超イオン伝導体走査探針による金属原子の連続付加による表面加工
超イオン伝導体走査探針による金属原子の連続付加による表面加工
批准号:
09875004
负责人:
谷城 康眞
金额:
$1.41万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Exploratory Research
财政年份:
1997
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1997 至 1998
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英文摘要
最近、STMを利用した表面加工の研究が精力的に進められている。本研究では超イオン伝導体を加工用探針として用いることにより、表面加工材料(金属原子)を大量に貯蔵し、基盤表面への原子付加を多数回連続して行う手法の開発を試みた。探針材料としてβアルミナを選び、双探針STM装置を使って、テストを行った。1. βアルミナへのAgイオンの注入Na-βアルミナ結晶をAgNO_3中で煮沸し、NaをAgで置換し、Agイオンを探針材料に注入した。電子顕微鏡内で、電子線を照射し、Agを析出させることにより、貯蔵されたAgイオンの量を評価した。その結果、煮沸処理にAgNO_3の飽和水溶液あるいは融液を用いれば、実用上制限がないほどの量を探針内に貯蔵できることが分かった。高濃度液処理時に表面に付着するAgNO_3結晶はエタノールあるいは温湯を用いて除去できた。2. Ag-βアルミナ探針を用いた表面加工探針材料の劈開性(c面に平行)を利用して探針の成形を行い、双探針STMの片側探針として取り付けた。外部電源を用いて、探針に電圧(パルス)を印加できるように、プリアンプ系を改造し、Ag-βアルミナ探針から試料表面へのAg原子の付加を行った。加工用探針を用いた表面のSTM観察にはまだ成功していない。2探針間の相対的な位置ズレを試料移動で補償する機構が完成すれば、もう1本の探針を利用しての加工表面のSTM観察が可能となるが、まだ観察は行えていない。走査電子顕微鏡を用いて加工表面の観察を行った。探針の走査に伴って、Agのワイヤが表面に形成されているのが確かめられた。ただし、そのサイズは大きい。加工表面のSTM観察を行い、Agの原子細線の作製など微細加工を実現することが、今後の課題である。
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M.Chida: "Reversible Phase Transition Between Metastable Structures of Si (111) c2x8 and "1x1"Studied by High Temperature STM" Surface Sci.(to be published). (1998)
M.Chida:“高温 STM 研究的 Si (111) c2x8 和“1x1”亚稳态结构之间的可逆相变”表面科学(待出版)。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
M.Chida: "Reversirle phase transition between metaricble structures of Si(111)c2×5 and 1×1 studied by high-Temperatore STM." Surface Science Letters. 411. L822-L827 (1998)
M.Chida:“通过高温 STM 研究 Si(111)c2×5 和 1×1 金属结构之间的反转相变。”411。L822-L827 (1998)
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Y.Tanishiro: "Epitaxial Growth of Si/CaF_2 on Si (111) Studied by RHEED,AES and SEM." in Proc. of Japan-Germany Seminar on Mechanisms of Epitaxy and Properties of Coherent Thin Films. 17-24 (1997)
Y.Tanishiro:“通过 RHEED、AES 和 SEM 研究 Si/CaF_2 在 Si (111) 上的外延生长。”
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
M.Chida: "Growth mechanism of 7×7 domains from The “1×1" phase and ghenched Si(111)Surface studied by high temperature STM." Surface Science Letters. (in press). (1999)
M.Chida:“通过高温 STM 研究“1×1”相和 ghenched Si(111) 表面的 7×7 域的生长机制”(出版中)。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
C.Collazo-Davila: "Atomic Structure of the In on Si (111) 4x1 Surface" Surface Rev.Lett.4・1. 65-70 (1997)
C.Collazo-Davila:“Si (111) 4x1 表面上 In 的原子结构”Surface Rev.Lett.4・1 (1997)。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
反射電子顕微鏡法によるシリコン表面吸着構造の解析-基板結晶原子の表面密度の測定-
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批准号:02858014
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.38万
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财政年份:1990
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负责人:谷城 康眞
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依托单位:
真空中劈開Si(111)2×1表面とその7×7への相転移の反射電顕法による研究
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批准号:63780069
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.64万
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财政年份:1988
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负责人:谷城 康眞
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依托单位:
超高真空電子顕微鏡内MBE法によるSi(001)基板上GaAsヘテロ成長の研究
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批准号:62750008
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1987
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负责人:谷城 康眞
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依托单位:
Si(111)7×7表面の水素,アルカリ金属吸着の超高真空電子顕微鏡法による研究
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批准号:61780073
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.64万
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财政年份:1986
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负责人:谷城 康眞
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依托单位:
超高真空電子顕微鏡法による Si, Ge (111)表面上の超格子構造の研究
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批准号:60740159
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1985
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负责人:谷城 康眞
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依托单位:
海外基金