Vertikaler Transport durch InAs-Quantenpunkte

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An Stelle einer kompositionellen Doppelbarrieren-Struktur soll im geplanten Projekt eine Schottky-Diode als resonante Tunnelstruktur zur Untersuchung von InAs-Quantenpunkten dienen. Hierbei werden die Quantenpunkte in die intrinsiche Sperrschicht der Diode eingebettet. Durch geschickte Wahl der GaAs-Schichtdicken oberhalb und unterhalb der InAs-Quantenpunkte sollen Tunnelprozesse mit und ohne Coulomb-Blockade Effekte beobachtet werden. Im Gegensatz zur Kapazitätsspektroskopie können dadurch auch 0-dimensionale Zustände mit höheren Quantenzahlen untersucht werden. Somit läßt sich ein genaueres Bild der elektronischen Struktur von InAs-Quantenpunkten in Leitungs- und Valenzband gewinnen. Der Vergleich mit Photolumineszensdaten läßt Rückschlüsse auf die beteiligten Elektron-Loch-Zustände und die damit verknüpften optischen Auswahlregeln zu. Die Interpretation der Spektren soll durch Messungen im Magnetfeld gefestigt werden. Mehrere Dotlagen in der intrinsischen Zone erlauben das Studium von Kopplungsphänomenen. Zudem soll an solchen Dioden Tunneln durch einzelne Quantenpunkte untersucht werden. Der Einfluß von optisch induzierten Ladungen im Dot-Bereich auf die Tunnelkennlinien läßt sich ebenfalls studieren.