Theoretische und experimentelle Untersuchung der oberflächenlokalisierten Phononen und Plasmonen an reinen und adsorbatbedeckten kubischen und hexagonalen SiC-Oberflächen

纯碳化硅和吸附物覆盖的立方和六方碳化硅表面上的表面局域声子和等离子体激元的理论和实验研究

• 批准号: 5212420
• 负责人: Professor Dr. Jürgen A. Schäfer
• 金额: --
• 依托单位: Fachgebiet Technische Physik I
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2000
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1999-12-31 至 2005-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5212420?language=en
• 关键词: Theoretische; und; experimentelle; Untersuchung; der

Siliziumkarbid in kubischer und hexagonaler Gittermodifikation ist als ein Halbleiter mit großer Bandlücke aufgrund seiner wichtigen Merkmale wie hoher Härte, chemischer Trägheit und hohem Schmelzpunkt von sehr großem Interesse, und zwar sowohl vom Standpunkt der Grundlagenforschung aus als auch wegen seiner großen technologischen Bedeutung. Eine Vielzahl theoretischer und experimenteller Arbeiten zum Verständnis der grundlegenden Eigenschaften von verschiedenen SiC Polytypen wurde bereits durchgeführt, besonders im Hinblick auf die elektronischen Bandstrukturen und verschiedene Oberflächenrekonstruktionen. Bis heute fehlt allerdings ein detailliertes Verständnis der Vibrationseigenschaften der Oberflächen von SiC. Mittels der höchstauflösenden Elektronenenergieverlustspektroskopie in Verbindung mit theoretischen Berechnungen von Oberflächenschwingungsmoden im Rahmen der Dichtefunktionaltheorie innerhalb der lokalen Dichte-Näherung beabsichtigen wir die systematische Untersuchung oberflächenlokalisierter Phononenmoden an reinen und wasserstoffbedeckten hexagonalen und kubischen SiC Flächen.

Siliziumkarbid in kubischer and hexonaler gitter - modimodiation ist als in Halbleiter mit großer bandll<e:1> cke aufgrunund seiner whichtigen Merkmale and hoher Härte, chemischer Trägheit and hohem Schmelzpunkt von sehr großem Interesse, and zwar sowohl vom Standpunkt der Grundlagenforschung aus auch wegen seiner großen technischen Bedeutung。Eine Vielzahl理论与实验研究者Arbeiten zum Verständnis der grundlegenden Eigenschaften von verschiedenen SiC Polytypen wurde bereits durchgef<s:1> hrt, sonders in Hinblick auf die elektronischen Bandstrukturen and verschiedene Oberflächenrekonstruktionen。他的研究结果在细节上反映了Verständnis der Vibrationseigenschaften der Oberflächen von SiC。Mittels der höchstauflösenden elektronenenergielustspektroskie in ververindung mitlettischen Berechnungen von Oberflächenschwingungsmoden im Rahmen der dichtefunctionaltheorie innerhalbder lokalen Dichte-Näherung beabsictigen wir die systematische Untersuchung oberflächenlokalisierter phononenenmodernand reinen and werasserstoffdeckhexonalen and kubischen SiC Flächen。