半導体薄膜レーザの超低消費電力動作実現

实现半导体薄膜激光器的超低功耗运行

基本信息

  • 批准号:
    15H02249
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 11.23万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
  • 财政年份:
    2015
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2015-04-01 至 2016-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

将来のLSI上にオンチップ光配線を実現する上で必要とされる、高速電気信号を光信号に変換できる超低電力動作半導体レーザを実現することを目的として行う研究であり、これまで申請代表者が提案・実現してきた薄膜(メンブレン)半導体レーザの極低電流動作および10Gbit/sを超える超高速変調の実現を目指した。この薄膜(メンブレン)半導体レーザだけでなく、信号を伝える低損失光導波路および高速光検出器も合わせて実現することを目的として申請した基盤研究(S)が採択されたため、本申請の基盤研究(A)は5月末で中断することとなった。
In the future, the optical distribution lines on the LSI will be equipped with the necessary electrical equipment, high-speed electrical signals, optical signals, ultra-low power, semi-electric power, and the purpose of the study is to conduct research. The representative of the applicant proposed that the thin film (thin film) semi-conductor can be used as an extremely low current source, 10Gbit/s, ultra-high speed, ultra-high speed, and so on. The thin film (thin film) half-body system, the signal system, the low light loss guided wave path, the high-speed optical transmitter, the high-speed optical transmitter, the thin film, the signal, the light loss, the guide wave, the high-speed optical transmitter, the high-speed light emitter, the high-speed optical transmitter, the thin film, the thin film, the

项目成果

期刊论文数量(1)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
荒井・西山研究室ホームページ
新井/西山实验室主页
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

荒井 滋久其他文献

Fine-tuning of actin nucleator activity by MTSS1 in dendritic protrusions of developing Purkinje Cells.
MTSS1 在发育中浦肯野细胞的树突状突起中微调肌动蛋白成核剂活性。
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    コ シチン;瓜生 達也;中村 なぎさ;井上 大輔;雨宮 智宏;西山 伸彦;荒井 滋久;Kelly Kawabata
  • 通讯作者:
    Kelly Kawabata
Rational Design of High-Performance Acid-Base Combined Catalysts
高性能酸碱组合催化剂的合理设计
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    雨宮 智宏;金澤 徹;平谷 拓生;荒井 滋久;浦上 達宣;Kazuaki Ishihara
  • 通讯作者:
    Kazuaki Ishihara
マイクロ流体デバイスによる敗血症に伴う腎微小環境変化の解析
使用微流体装置分析与脓毒症相关的肾脏微环境变化
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    宮嵜 隆之;立花 文人;菊地 健彦;平谷 拓生;八木 英樹;Moataz Eissa;御手洗 拓矢;雨宮 智宏;西山 伸彦;荒井 滋久;田尾祐一; 高尾英邦; 下川房男; 中野大介; 寺尾京平
  • 通讯作者:
    田尾祐一; 高尾英邦; 下川房男; 中野大介; 寺尾京平
Microfluidic Chemical Stimulation for Imaging Inter/Intracellular Response
用于细胞间/细胞内反应成像的微流体化学刺激
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    田中 真琴;雨宮 智宏;各務 響;増田 佳祐;西山 伸彦;荒井 滋久;TERAO Kyohei; IMAI Keisuke; SUZUKI Takaaki; TAKAO Hidekuni; SHIMOKAWA Fusao; MATSUOKA Satoru; KOTERA Hidetoshi
  • 通讯作者:
    TERAO Kyohei; IMAI Keisuke; SUZUKI Takaaki; TAKAO Hidekuni; SHIMOKAWA Fusao; MATSUOKA Satoru; KOTERA Hidetoshi
メタマテリアルを用いた液体材料用の広帯域複素屈折率計
使用超材料的液体材料宽带复合折射仪
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    各務 響;雨宮 智宏;田中 真琴;増田 佳祐;西山 伸彦;荒井 滋久
  • 通讯作者:
    荒井 滋久

荒井 滋久的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('荒井 滋久', 18)}}的其他基金

新しい低次元量子構造の光学特性とその機能光デバイス応用
新型低维量子结构的光学特性及其功能光学器件应用
  • 批准号:
    02F00083
  • 财政年份:
    2002
  • 资助金额:
    $ 11.23万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
薄膜半導体/ポリマー複合材料による能動光デバイスの研究
薄膜半导体/聚合物复合材料有源光学器件的研究
  • 批准号:
    13875059
  • 财政年份:
    2001
  • 资助金额:
    $ 11.23万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
金属/絶縁体超薄膜構造の光デバイス応用に関する基礎研究
金属/绝缘体超薄膜结构光学器件应用基础研究
  • 批准号:
    63750279
  • 财政年份:
    1988
  • 资助金额:
    $ 11.23万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
長波長GaInAsP/InP動的単一モードレーザのスペクトル高純度化に関する基礎
长波长 GaInAsP/InP 动态单模激光器光谱纯化基础
  • 批准号:
    61750265
  • 财政年份:
    1986
  • 资助金额:
    $ 11.23万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
半絶縁性基板を用いる平面集積動的単一モードレーザの研究
半绝缘衬底平面集成动态单模激光器研究
  • 批准号:
    60750263
  • 财政年份:
    1985
  • 资助金额:
    $ 11.23万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
波長同調型動的単一モードレーザの研究
波长可调谐动态单模激光器研究
  • 批准号:
    59750243
  • 财政年份:
    1984
  • 资助金额:
    $ 11.23万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)

相似海外基金

レーザ援用光電気化学エッチング法による可視帯光回路光源の開発
激光辅助光电化学刻蚀法可见光波段光路光源的研制
  • 批准号:
    24K17318
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 11.23万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
高い環境変化耐性を有する光回路のためのレーザ実装技術
具有高抗环境变化能力的光电路激光安装技术
  • 批准号:
    23K26169
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 11.23万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
III-V/Siハイブリッド集積技術による超低消費電力・高速プログラマブル光回路
采用III-V/Si混合集成技术的超低功耗高速可编程光路
  • 批准号:
    24KJ0823
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 11.23万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
高い環境変化耐性を有する光回路のためのレーザ実装技術
具有高抗环境变化能力的光电路激光安装技术
  • 批准号:
    23H01475
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 11.23万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
相変化材料を用いたプログラマブル光回路に関する研究
相变材料可编程光路研究
  • 批准号:
    22KJ0549
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 11.23万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
最先端窒化シリコン光回路との融合による革新的ダイヤモンド量子情報デバイスの創成
与尖端氮化硅光路融合打造创新金刚石量子信息器件
  • 批准号:
    23KK0268
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 11.23万
  • 项目类别:
    Fund for the Promotion of Joint International Research (Fostering Joint International Research)
光回路への高効率光結合を可能とする半導体レーザ実装法の研究
研究实现高效光耦合至光路的半导体激光器封装方法
  • 批准号:
    23KJ1406
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 11.23万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
ループ型光回路による大規模量子計算の実現
利用环型光路实现大规模量子计算
  • 批准号:
    20J10844
  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 11.23万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
LSI上の集積に向けたアモルファスシリコン3次元光回路の実現
用于LSI集成的非晶硅3D光路的实现
  • 批准号:
    13J08096
  • 财政年份:
    2013
  • 资助金额:
    $ 11.23万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
SOI基板上温度無依存波長多重光回路に関する研究
SOI衬底上与温度无关的波长复用光路研究
  • 批准号:
    11J08863
  • 财政年份:
    2011
  • 资助金额:
    $ 11.23万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了