ショットキー障壁形成機構解明のための電気化学的アプローチ

电化学方法阐明肖特基势垒形成机制

基本信息

  • 批准号:
    05650030
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.28万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    1993
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1993 至 无数据
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

電解めっき法を用いて、砒化ガリウム(GaAs)基板上に金属膜を堆積することを試み、以下のことを明らかにした。(1)通常のめっき液中で、バイアス電圧と光照射の条件を選ぶことによって、GaAs表面の自然酸化膜を除去することができる(光電気化学エッチング)。この条件は、ブルタモグラムの測定から求められる。(2)上記方法により得られたGaAs表面は、数nm程度の平坦性をもつ。(3)GaAs基板を光電気化学エッチングした後、連続してめっきを行うことによって、ほぼ理想特性を示すGaAsショットキー接触の形成が可能である。このプロセスをニッケル、金、錫、および鉛に適用し、GaAsに対するショットキー障壁高さ(phi_<Bn>)の仕事関数(phi_M)依存性を求めた。いわゆる界面定数(S=〓phi_<Bn>/〓phi_M)の値は0.1となり、障壁形成機構としてMIGSモデルを支持する結果が得られた。
Electrolysis method is used to deposit metal films on GaAs substrates. (1)Generally, the conditions for the removal of natural acidified films on GaAs surfaces are selected from among the following: This condition is called " (2)The method described above has been used to obtain GaAs surface flatness of several nm. (3)GaAs substrate photochemistry after the formation of the contact, the connection between the line, the ideal characteristics of the GaAs contact formation is possible. The dependence of the barrier height (<Bn>phi_M) of GaAs on gold, tin, lead and other metals is investigated. The value of the interface constant (S= phi_<Bn>/phi_M) is 0.1, and the results of the barrier formation mechanism and MIGS support are obtained.

项目成果

期刊论文数量(6)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
M.Shimura,T.Okumura,S.Yamamoto: "In Situ Surface Treatment of GaAs(100)Wafer in Metal Salt Electrolytes for Fabrication of Schottky Contact" J.Electrochem.Soc.140. 3181-3185 (1993)
M.Shimura、T.Okumura、S.Yamamoto:“在金属盐电解质中对 GaAs(100) 晶片进行原位表面处理以制造肖特基接触”J.Electrochem.Soc.140。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
T.Okumura,S.Yamamoto,M.Shimura: "GaAs Schottky Diodes with Ideality Factor of Unity Fabricated by In Situ Photoelectrochemical Process" Jpn.J.Appl.Phys.32. 2626-2631 (1993)
T.Okumura、S.Yamamoto、M.Shimura:“通过原位光电化学工艺制造的具有统一理想因子的 GaAs 肖特基二极管”Jpn.J.Appl.Phys.32。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
C.Kaneshiro,M.Shimura,T.Okumura: "Electrical Abruptness of Ni/GaAs Interfaces Fabricated by In Situ Photoelectrochemical Process" 1st Internat′l Symp.Control of Semiconductor Interfaces Karuizawa. A3-3 (1993)
C. Kaneshiro、M. Shimura、T. Okumura:“原位光电化学工艺制造的 Ni/GaAs 界面的电突变”第一届国际半导体界面控制 A3-3 (1993)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
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    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

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