電気的・光学的手法による半導体-金属界面固相反応層の微視的構造の解明
電気的・光学的手法による半導体-金属界面固相反応層の微視的構造の解明
批准号:
59550220
负责人:
奥村 次徳
金额:
$1.47万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份:
1984
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1984 至 1985
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会议论文
エピタキシャル成長層での光電効果を利用した不純物ドーピング制御の試み
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批准号:16656013
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.98万
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财政年份:2004
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负责人:奥村 次徳
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依托单位:
化合物半導体ウェーハ加工に伴う研磨屑の回収・再利用に関する基礎的研究
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批准号:11875076
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.34万
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财政年份:1999
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负责人:奥村 次徳
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依托单位:
ショットキー障壁形成機構解明のための電気化学的アプローチ
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批准号:05650030
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1993
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负责人:奥村 次徳
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依托单位:
顕微光応答法による金属‐半導体界面反応層のミクロ解析
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批准号:03216211
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1991
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负责人:奥村 次徳
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依托单位:
顕微光応答法の高分解能化とGaAsショットキ-界面の電気的性質の微視的評価
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批准号:02232221
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$0.64万
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财政年份:1990
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负责人:奥村 次徳
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依托单位:
顕微光応答法の高分解能化とガリウムひ素ショットキ-界面の電気的性質の微視的評価
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批准号:01650522
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$0.83万
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财政年份:1989
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负责人:奥村 次徳
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依托单位: