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長波長GaInAsP/InP動的単一モードレーザのスペクトル高純度化に関する基礎

長波長GaInAsP/InP動的単一モードレーザのスペクトル高純度化に関する基礎
长波长 GaInAsP/InP 动态单模激光器光谱纯化基础
批准号：
61750265
负责人：
荒井 滋久
金额：
$0.58万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1986
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1986 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-61750265/
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半導体薄膜レーザの超低消費電力動作実現
  • 批准号：
    15H02249
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
  • 资助金额：
    $11.23万
  • 财政年份：
    2015
  • 负责人：
    荒井 滋久
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
新しい低次元量子構造の光学特性とその機能光デバイス応用
  • 批准号：
    02F00083
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额：
    $1.54万
  • 财政年份：
    2002
  • 负责人：
    荒井 滋久
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
薄膜半導体/ポリマー複合材料による能動光デバイスの研究
  • 批准号：
    13875059
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
  • 资助金额：
    $1.34万
  • 财政年份：
    2001
  • 负责人：
    荒井 滋久
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
金属/絶縁体超薄膜構造の光デバイス応用に関する基礎研究
  • 批准号：
    63750279
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 资助金额：
    $0.58万
  • 财政年份：
    1988
  • 负责人：
    荒井 滋久
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology