课题基金 / 基金详情

超高移動度物質を用いた極微構造電子デバイスの研究

超高移動度物質を用いた極微構造電子デバイスの研究
使用超高迁移率材料的超细结构电子器件研究
批准号：
58209019
负责人：
松村 正清
金额：
$6.08万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Special Project Research
财政年份：
1983
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1983 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-58209019/
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テトラ・イソシアネート・シランを用いたシリコンの液相堆積
  • 批准号：
    09875078
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
  • 资助金额：
    $1.34万
  • 财政年份：
    1997
  • 负责人：
    松村 正清
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
狭ギャップII-VI族半導体の極薄膜成長法に関する研究
  • 批准号：
    01604531
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $1.41万
  • 财政年份：
    1989
  • 负责人：
    松村 正清
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
狭ギャップII-VI族半導体の極薄膜成長法に関する研究
  • 批准号：
    63604526
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $1.54万
  • 财政年份：
    1988
  • 负责人：
    松村 正清
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
狭ギャップII-VI族半導体の極薄膜成長法に関する研究
  • 批准号：
    62604537
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $1.6万
  • 财政年份：
    1987
  • 负责人：
    松村 正清
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology