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顕微光応答法の高分解能化とGaAsショットキ-界面の電気的性質の微視的評価

高分辨率显微光响应方法及GaAs肖特基界面电学性能的显微评价

基本信息

批准号：
02232221
负责人：
奥村次徳
金额：
$ 0.64万
依托单位：
Tokyo Metropolitan University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1990
资助国家：
日本
起止时间：
1990 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

<1.顕微光応答装置の高分解能化>___ー:昨年に引続き、顕微光応答法の空間分解能の向上を目指して、装置の改良を行なった。改良点は、(1)界面への集光を容易にするための共焦点光学系の導入、(2)半導体レ-ザの波長安定化、(3)防震の配慮などで、その結果として、障壁高さの空間分解能も5μm以下に向上した。<2.高分解能装置の応用>___ー:開発した高分解能顕微光応答装置を用いて、Si上に形成したNiおよびPd電極の周辺部のショットキ-特性の評価を行なった。電極周辺部が単独で露出している場合には、その領域で光電子放出の量子効率が高くなっていることが明らかになった。しかし、障壁高さは誤差の範囲内で中心部と変わらないことがわかった。今後、酸化反応、シリサイド反応の金属膜厚依存性などとの関係で検討を進める必要がある。<3.GaAs積層電極の熱劣化過程の評価>___ー:GaAsに対するTi/Pt/Au電極の熱的安定性を顕微光応答法により評価した。その結果、350〜400℃の熱処理温度において、GaAsに対する最近接相はTiからPtAs_2に変化し、これに伴い均一性を含めた電気的特性が改善されることを明らかにした。480℃以上の熱処理温度では、不均一に反応が進み電極の整流性は次第に失われる。顕微光応答法による実験結果は、この反応が電極周辺部から始まること、反応領域の障壁が低いことを示している。低障壁相の同定、反応経路の解明などが今後の課題である。

<1. High Resolution Energy of Microlight Response Device>___ The improvement of the optical system includes: (1) easy light collection at the interface;(2) wavelength stabilization at the semiconductor layer;(3) anti-vibration distribution; and (4) high spatial resolution energy below 5μm. <2. Application of High Resolution Energy Device>___ The quantum efficiency of photoelectron emission is high when the peripheral part of the electrode is exposed independently. The middle part of the error range of the barrier wall is higher than the middle part. In the future, it is necessary to discuss the relationship between acidification reaction and metal film thickness dependence. <3. Evaluation of Thermal Degradation Process of GaAs Multilayer Electrode>___: Evaluation of Thermal Stability of Ti/Pt/Au Electrode for GaAs As a result, the heat treatment temperature of 350 ~ 400℃, GaAs, the nearest phase Ti, PtAs_2, the uniformity of GaAs, and the characteristics of GaAs are improved. The heat treatment temperature above 480℃ is not uniform, and the rectification of the electrode is not uniform. The results of the low-light response method are as follows: the first part of the electrode circumference is the first part of the electrode circumference, and the second part of the barrier is the first part of the electrode circumference. Low barrier phase identity, reverse cycle solution, future problems.