基礎研究
批准号:
57550187
负责人:
松村 正清
金额:
$1.22万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份:
1982
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1982 至 --
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会议论文
テトラ・イソシアネート・シランを用いたシリコンの液相堆積
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批准号:09875078
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.34万
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财政年份:1997
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负责人:松村 正清
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依托单位:
狭ギャップII-VI族半導体の極薄膜成長法に関する研究
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批准号:01604531
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.41万
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财政年份:1989
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负责人:松村 正清
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依托单位:
狭ギャップII-VI族半導体の極薄膜成長法に関する研究
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批准号:63604526
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.54万
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财政年份:1988
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负责人:松村 正清
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依托单位:
狭ギャップII-VI族半導体の極薄膜成長法に関する研究
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批准号:62604537
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.6万
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财政年份:1987
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负责人:松村 正清
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依托单位:
化合物半導体の新しい酸化法の研究
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批准号:59550005
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.15万
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财政年份:1984
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负责人:松村 正清
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依托单位:
超高移動度物質を用いた極微構造電子デバイスの研究
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批准号:58209019
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$6.08万
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财政年份:1983
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负责人:松村 正清
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依托单位:
超高移動度物質を用いた極微構造電子デバイスの研究
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批准号:57217019
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$3.84万
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财政年份:1982
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负责人:松村 正清
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依托单位:
集積回路の三次元化に関する基礎研究
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批准号:56550212
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.02万
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财政年份:1981
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负责人:松村 正清
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依托单位:
集積回路の三次元化に関する基礎研究
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批准号:X00090----555123
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.41万
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财政年份:1980
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负责人:松村 正清
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依托单位: