超高真空電子顕微鏡法による Si, Ge (111)表面上の超格子構造の研究
超高真空電子顕微鏡法による Si, Ge (111)表面上の超格子構造の研究
超高真空电子显微镜研究Si、Ge(111)表面超晶格结构
批准号：
60740159
负责人：
谷城 康眞
金额：
$0.51万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1985
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1985 至 --
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超イオン伝導体走査探針による金属原子の連続付加による表面加工
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批准号：09875004
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项目类别：Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额：$1.41万
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财政年份：1997
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负责人：谷城 康眞
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依托单位：
反射電子顕微鏡法によるシリコン表面吸着構造の解析-基板結晶原子の表面密度の測定-
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批准号：02858014
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项目类别：Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额：$0.38万
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财政年份：1990
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负责人：谷城 康眞
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依托单位：
真空中劈開Si(111)2×1表面とその7×7への相転移の反射電顕法による研究
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批准号：63780069
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项目类别：Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额：$0.64万
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财政年份：1988
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负责人：谷城 康眞
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依托单位：
超高真空電子顕微鏡内MBE法によるSi(001)基板上GaAsヘテロ成長の研究
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批准号：62750008
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项目类别：Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额：$0.58万
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财政年份：1987
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负责人：谷城 康眞
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依托单位：
Si(111)7×7表面の水素,アルカリ金属吸着の超高真空電子顕微鏡法による研究
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批准号：61780073
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项目类别：Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额：$0.64万
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财政年份：1986
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负责人：谷城 康眞
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依托单位：