Spinpolarisierter Transport durch Halbleiter

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In dem Projekt soll spinabhängiger Transport in Ferromagnet/Halbleiter/Ferromagnet (FM/HL/FM) und in Ferromagnet/Halbleiter/Supraleiter (FM/HL/SL) -Schichtstrukturen untersucht werden. Für sehr kleine Halbleiterdicken, für die der dominante Transportmechanismus quantenmechanisches Tunneln durch die Halbleiterbarriere ist, wird der Tunnelmagnetowiderstandseffekt (TMR) analysiert. In Erweiterung zu bisher laufenden Arbeiten soll der TMR-Effekt durch chemische Passivierung der Halbleiteroberflächen, durch Wahl einer anderen Oberflächenorientierung und durch Unterdrückung von Diffusionsprozessen (aufgrund von Hochtemperaturschritten) vergrößert und so der Einfluss von Spin-Flip Streuung auf die Spin-Injektion in Halbleitern generell untersucht werden. Durch Vergrößerung der Halbleiterschichtdicke kann der Übergang vom Tunneln zum diffusiven Transport durch den Halbleiter untersucht werden. Hierbei erfolgt Injektion und Detektion eines spinpolarisierten Stromes über Tunnelbarrieren, so dass das Modell von Fert und Jaffrès bzw. Rashba im Experiment überprüft werden kann.