半導体薄膜レーザの超低消費電力動作実現
实现半导体薄膜激光器的超低功耗运行
基本信息
- 批准号:15H02249
- 负责人:
- 金额:$ 11.23万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
- 财政年份:2015
- 资助国家:日本
- 起止时间:2015-04-01 至 2016-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
将来のLSI上にオンチップ光配線を実現する上で必要とされる、高速電気信号を光信号に変換できる超低電力動作半導体レーザを実現することを目的として行う研究であり、これまで申請代表者が提案・実現してきた薄膜(メンブレン)半導体レーザの極低電流動作および10Gbit/sを超える超高速変調の実現を目指した。この薄膜(メンブレン)半導体レーザだけでなく、信号を伝える低損失光導波路および高速光検出器も合わせて実現することを目的として申請した基盤研究(S)が採択されたため、本申請の基盤研究(A)は5月末で中断することとなった。
In the future, the optical distribution lines on the LSI will be equipped with the necessary electrical equipment, high-speed electrical signals, optical signals, ultra-low power, semi-electric power, and the purpose of the study is to conduct research. The representative of the applicant proposed that the thin film (thin film) semi-conductor can be used as an extremely low current source, 10Gbit/s, ultra-high speed, ultra-high speed, and so on. The thin film (thin film) half-body system, the signal system, the low light loss guided wave path, the high-speed optical transmitter, the high-speed optical transmitter, the thin film, the signal, the light loss, the guide wave, the high-speed optical transmitter, the high-speed light emitter, the high-speed optical transmitter, the thin film, the thin film, the
项目成果
期刊论文数量(1)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
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