超イオン伝導体走査探針による金属原子の連続付加による表面加工

使用超离子导体扫描探针连续添加金属原子进行表面处理

• 批准号: 09875004
• 负责人: 谷城 康眞
• 金额: $ 1.41万
• 依托单位: Tokyo Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Exploratory Research
• 财政年份: 1997
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1997 至 1998
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-09875004/
• 关键词: STM; 超イオン伝導体; 原子付加; 表面加工

最近、STMを利用した表面加工の研究が精力的に進められている。本研究では超イオン伝導体を加工用探針として用いることにより、表面加工材料(金属原子)を大量に貯蔵し、基盤表面への原子付加を多数回連続して行う手法の開発を試みた。探針材料としてβアルミナを選び、双探針STM装置を使って、テストを行った。1. βアルミナへのAgイオンの注入Na-βアルミナ結晶をAgNO_3中で煮沸し、NaをAgで置換し、Agイオンを探針材料に注入した。電子顕微鏡内で、電子線を照射し、Agを析出させることにより、貯蔵されたAgイオンの量を評価した。その結果、煮沸処理にAgNO_3の飽和水溶液あるいは融液を用いれば、実用上制限がないほどの量を探針内に貯蔵できることが分かった。高濃度液処理時に表面に付着するAgNO_3結晶はエタノールあるいは温湯を用いて除去できた。2. Ag-βアルミナ探針を用いた表面加工探針材料の劈開性(c面に平行)を利用して探針の成形を行い、双探針STMの片側探針として取り付けた。外部電源を用いて、探針に電圧(パルス)を印加できるように、プリアンプ系を改造し、Ag-βアルミナ探針から試料表面へのAg原子の付加を行った。加工用探針を用いた表面のSTM観察にはまだ成功していない。2探針間の相対的な位置ズレを試料移動で補償する機構が完成すれば、もう1本の探針を利用しての加工表面のSTM観察が可能となるが、まだ観察は行えていない。走査電子顕微鏡を用いて加工表面の観察を行った。探針の走査に伴って、Agのワイヤが表面に形成されているのが確かめられた。ただし、そのサイズは大きい。加工表面のSTM観察を行い、Agの原子細線の作製など微細加工を実現することが、今後の課題である。

Recently, STM has taken advantage of the rapid development of research efforts in surface finishing. The purpose of this study is to explore the use of surface processing materials (metal atoms), surface processing materials (metal atoms) and so on. To explore the selection of materials, beta, and STM devices, to make sure that the materials and materials can be used properly. 1. The injection of β-Ag into Na- β-Ag, the boiling of Na, the injection of Ag, and the injection of materials. The microphone of the Ag, the irradiation of the computer, the precipitation of the Ag, the emission of the microphone, the temperature of the microphone, the temperature of the electron, the temperature of the microphone, the temperature of the microphone. The results of the test, boiling AgNO_3 and aqueous solution were used to determine the temperature of the melting liquid. The temperature of the high temperature solution is used to remove the temperature on the surface of the high temperature liquid. The temperature of the high temperature solution is different from that of the AgNO_3. 2. Ag- β surface processing exploration materials are used to explore the cleavage (c-plane parallelism) of the surface processing materials. The split properties (c-plane parallelism) are used to explore the forming process, and the double-probe STM chips are used to detect the surface processing properties. The external power source is used as an instrument, the Inca electrical equipment is used as an instrument, the electrical equipment is modified, and the Ag- β-ray is used to probe the surface of the material. The Ag atom is used to pay the carbon dioxide. For processing, use the surface STM to observe the success of the process. (2) to explore the location of each other and to transfer the materials to the equipment. The equipment is designed to complete the inspection. The STM of the machined surface of the machine is used to observe the possibility of monitoring and monitoring the operation of the machine. Use the electronic micrometer to process the surface to observe the quality of the machine. Explore how to make sure that you have a problem with your partner, Ag, and that you have a problem on the surface. I'm sorry, I'm sorry, I'm sorry. On the machined surface, the STM inspection line, the Ag atomic line line and the micro-machining system show that there is a problem in the future.

项目成果

M.Chida: "Reversible Phase Transition Between Metastable Structures of Si (111) c2x8 and "1x1"Studied by High Temperature STM" Surface Sci.(to be published). (1998)

M.Chida：“高温 STM 研究的 Si (111) c2x8 和“1x1”亚稳态结构之间的可逆相变”表面科学（待出版）。

M.Chida: "Reversirle phase transition between metaricble structures of Si(111)c2×5 and 1×1 studied by high-Temperatore STM." Surface Science Letters. 411. L822-L827 (1998)

M.Chida：“通过高温 STM 研究 Si(111)c2×5 和 1×1 金属结构之间的反转相变。”411。L822-L827 (1998)

Y.Tanishiro: "Epitaxial Growth of Si/CaF_2 on Si (111) Studied by RHEED,AES and SEM." in Proc. of Japan-Germany Seminar on Mechanisms of Epitaxy and Properties of Coherent Thin Films. 17-24 (1997)

Y.Tanishiro：“通过 RHEED、AES 和 SEM 研究 Si/CaF_2 在 Si (111) 上的外延生长。”

M.Chida: "Growth mechanism of 7×7 domains from The “1×1" phase and ghenched Si(111)Surface studied by high temperature STM." Surface Science Letters. (in press). (1999)

M.Chida：“通过高温 STM 研究“1×1”相和 ghenched Si(111) 表面的 7×7 域的生长机制”（出版中）。

C.Collazo-Davila: "Atomic Structure of the In on Si (111) 4x1 Surface" Surface Rev.Lett.4・1. 65-70 (1997)

C.Collazo-Davila：“Si (111) 4x1 表面上 In 的原子结构”Surface Rev.Lett.4・1 (1997)。