GaAsの光化学的ドライエッチングに関する研究

GaAs光化学干法刻蚀研究

• 批准号: 61550695
• 负责人: 今石 宣之
• 金额: $ 1.02万
• 依托单位: Tohoku University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
• 财政年份: 1986
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1986 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-61550695/
• 关键词: GaAsのドライエッチング; 光エッチング; 【Br_2】

GaAsの光化学的ドライエッチングについて実験的検討を行ない下記の結果を得た。実験はバッチ式装置とラジカルビーム型装置について各々行なった。1.バッチ式ドライエッチング装置による実験結果。光照射用の石英窓を有する真空装置を作成し、エッチャントとして【Br_2】蒸気を用いるドライエッチングの特性を検討した。その結果、概往の研究よりも著しく低温度(0°〜80℃)でGaAsのエッチングが進行し、光照射によりそのエッチ速度が増大する等有益な結果が見出され、現在GaAsトランジスタの製造に応用を試みている。以下にその詳細を記す。(1)0°〜80℃の温度域でGaAs薄板を0.01〜0.2Torrの【Br_2】蒸気に接触させると鏡面状のドライエッチングが進行する。50℃以上では75KJ・【mol^(-1)】程度の活性化エネルギー、低温域ではほぼ0KJ・【mol^(-1)】の活性化エネルギー値が得られた。(2)光照射により低温度域でのエッチング速度が増大する。最も有効な光波長は約470mmであり、必要な光強度は0.1W・【cm^(-2)】程度で暗反応時の約2倍のエッチング速度を得ることが可能である。(3)AESによる表面組成の分析から、エッチ後80℃でベークした場合、【Br_2】の残留は無く、GaあるいはAsの組成変化は検出されない。(4)SiN膜をマスク材とした場合、1μm幅のパターンの解像が可能である。(001)面をエッチする場合、結晶癖に依存する異方性エッチング特性を示すことが分った。2.ラジカルビーム型ドライエッチング装置による実験。当初作成した装置のエッチ速度が異常に低く、原因追求の結果拡散ポンプ油分子による汚染と分った。ターボ分子ポンプによる排気系を作成し現在実験を継続中である。

GaAs photochemistry's research results are as follows.実験はバッチ device and とラジカルビーム type device についてeach 々行なった. 1. The result of the バッチドライエッチング device. The quartz crystal used for light irradiation is made by a vacuum device made by Etruscan.て【Br_2】Steamed 気を Use いるドライエッチングのcharacteristics を検した. The results and general research were carried out using low-temperature (0° to 80°C) GaAs technology and light irradiation. The speed of the GaAs technology has been greatly improved, and the results have been beneficial. Now the GaAs technology is manufactured and used to test the technology. The following is a detailed description. (1) The GaAs thin plate in the temperature range of 0° to 80°C is 0.01 to 0.2 Torr [Br_2], and the contact is made by steaming and contacting the mirror-like surface. Above 50℃, it can be activated at 75KJ・【mol^(-1)】, and at low temperature, it can be activated at 0KJ・【mol^(-1)】. (2) The speed of light irradiation in the low temperature range is greatly increased. The most effective wavelength of light is about 470mm, and the necessary light intensity is 0.1W・[cm^(-2)], which is about 2 times the speed of dark reflection and is possible. (3) AES surface composition analysis and 80°C temperature control , 【Br_2】のRESIDENCEは无く、GAあるいはAsの constitute the changeは検出されない. (4) In the case of SiN film material, 1μm width resolution is possible. (001) In the case of surface をエッチする, the crystallization habit depends on the anisotropy and the エッチング characteristics are divided into すことが. 2. The ラジカルビーム type ドライエッチング device による実験. The speed of the device that was originally created was abnormally low, and as a result, the reason for the problem was that the oil molecules were dispersed and the oil molecules were polluted. The ターボmolecule ポンプによる row 気system を is made and now 実験を継続中である.

项目成果

今石宣之: 化学工学論文集.

Nobuyuki Imaishi：化学工程论文集。