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シリコン膜形成過程における吸着シラン分子層の炭酸ガス・レーザ照射効果

シリコン膜形成過程における吸着シラン分子層の炭酸ガス・レーザ照射効果
硅成膜过程中二氧化碳气体和激光照射对吸附硅烷分子层的影响
批准号:
61750287
负责人:
目黒 多加志
金额:
$0.45万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份:
1986
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1986 至 --
关键词:

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低速多価イオンビームによる原子操作
  • 批准号:
    11222207
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (B)
  • 资助金额:
    $33.02万
  • 财政年份:
    1999
  • 负责人:
    目黒 多加志
  • 依托单位:
コヒーレント光を用いた表面原子の一括操作法の開発研究
原子層エッチング技術の開発研究