Vertikaler Transport durch InAs-Quantenpunkte

通过 InAs 量子点的垂直传输

基本信息

项目摘要

An Stelle einer kompositionellen Doppelbarrieren-Struktur soll im geplanten Projekt eine Schottky-Diode als resonante Tunnelstruktur zur Untersuchung von InAs-Quantenpunkten dienen. Hierbei werden die Quantenpunkte in die intrinsiche Sperrschicht der Diode eingebettet. Durch geschickte Wahl der GaAs-Schichtdicken oberhalb und unterhalb der InAs-Quantenpunkte sollen Tunnelprozesse mit und ohne Coulomb-Blockade Effekte beobachtet werden. Im Gegensatz zur Kapazitätsspektroskopie können dadurch auch 0-dimensionale Zustände mit höheren Quantenzahlen untersucht werden. Somit läßt sich ein genaueres Bild der elektronischen Struktur von InAs-Quantenpunkten in Leitungs- und Valenzband gewinnen. Der Vergleich mit Photolumineszensdaten läßt Rückschlüsse auf die beteiligten Elektron-Loch-Zustände und die damit verknüpften optischen Auswahlregeln zu. Die Interpretation der Spektren soll durch Messungen im Magnetfeld gefestigt werden. Mehrere Dotlagen in der intrinsischen Zone erlauben das Studium von Kopplungsphänomenen. Zudem soll an solchen Dioden Tunneln durch einzelne Quantenpunkte untersucht werden. Der Einfluß von optisch induzierten Ladungen im Dot-Bereich auf die Tunnelkennlinien läßt sich ebenfalls studieren.
一个Stelle einer kompostionellen-Strukur soll in geanten en Projekt eine Shorttky-Diode als Resonante te te Tunnelstrukut zur Untersusuung von Inas-Quantpenkten dienen.在二极管的本质上,他被认为是最好的。经历了GaAs-Schichtdicken oberhalb and Unterhalb der InAs-Quanpenkte Sollen Tunnelprozesse MIT and Ohne Coulomb-封锁Effekte beobachtet.我是Gegensatz zur KapazitätsSpektroskopie können dadadeh o o 0维Zustände MIT höheren Quantzahlen untersuht den。在莱顿斯和瓦伦斯班德,所有的人都能从L的画报中学到东西。德国理工学院的光致发光学研究L?在此基础上,我们进行了一系列的解释工作。Mehrere Dotlagen in der Intrinsischen Zone erlaben das Studium von Koppengsphänomeen.他说:“这是一件非常重要的事情。”在此基础上,我们学习了大量的知识和知识,如L等。

项目成果

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