真空中劈開Si(111)2×1表面とその7×7への相転移の反射電顕法による研究
真空中劈開Si(111)2×1表面とその7×7への相転移の反射電顕法による研究
利用反射电子显微镜研究真空中解理的 Si(111)2×1 表面及其向 7×7 的相变
批准号：
63780069
负责人：
谷城 康眞
金额：
$0.64万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1988
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1988 至 --
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超イオン伝導体走査探針による金属原子の連続付加による表面加工
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批准号：09875004
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项目类别：Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额：$1.41万
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财政年份：1997
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负责人：谷城 康眞
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依托单位：
反射電子顕微鏡法によるシリコン表面吸着構造の解析-基板結晶原子の表面密度の測定-
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批准号：02858014
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项目类别：Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额：$0.38万
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财政年份：1990
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负责人：谷城 康眞
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依托单位：
超高真空電子顕微鏡内MBE法によるSi(001)基板上GaAsヘテロ成長の研究
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批准号：62750008
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项目类别：Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额：$0.58万
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财政年份：1987
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负责人：谷城 康眞
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依托单位：
Si(111)7×7表面の水素,アルカリ金属吸着の超高真空電子顕微鏡法による研究
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批准号：61780073
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项目类别：Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额：$0.64万
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财政年份：1986
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负责人：谷城 康眞
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依托单位：
超高真空電子顕微鏡法による Si, Ge (111)表面上の超格子構造の研究
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批准号：60740159
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项目类别：Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额：$0.51万
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财政年份：1985
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负责人：谷城 康眞
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依托单位：