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薄膜半導体/ポリマー複合材料による能動光デバイスの研究

薄膜半導体/ポリマー複合材料による能動光デバイスの研究
薄膜半导体/聚合物复合材料有源光学器件的研究
批准号:
13875059
负责人:
荒井 滋久
金额:
$1.34万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Exploratory Research
财政年份:
2001
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2001 至 2002

项目摘要

项目成果

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本研究では、半導体層を100nm(従来の1/10〜1/50)程度に薄くし、半導体に比べて屈折率が大きく異なる誘電体層で挟む光導波路構造を用いることにより、半導体層と誘電体層の光学的複合性質を利用する新しい能動光デバイスの可能性を探ることを目的として行い、以下に挙げる成果を得た。1)電子線リソグラフィー、メタンと水素の混合ガスによるドライエッチングと2回の有機金属気相成長法によって、細線状活性層が周期状に配置された分布帰還(DFB)構造を作製し、さらに厚さ130nmの薄膜構造化してポリマーで光閉じ込めを行う半導体薄膜分布帰還(DFB)レーザを試作し、光励起下で室温連続動作を達成した。ストライプ幅2μm、共振器長120μmの素子において、しきい値励起光入力1.5mW(電流換算値27μA)という極低電流動作可能性を実証した。2)この薄膜半導体/ポリマー複合導波路構造を有する半導体薄膜DFBレーザの回折格子周期とそのブラッグ波長の関係を測定した結果、薄膜半導体/ポリマー複合導波路構造の等価屈折率はほぼ設計通りの2.30であり、半導体コア層の屈折率と光閉じ込め層の屈折率の平均値となっていることを世界で初めて実験より明らかにした。3)回折格子周期の異なる20素子を10μmの間隔で配置した多波長レーザアレイを試作した結果、発振波長はそれぞれの素子の設定値に対して±0.4nmの範囲で制御できることを実験的に明らかにした。これより、低密度波長多重通信用光源への応用可能性を示した。4)回折格子周期を一定にし、ストライプ幅を変化させることにより発振波長を制御する方法により、電子ビーム露光装置の最小ステップ幅(1.25nm)に制限されない狭い波長間隔の多波長レーザアレイを実現した。
期刊论文(26)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
H.-C.Kim: "Distributed Reflector Lasers with First-Order Vertical Grating and Second-Order Bragg Reflectors"Jpn.J.Appl.Phys.. 41・12. 7396-7397 (2002)
H.-C.Kim:“具有一阶垂直光栅和二阶布拉格反射器的分布式反射器激光器”Jpn.J.Appl.Phys.. 41・12 (2002)。
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
V.M.Kaganer: "Strain in buried quantum wires : Analytical calculations and x-ray diffraction study"Phys.Rev.B. 66・3. 035310 (2002)
V.M.Kaganer:“埋入量子线中的应变:分析计算和 X 射线衍射研究”Phys.Rev.B. 035310 (2002)
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
T.Okamoto: "Continuous wave operation of optically pumped membrance DFB laser"Electron. Lett.. 37・24. 1455-1457 (2001)
T.Okamoto:“光泵浦膜DFB激光器的连续波操作”Electron.. 1455-1457 (2001)。
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
H.Yagi: "Low-Damage Etched/Regrown Interface of Strain-Compensated GaInAsP/InP Quantum-Wire Laser Fabricated by CH_4/H_2 Dry Etching and Regrowth"Appl.Phys.Lett.. 81・6. 966-968 (2002)
H.Yagi:“通过 CH_4/H_2 干法蚀刻和再生长制造的应变补偿 GaInAsP/InP 量子线激光器的低损伤蚀刻/再生长界面”Appl.Phys.Lett. 81・6 (2002)。
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
13
    半導体薄膜レーザの超低消費電力動作実現
    • 批准号:
      15H02249
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
    • 资助金额:
      $11.23万
    • 财政年份:
      2015
    • 负责人:
      荒井 滋久
    • 依托单位:
    新しい低次元量子構造の光学特性とその機能光デバイス応用
    • 批准号:
      02F00083
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for JSPS Fellows
    • 资助金额:
      $1.54万
    • 财政年份:
      2002
    • 负责人:
      荒井 滋久
    • 依托单位:
    金属/絶縁体超薄膜構造の光デバイス応用に関する基礎研究
    • 批准号:
      63750279
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
    • 资助金额:
      $0.58万
    • 财政年份:
      1988
    • 负责人:
      荒井 滋久
    • 依托单位:
    長波長GaInAsP/InP動的単一モードレーザのスペクトル高純度化に関する基礎
    • 批准号:
      61750265
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
    • 资助金额:
      $0.58万
    • 财政年份:
      1986
    • 负责人:
      荒井 滋久
    • 依托单位:
    海外基金