半導体薄膜レーザの超低消費電力動作実現
半導体薄膜レーザの超低消費電力動作実現
批准号:
15H02249
负责人:
荒井 滋久
金额:
$11.23万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份:
2015
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2015-04-01 至 2016-03-31
中文摘要
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
将来のLSI上にオンチップ光配線を実現する上で必要とされる、高速電気信号を光信号に変換できる超低電力動作半導体レーザを実現することを目的として行う研究であり、これまで申請代表者が提案・実現してきた薄膜(メンブレン)半導体レーザの極低電流動作および10Gbit/sを超える超高速変調の実現を目指した。この薄膜(メンブレン)半導体レーザだけでなく、信号を伝える低損失光導波路および高速光検出器も合わせて実現することを目的として申請した基盤研究(S)が採択されたため、本申請の基盤研究(A)は5月末で中断することとなった。
期刊论文(1)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
荒井・西山研究室ホームページ
新井/西山实验室主页
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
新しい低次元量子構造の光学特性とその機能光デバイス応用
-
批准号:02F00083
-
项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
-
资助金额:$1.54万
-
财政年份:2002
-
负责人:荒井 滋久
-
依托单位:
薄膜半導体/ポリマー複合材料による能動光デバイスの研究
-
批准号:13875059
-
项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
-
资助金额:$1.34万
-
财政年份:2001
-
负责人:荒井 滋久
-
依托单位:
金属/絶縁体超薄膜構造の光デバイス応用に関する基礎研究
-
批准号:63750279
-
项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
-
资助金额:$0.58万
-
财政年份:1988
-
负责人:荒井 滋久
-
依托单位:
長波長GaInAsP/InP動的単一モードレーザのスペクトル高純度化に関する基礎
-
批准号:61750265
-
项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
-
资助金额:$0.58万
-
财政年份:1986
-
负责人:荒井 滋久
-
依托单位:
半絶縁性基板を用いる平面集積動的単一モードレーザの研究
-
批准号:60750263
-
项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
-
资助金额:$0.58万
-
财政年份:1985
-
负责人:荒井 滋久
-
依托单位:
波長同調型動的単一モードレーザの研究
-
批准号:59750243
-
项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
-
资助金额:$0.64万
-
财政年份:1984
-
负责人:荒井 滋久
-
依托单位:
海外基金