顕微光応答法の高分解能化とGaAsショットキ-界面の電気的性質の微視的評価

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<1.顕微光応答装置の高分解能化>___ー:昨年に引続き、顕微光応答法の空間分解能の向上を目指して、装置の改良を行なった。改良点は、(1)界面への集光を容易にするための共焦点光学系の導入、(2)半導体レ-ザの波長安定化、(3)防震の配慮などで、その結果として、障壁高さの空間分解能も5μm以下に向上した。<2.高分解能装置の応用>___ー:開発した高分解能顕微光応答装置を用いて、Si上に形成したNiおよびPd電極の周辺部のショットキ-特性の評価を行なった。電極周辺部が単独で露出している場合には、その領域で光電子放出の量子効率が高くなっていることが明らかになった。しかし、障壁高さは誤差の範囲内で中心部と変わらないことがわかった。今後、酸化反応、シリサイド反応の金属膜厚依存性などとの関係で検討を進める必要がある。<3.GaAs積層電極の熱劣化過程の評価>___ー:GaAsに対するTi/Pt/Au電極の熱的安定性を顕微光応答法により評価した。その結果、350〜400℃の熱処理温度において、GaAsに対する最近接相はTiからPtAs_2に変化し、これに伴い均一性を含めた電気的特性が改善されることを明らかにした。480℃以上の熱処理温度では、不均一に反応が進み電極の整流性は次第に失われる。顕微光応答法による実験結果は、この反応が電極周辺部から始まること、反応領域の障壁が低いことを示している。低障壁相の同定、反応経路の解明などが今後の課題である。