光インターカレーションによるブロンズ生成の研究

光插层青铜形成研究

• 批准号: 61540328
• 负责人: 浅井 彪
• 金额: $ 1.09万
• 依托单位: Osaka University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
• 财政年份: 1986
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1986 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-61540328/
• 关键词: 光電気化学反応; インターカレーション

1.三酸化タングステン・三酸化モリブデンのペレットを作製し、光インターカレーション反応を試みた。いずれも呈色して水素ブロンズの生成が見られたが、光照射に伴なう発熱による暗反応の寄与が非常に大きく、反応機構の解析には不適当であった。2.酸化スズ-三酸化タングステンの二層薄膜について同様の実験を行なったが、本系ではブロンズ生成が見られなかった。反応条件・前処理等を種々変えてみたが、結果は同じであった。3.以上の結果より、けん濁微粒子と電極とでは反応機構が異なると推定される。用いた酸化物はn型半導体であるが、電極系では酸化物がp型半導体であることが、反応の必須条件であるかも知れない。そうならば、本化合物を単一で用いては、光インターカレーションは期待し得ない。4.この障壁を越えるため、酸化チタン-三酸化タングステンの二層ペレットを作製し、光インターカレーション反応を試みた。光照射により水素ブロンズの生成が確認され、導入された水素量も多い。5.この結果について、両酸化物のバンドギャップはそれぞれ2.9、2.7eV、フラットバンドポテンシャルは-0.4、-0.1Vであるから、層界面においてバンドベンディングの様子が変化し、三酸化タングステンが電気化学反応の上ではp型半導体と同じように振舞っている可能性がある。5の推定については、まだ検討すべき課題が残っている。たとえば、単純な構造の二層ペレットがきちんとしたバンド接合面を形成しているか否か、あるいは酸化チタン側から光照射した場合のみ反応が進行すること等で、これらは上記反応が光インターカレーションであると結論する上で極めて重要である。理想的な二層薄膜を形成する等の実験で確認した上で、学術雑誌に発表する予定である。

1. The three acidification タ ン グ ス テ ン, three acidification モ リ ブ デ ン の ペ レ ッ ト を as し, light イ ン タ ー カ レ ー シ ョ ン anti 応 を try み た. い ず れ も color し て water element ブ ロ ン ズ の generated が see ら れ た が and light irradiation に な う 発 hot に よ る dark against 応 の send with very large に き が く 応 institutions and anti の parsing に は inappropriate で あ っ た. 2. The acidification ス ズ - three acidification タ ン グ ス テ ン の layer film に つ い て with others の be 験 を line な っ た が, the department で は ブ ロ ン ズ generated が see ら れ な か っ た. Reverse the 応 condition · pretreatment and other を kinds of 々 variations えてみたが, and the results 応 are the same as じであった. 3. The above <s:1> results よ, けん turbid particle と electrode とで anti-応 mechanism が are different なると and it is inferred that される. Use い た acidification content は n-type semiconductor で あ る が, electrode system で は acidification content が p-type semiconductor で あ る こ と が, anti 応 の must condition で あ る か も know れ な い. Youdaoplaceholder0, this compound を単 - で is expected to obtain な タ by using て て, light and <s:1> を単 タ カレ カレ ショ ショ ショ. The more 4. こ の barrier を え る た め, acidification チ タ ン - three acidification タ ン グ ス テ ン の second ペ レ ッ ト を as し, light イ ン タ ー カ レ ー シ ョ ン anti 応 を try み た. Light irradiation on によ hydroquinin ブロ ズ ズ <s:1> generates が, confirming され and introducing された a large amount of hydroquinin <e:1>. 5. こ の results に つ い て, struck acidification の バ ン ド ギ ャ ッ プ は そ れ ぞ れ 2.9 and 2.7 eV, フ ラ ッ ト バ ン ド ポ テ ン シ ャ ル は 0.4 and 0.1 V で あ る か ら, layer interface に お い て バ ン ド ベ ン デ ィ ン グ の others child が - し, three acidification タ ン グ ス テ ン が electric chemical anti 応 気 の on で は p-type semiconductor と じ Youdaoplaceholder0 zhenwu って る る possibility がある. 5. It is presumed that に に に て て and まだ検 discuss the すべ って topic が and って る る. た と え ば, pure な 単 structure の second ペ レ ッ ト が き ち ん と し た バ ン ド faying surface を form し て い る か no か, あ る い は acidification チ タ ン side か ら light し た occasions の み anti 応 が for す る こ と で, こ れ ら は written against 応 が light イ ン タ ー カ レ ー シ ョ ン で あ る と conclusion す で extremely on る め て important で あ る. Ideal を な second film forming す る etc. の be 験 で confirm し た で, academic 雑 tzu に 発 table す る designated で あ る.

项目成果

T.ASAI;C.H.HU;T.KURAGAKI;S.KAWAI: Bulletin of the Chemical Society of Japan. 60. (1987)

T.ASAI；C.H.HU；T.KURAGAKI；S.KAWAI：日本化学会通报。