Theoretische und experimentelle Untersuchung der oberflächenlokalisierten Phononen und Plasmonen an reinen und adsorbatbedeckten kubischen und hexagonalen SiC-Oberflächen

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Siliziumkarbid in kubischer und hexagonaler Gittermodifikation ist als ein Halbleiter mit großer Bandlücke aufgrund seiner wichtigen Merkmale wie hoher Härte, chemischer Trägheit und hohem Schmelzpunkt von sehr großem Interesse, und zwar sowohl vom Standpunkt der Grundlagenforschung aus als auch wegen seiner großen technologischen Bedeutung. Eine Vielzahl theoretischer und experimenteller Arbeiten zum Verständnis der grundlegenden Eigenschaften von verschiedenen SiC Polytypen wurde bereits durchgeführt, besonders im Hinblick auf die elektronischen Bandstrukturen und verschiedene Oberflächenrekonstruktionen. Bis heute fehlt allerdings ein detailliertes Verständnis der Vibrationseigenschaften der Oberflächen von SiC. Mittels der höchstauflösenden Elektronenenergieverlustspektroskopie in Verbindung mit theoretischen Berechnungen von Oberflächenschwingungsmoden im Rahmen der Dichtefunktionaltheorie innerhalb der lokalen Dichte-Näherung beabsichtigen wir die systematische Untersuchung oberflächenlokalisierter Phononenmoden an reinen und wasserstoffbedeckten hexagonalen und kubischen SiC Flächen.