テトラ・イソシアネート・シランを用いたシリコンの液相堆積
テトラ・イソシアネート・シランを用いたシリコンの液相堆積
批准号:
09875078
负责人:
松村 正清
金额:
$1.34万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Exploratory Research
财政年份:
1997
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1997 至 1998
中文摘要
テトラ・シソシアネート・シランを用いたシリコンの液相堆積の予備的検討の段階において、分解時に発生する副生成物のアンモニアが分解特性を大きく変化させることが判った。さらに、このアンモニアは、類似した原料であるテトラ・エトキシ・シランの加水分解と、生じたシラノールの脱水縮合とを加速することがわかった。そして、アンモニアと蟻酸の水溶液にテトラ・エトキシ・シランを導入すると、良質の二酸化シリコン膜が析出するできることも判明した。この液相堆積法ではさまざまな強さの酸化剤が利用できるので、エトキシ基の一部をメチル基に置き換えた原料モノメチル・トリエトキシ・シランを原料に用いれば、メチル基を含有した低誘電率酸化膜を室温堆積できることに気づいた。この低誘電率膜は、ULSIの最近の急激な極微細化に伴う配線間のCR遅延が問題を軽減する決め手となる可能性を秘めており、この分野での基礎的研究が重要になっている今日、この酸化膜堆積法は萌芽研究として十分に意味があると判断した。様々な堆積条件とアニール条件における有機含有酸化膜の電気的特性を調べた。その結果、アンモニア濃度が1.5mol/l、蟻酸濃度が1mol/l、が最適堆積条件であること、アニールなしでも絶縁性を示す膜が得られることが判った。さらに、500度の真空アニールによって誘電率が2.6(従来の酸化膜の約65%)という極めて低い酸化膜を実現できた。液相堆積には、蒸気圧が低い原料も利用できるという特徴があることに注目して、高次のアルキル基を含む原料を用いて堆積し、それらの膜質を評価した。その結果、メチル基が最も優れていることを確認するとともに、メチル基膜に残された欠点(酸化耐性に欠ける、加工性に劣る)を克服できる可能性を持った新しい有機シリカ膜の構造(アルキレン基含有シリカ膜)を発案した。この新構造膜の堆積原料としてビス・トリアルコキシ・アルキレンを探し出した。この原料の蒸気圧が極めて低いことから、液相堆積法を応用すれば、このアルキレン基含有シリカ膜が堆積可能と判断して、実際にも成膜に成功した。膜質の解明は今後の課題である。
英文摘要
テトラ・シソシアネート・シランを用いたシリコンの液相堆積の予備的検討の段階において、分解時に発生する副生成物のアンモニアが分解特性を大きく変化させることが判った。さらに、このアンモニアは、類似した原料であるテトラ・エトキシ・シランの加水分解と、生じたシラノールの脱水縮合とを加速することがわかった。そして、アンモニアと蟻酸の水溶液にテトラ・エトキシ・シランを導入すると、良質の二酸化シリコン膜が析出するできることも判明した。この液相堆積法ではさまざまな強さの酸化剤が利用できるので、エトキシ基の一部をメチル基に置き換えた原料モノメチル・トリエトキシ・シランを原料に用いれば、メチル基を含有した低誘電率酸化膜を室温堆積できることに気づいた。この低誘電率膜は、ULSIの最近の急激な極微細化に伴う配線間のCR遅延が問題を軽減する決め手となる可能性を秘めており、この分野での基礎的研究が重要になっている今日、この酸化膜堆積法は萌芽研究として十分に意味があると判断した。様々な堆積条件とアニール条件における有機含有酸化膜の電気的特性を調べた。その結果、アンモニア濃度が1.5mol/l、蟻酸濃度が1mol/l、が最適堆積条件であること、アニールなしでも絶縁性を示す膜が得られることが判った。さらに、500度の真空アニールによって誘電率が2.6(従来の酸化膜の約65%)という極めて低い酸化膜を実現できた。液相堆積には、蒸気圧が低い原料も利用できるという特徴があることに注目して、高次のアルキル基を含む原料を用いて堆積し、それらの膜質を評価した。その結果、メチル基が最も優れていることを確認するとともに、メチル基膜に残された欠点(酸化耐性に欠ける、加工性に劣る)を克服できる可能性を持った新しい有機シリカ膜の構造(アルキレン基含有シリカ膜)を発案した。この新構造膜の堆積原料としてビス・トリアルコキシ・アルキレンを探し出した。この原料の蒸気圧が極めて低いことから、液相堆積法を応用すれば、このアルキレン基含有シリカ膜が堆積可能と判断して、実際にも成膜に成功した。膜質の解明は今後の課題である。
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
登录
查看更多内容
宇佐美、住村、松村: "Preparation of Organic Silica Films" Jpn.J.Appl.Phys. 37・4. L420-L422 (1998)
Usami、Sumimura、Matsumura:“有机二氧化硅薄膜的制备”Jpn.J.Appl.Phys.37・4。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
宇佐美, 松村: "Liquid Phase Deposition fo Silicon OXide" Jpn J.Appl.Phys.37.1. L97-L99 (1998)
Usami, Matsumura:“氧化硅的液相沉积”Jpn J.Appl.Phys.37.1 (1998)。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
宇佐美、松村: "Liquid Phase Deposition of Silicon Oxide" Jpn.J.Appl.Phys.37・1. L97-L99 (1998)
松村宇佐美:“氧化硅的液相沉积”Jpn.J.Appl.Phys.37・1(1998)。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
宇佐美、菅原、住村、松村: "Liquid-Phase Deposition of Low k Organic Silica" Material Res.Soc.Symp.Proc.511. 27-32 (1998)
Usami、Sugara、Sumimura、Matsumura:“低 k 有机二氧化硅的液相沉积”材料 Res.Soc.Symp.Proc.511 (1998)。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
狭ギャップII-VI族半導体の極薄膜成長法に関する研究
-
批准号:01604531
-
项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
-
资助金额:$1.41万
-
财政年份:1989
-
负责人:松村 正清
-
依托单位:
狭ギャップII-VI族半導体の極薄膜成長法に関する研究
-
批准号:63604526
-
项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
-
资助金额:$1.54万
-
财政年份:1988
-
负责人:松村 正清
-
依托单位:
狭ギャップII-VI族半導体の極薄膜成長法に関する研究
-
批准号:62604537
-
项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
-
资助金额:$1.6万
-
财政年份:1987
-
负责人:松村 正清
-
依托单位:
化合物半導体の新しい酸化法の研究
-
批准号:59550005
-
项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
-
资助金额:$1.15万
-
财政年份:1984
-
负责人:松村 正清
-
依托单位:
超高移動度物質を用いた極微構造電子デバイスの研究
-
批准号:58209019
-
项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
-
资助金额:$6.08万
-
财政年份:1983
-
负责人:松村 正清
-
依托单位:
集積回路の三次元化に関する基礎研究
-
批准号:57550187
-
项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
-
资助金额:$1.22万
-
财政年份:1982
-
负责人:松村 正清
-
依托单位:
超高移動度物質を用いた極微構造電子デバイスの研究
-
批准号:57217019
-
项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
-
资助金额:$3.84万
-
财政年份:1982
-
负责人:松村 正清
-
依托单位:
集積回路の三次元化に関する基礎研究
-
批准号:56550212
-
项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
-
资助金额:$1.02万
-
财政年份:1981
-
负责人:松村 正清
-
依托单位:
集積回路の三次元化に関する基礎研究
-
批准号:X00090----555123
-
项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
-
资助金额:$1.41万
-
财政年份:1980
-
负责人:松村 正清
-
依托单位: