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電気的・光学的手法による半導体-金属界面固相反応層の微視的構造の解明

電気的・光学的手法による半導体-金属界面固相反応層の微視的構造の解明
利用电学和光学方法阐明半导体-金属界面固相反应层的微观结构
批准号:
59550220
负责人:
奥村 次徳
金额:
$1.47万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份:
1984
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1984 至 1985
关键词:

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エピタキシャル成長層での光電効果を利用した不純物ドーピング制御の試み
  • 批准号:
    16656013
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
  • 资助金额:
    $1.98万
  • 财政年份:
    2004
  • 负责人:
    奥村 次徳
  • 依托单位:
化合物半導体ウェーハ加工に伴う研磨屑の回収・再利用に関する基礎的研究
  • 批准号:
    11875076
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
  • 资助金额:
    $1.34万
  • 财政年份:
    1999
  • 负责人:
    奥村 次徳
  • 依托单位:
ショットキー障壁形成機構解明のための電気化学的アプローチ
  • 批准号:
    05650030
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
  • 资助金额:
    $1.28万
  • 财政年份:
    1993
  • 负责人:
    奥村 次徳
  • 依托单位:
顕微光応答法による金属‐半導体界面反応層のミクロ解析
  • 批准号:
    03216211
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额:
    $0.51万
  • 财政年份:
    1991
  • 负责人:
    奥村 次徳
  • 依托单位: